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[发明专利]一种基于铌酸锂的PM-QPSK集成光调制器及其工作方法-CN201610269999.9有效
发明人：季伟;尹锐;王军宝;公姿苏 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸锂的PM‑QPSK集成光调制器及其工作方法。所述集成光调制器，包括上电极、下电极、衬底和铌酸锂晶体；铌酸锂晶体上按光路方向依次刻有偏振解复用器、两路并联的IQ调制器和偏振复用器；上电极和下电极分别设置在铌酸锂晶体上表面和衬底下面；所述偏振解复用器和偏振复用器分别为基于MZI的铌酸锂偏振解复用器和基于MZI的铌酸锂偏振复用器。本发明所述集成光调制器，基于铌酸锂的双折射效应制成铌酸锂偏振解复用器和偏振复用器，改变以往基于硅基制作偏振复用器的传统，将基于硅基的偏振解复用器和偏振复用器与IQ调制器集成于同一块晶体上；工艺容差远小于硅基工艺
一种基于铌酸锂 pm qpsk 集成调制器及其工作方法

[实用新型]基于铌酸锂的波导阵列-CN202022674059.2有效
发明人：冯吉军;刘海鹏 -专利权人：苏州科沃微电子有限公司;上海理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。
基于铌酸锂波导阵列

[发明专利]一种从锂云母矿中高效回收钽铌锡的方法-CN202110371394.1在审
发明人：郭亮;南东东;蒋章铭;欧阳欣;乐峰 -专利权人：宜春市金地锂业有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： B03D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从锂云母矿中高效回收钽铌锡的方法,包括以下步骤:将锂云母矿进行粗磨,过筛后与水调制成矿浆然后进行磁选、重选,重选得到钽铌锡粗矿和尾矿,钽铌锡粗矿通过酸浸得到钽铌锡精矿；将尾矿进入浮选系统进行浮选,得到α型锂云母精矿，α型锂云母精矿与硫酸钾、硫酸钠、石灰按一定比例混合均匀，然后在回转窑进行焙烧，得到β型锂云母熟料，然后进行磨矿、过筛、调制成矿浆，经过磁选和重选，再经过酸浸得到钽铌锡精矿。本发明提供的从锂云母矿中回收钽铌锡的方法具有回收率高的优点。
一种云母高效回收钽铌锡方法

[发明专利]复合基板以及使用其的弹性波元件-CN201880063711.X有效
发明人：伊藤干;岸野哲也;野添惣一朗 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本公开的复合基板具备：由钽酸锂晶体构成且欧拉角为(0、α、γ)的第1基板10；以及由与所述第1基板10接合的硅单晶构成且欧拉角为(‑45、‑54.7、β)的第2基板20，α为‑40°～‑60°或120°
复合以及使用弹性元件

[发明专利]钽酸锂单晶晶轴极性快速确定法-CN87101382.7无效
发明人：盂宪林;徐炳超 -专利权人：山东大学
申请日： 1987-09-07 - 公布日： 1990-11-21 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：钽酸锂单晶晶轴极性快速确定法。属于晶体滤波■器件加工定向技术领域。根据对LT晶体生长棱分布与各晶轴关系的实验与研究，归纳为一个判断晶轴极性的关系图。
钽酸锂单晶晶轴极性快速确定

[发明专利]压电性材料基板与支撑基板的接合体-CN201880089853.3有效
发明人：堀裕二;山寺乔纮 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和支撑基板借助氧化硅层而接合时，抑制在构成接合层的氧化硅与支撑基板的界面处发生剥离。接合体具备：支撑基板3；接合层4，其由氧化硅形成，且设置于支撑基板3的表面3b上；以及压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成。
压电材料支撑接合

[发明专利]高温固相-表面沉积法制备硅基薄膜锂离子电池钴酸锂正极的方法-CN201110094782.6无效
发明人：赵桂英;周婷;林莹;曾宝枝;戴颖;林应斌;黄志高 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温固相-表面沉积法在钴酸锂正极表面沉积硅基薄膜的方法。该方法首先将含锂的前驱物与含钴的前驱物混合后置于玛瑙罐中，行星球磨，干燥，研磨后置于马弗炉中进行烧结得到钴酸锂粉末Li1+xCo1+yO2；称量94～96重量份的Li1+xCo1+yO2和2～3重量份的导电炭黑和2～3重量份的聚偏氟乙烯混合于N-甲基吡咯烷酮溶液中，搅拌获得的浆料涂布于铝箔上，干燥，得到钴酸锂正极片。将钴酸锂正极片作为沉积基板置于沉积腔中硅基源的正上方或周围进行沉积，得到表面沉积硅基薄膜的钴酸锂正极。采用本发明所述的方法，电池的充放电性能显著提高，改善效果不受钴酸锂制备的具体工艺影响，其应用性非常显著。
高温表面沉积法制备硅基薄膜锂离子电池钴酸锂正极方法

[发明专利]一种制备用于热释电探测器的钽酸锂晶片的方法-CN201310694320.7在审
发明人：刘子骥;梁志清;蒋亚东;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了提供了一种制备用于热释电探测器的钽酸锂晶片的方法，包括：将预定厚度的钽酸锂晶片置于浸泡溶液中进行浸泡处理并清洗，然后到工装上并将工装固定到驱动盘，对钽酸锂晶片进行研磨和抛光处理。
一种制备用于热释电探测器钽酸锂晶片方法

[实用新型]一种钽酸锂单晶炉-CN201820025520.1有效
发明人：徐国忠 -专利权人：盐城市振弘电子材料厂
申请日： 2018-01-06 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钽酸锂单晶炉，它包括：外炉体；内炉体，所述内炉体包括安装在所述外壳体内的内壳体、设置于所述内壳体内的支撑垫块、固定在所述支撑垫块上表面的石墨坩埚、设置于所述石墨坩埚内的氧化铝坩埚、一端设置于所述内壳体内且另一端延伸至所述外壳体外的至少两根加热极片从而保证进料的均匀，提高单晶炉中融体的质量。
通气管钽酸锂单晶石墨坩埚支撑垫块体内内壳体内炉体外壳体内壳本实用新型外壳体上部氧化铝坩埚过滤填料进料组件一端设置抽气泵单晶炉加热极上表面外炉体延伸阀门融体填充保证

[实用新型]一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器-CN202120532330.0有效
发明人：龚颂斌;吕若辰 -专利权人：偲百创（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；电极单元，设于所述压电层上；横向反射器，设于所述压电层上，所述横向反射器用于对声波进行横向反射；其中，所述底电极层和电极单元用于形成电场。
一种厚度方向激励剪切模式声学谐振器

[发明专利]接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件-CN200510051298.X有效
发明人：三浦道雄;上田政则;相川俊一;上村亨;和田一久;三岛直之 -专利权人：富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：接合基板包括钽酸锂基板及与钽酸锂基板相接合的蓝宝石基板，钽酸锂基板和蓝宝石基板的接合界面包括厚度为0.3nm到2.5nm、处于非晶态的接合区域。处于非晶态的接合区域是通过利用惰性气体或氧的中性化原子束、离子束或者等离子体在接合界面中激活钽酸锂基板和蓝宝石基板中的至少一方来形成的。
接合表面声波芯片以及器件

[发明专利]一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法-CN202010913670.8有效
发明人：张忠伟;徐秋峰;张鸿;陈晓强;张坚 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法，包括以下步骤：a)将配制好的钽酸锂原料通过等静压压机成型为尺寸Φ220*50mm的圆饼；b)将成型好的钽酸锂原料放入坩埚内，升温速率控制在300‑400℃/h，加热至1450～1500℃使钽酸锂原料熔化形成熔融液；c)将籽晶下降到与熔融液接触，转数控制在10‑12rpm/min，籽晶缩颈至2‑3mm，进入自动生长；d)晶体的降温速率控制在
一种尺寸钽酸锂晶体制备方法

[发明专利]一种电致变色膜系中的钽酸锂薄膜的制备方法-CN202011462541.8有效
发明人：沈洪雪;汤永康;李刚;姚婷婷;王天齐;金克武 -专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种电致变色膜系中的钽酸锂薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、取20Ω的ITO镀膜玻璃作为衬底；S2、将衬底装入样品架，送入磁控溅射镀膜腔室；以钽酸锂靶为靶材；S3、对磁控溅射镀膜腔室抽真空，对衬底进行100～200℃的加热处理；S4、向磁控溅射镀膜腔室内通入氩气，开启射频电源，使靶材起辉；然后打开直流电源，在射频与直流的耦合过程中对靶材进行预溅射；S5、预溅射完毕后通入氧气，通过磁控溅射沉积钽酸锂薄膜；S6、待样品架自然冷却至室温后，取出衬底，得到钽酸锂薄膜；该方法制备得到的钽酸锂薄膜可控性、重复性强，提升膜系的整体性能。
一种变色中的钽酸锂薄膜制备方法

[发明专利]基于铌酸锂的波导阵列及其制造方法-CN202011298132.9在审
发明人：冯吉军;刘海鹏 -专利权人：苏州科沃微电子有限公司;上海理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂的波导阵列，包括：硅基衬底；沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；位于所述二氧化硅缓冲层上的芯层；位于所述芯层上，并包覆所述芯层的二氧化硅包层；其中，所述芯层包括：左右对称的两个铌酸锂宽波导、第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅；所述第一铌酸锂光栅和第二铌酸锂光栅位于两个所述铌酸锂宽波导之间；所述第一铌酸锂光栅位于所述第二铌酸锂光栅左边。本发明还公开了基于铌酸锂的波导阵列的制造方法。本发明可实现在1550nm光波段抑制波导间串扰，实现高透过率，低插入损耗。
基于铌酸锂波导阵列及其制造方法

[发明专利]中低镍单晶三元正极材料及其制备方法和电池-CN202310982961.6在审
发明人：李宇东;赵健辉;陈贤娜;周志度;邓晓燕;刘君豪;吴名键;万国江;范江;简健明 -专利权人：江门市科恒实业股份有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池领域，公开了一种中低镍单晶三元正极材料及其制备方法和电池，所述制备方法为：将钴酸锂废料颗粒、锰酸锂废料颗粒、镍钴锰酸锂废料颗粒、锂源混合均匀，在氧气氛围下烧结，得到中低镍单晶三元正极材料该方法通过选择钴酸锂废料颗粒、锰酸锂废料颗粒、镍钴锰酸锂废料颗粒、锂源为原料制备中低镍单晶三元正极材料，其和正常生产过程中所生产的中低镍单晶三元正极材料的性能相近。
中低镍单晶三元正极材料及其制备方法电池