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[发明专利]硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组-CN201810123726.2在审
发明人：吴疆 -专利权人：上海瀚莅电子科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基OLED的制备方法，包括以下步骤：S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；S2、选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；S3、将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；S5、重复步骤S2～S4将制备硅基OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；S6、对所述步骤S5中的硅基OLED基体进行封装，硅基OLED的制备结束。本发明的硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组，减少了CF层的使用及白光OLED的单独制备，使得硅基OLED显示模组的亮度提高了4倍，同时提高了硅基OLED的PPI并简化了硅基OLED的制备工艺。
硅基制备掩膜版蒸镀功能层晶圆模组像素图形对位贴合分离技术制备工艺制备硅基白光封装重复

[发明专利]一种双（三甲氧基硅基）乙烷产品的生产工艺-CN201911235427.9在审
发明人：陈道伟;程利航;余晖;操伟祥;于湛川 -专利权人：浙江开化合成材料有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双(三甲氧基硅基)乙烷产品的生产工艺，所述生产工艺包括以下步骤：对甲醇进行预热，预热后的甲醇与精馏提纯后的双(三氯硅基)乙烷进行酯化反应，生成粗品双(三甲氧基硅基)乙烷、HCL气体及少量水解后的聚合物；粗品双(三甲氧基硅基)乙烷及少量水解后的聚合物经过甲醇钠中和后，放置到粗品罐内；用输送泵将中和后的粗品物料打入减压精馏塔进行分离，前馏分从塔顶采出，塔底物料采出双(三甲氧基硅基)乙烷，副产高沸物经脱色罐进行脱色；对双(三甲氧基硅基)乙烷进行包装即得成品。本发明通过对甲醇进行预热，通过酯化、中和和精馏，多工序使得双(三甲氧基硅基)乙烷的制备率高，且产品纯度好。
一种三甲氧基硅基乙烷产品生产工艺

[发明专利]一种激光器与硅基光波导微透镜耦合结构及其制造方法-CN202111331533.4在审
发明人：王艳;尤国庆;王东辰;徐鹏霄;唐光华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光器与硅基光波导微透镜耦合结构及其制造方法，该结构包含激光器模块、微透镜模块、硅基光波导模块和陶瓷管壳。从激光器芯片出射的发散光束，经准直微透镜整形准直后，再经聚焦微透镜聚焦到硅基光波导芯片端面，耦合进硅基光波导中，经硅基光波导芯片上的光分束器分为两束，一路作为主光路，另一路光路耦合进光电探测器中用于对准调节本发明所提供的激光器与硅基光波导微透镜耦合结构及其制造方法具有对准容差大、耦合效率高、工艺稳定性好等优点，是目前半导体激光器芯片与硅基光无源链路芯片片上集成工艺问题最为行之有效的解决方案。
一种激光器硅基光波导透镜耦合结构及其制造方法

[发明专利]一种高比表面小孔径铝硅基催化材料干燥工艺-CN202210803124.8有效
发明人：郭晓敏;杨永刚;杨智翔;张鑫楠;裴智超;杨德;崔聪 -专利权人：河津市炬华铝业有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B65D25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比表面小孔径铝硅基催化材料干燥工艺，涉及铝硅基催化材料干燥技术领域，解决了现有铝硅基催化材料存在微孔结构单一、孔径小、孔道易堵的问题，所述干燥工艺包括以下步骤：S1.装桶，先将铝硅基催化材料装到存储桶内，然后盖上端盖；S2.对接，先将装有铝硅基催化材料的存储桶拿下，然后再将对接机构组装在端盖上；S3.通风干燥，将热风供给设备与对接机构顶端连通，实现将热风通入存储桶内进行干燥处理，本发明优化现有的干燥操作，将设计的对接机构与存储桶相对接，然后通过热风的导入，实现对存储桶内的铝硅基催化材料干燥处理，与现有的干燥方式相比，省去了将桶内铝硅基催化材料倒入及后续的安装，提高烘干效率。
一种比表面孔径铝硅基催化材料干燥工艺

[发明专利]一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺-CN201710067063.2有效
发明人：孙锦洋 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，包括以下步骤：S1、在完成正面工艺的碳化硅基芯片正面旋涂或喷淋粘胶剂；S2、将碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者将碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行键合；S3、对键合好的碳化硅基芯片完成后续背面工艺；S4、将完成后续背面工艺的碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行分离。本发明使用和碳化硅热膨胀系数相近的高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底作为临时键合载片，不仅对减薄后的碳化硅基芯片提供支撑和保护，更能在高温工艺后不增加翘曲度，从而可以精确控制碳化硅基芯片减薄后的最终厚度和均匀度
一种不易变形碳化硅芯片背面工艺

[发明专利]一种含可聚合官能基与亲水基之十字型硅氧烷高分子及其制备工艺-CN201510496151.5有效
发明人：许千树;吴忠宪;刘懿娴 -专利权人：永胜光学股份有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明提供一种含可聚合官能基与亲水基的十字型硅氧烷高分子及其制备工艺，首先提供末端具硅氢基的十字型硅氧烷，尔后藉由第一硅氢化反应合成含可聚合官能基的十字型硅氧烷小分子，接着藉由开环聚合反应合成含硅氢基的十字型聚硅氧烷高分子，最后藉由第二硅氢化反应合成含可聚合官能基与亲水基的十字型硅氧烷高分子。
一种聚合官能亲水基字型硅氧烷高分子及其制备工艺

[发明专利]一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构-CN202111603506.8在审
发明人：顾峰光;张鹏;郁澄宇;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基扇出型晶圆级封装方法及封装结构，属于集成电路封装领域。提供硅基，在其正面依次成型trench槽、大空腔；研磨硅基的背面使大空腔形成贯通槽；将硅基、埋入芯片采用facedown工艺依次通过临时键合胶固定在塑封载板上；采用塑封工艺将塑封料填充于埋入芯片、硅基空隙及使用贯穿槽解决了现有贴片过程中因凹槽底部硅凸起带来的芯片crack或硅基破片问题；晶圆以硅为基体，能够改善流片过程中存在地翘曲、偏移问题，提高布线密度。
一种硅基扇出型晶圆级封装方法结构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201911053915.8在审
发明人：马大钧;李益诚;梁品筑;赵晟博;颜政雄;陈俊仁;郑培仁;李启弘;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一实施例中，一方法包含：从基底延伸形成第一鳍，基底包含硅，第一鳍包含硅锗；在第一鳍的周围形成隔离区，在形成隔离区期间在第一鳍上形成氧化层；以氢基蚀刻工艺从第一鳍移除氧化层，在氢基蚀刻工艺之后，第一鳍的表面处的硅以氢为尾基；脱附第一鳍的表面处的硅，以将硅去钝化；以及以第一鳍的次表面的锗交换第一鳍的表面处去钝化的硅。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种三维硅基电容器的制作方法-CN200910242766.X有效
发明人：王惠娟;万里兮;吕壵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。
一种三维电容器制作方法

[发明专利]一种硅基陶瓷表面金属化方法-CN201510679841.4在审
发明人：林铁松;何鹏;赵万祺 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：一种硅基陶瓷表面金属化方法，涉及一种陶瓷表面金属化方法。本发明要解决现有技术中硅基陶瓷表面金属化方法复杂，硅基陶瓷表面与合金钎料的相容性差、硅基陶瓷与合金钎料连接界面残余应力高、合金钎料对硅基陶瓷的润湿性差、连接构件与硅基陶瓷连接强度和可靠性低的问题。本发明方法：步骤一：制备Ti-Si合金钎料；步骤二：制备Ti-Si合金钎料薄片；步骤三：硅基陶瓷去氧化层处理；步骤四：硅基陶瓷表面金属化。本发明方法提高硅基陶瓷与合金钎料的相容性，有效的缓解硅基陶瓷接头应力，提高接头强度及可靠性，提高了合金钎料对硅基陶瓷的润湿性，工艺简单，可重复性高，适用范围广。本发明用于硅基陶瓷表面金属化。
一种陶瓷表面金属化方法

[发明专利]一种柔性硅基纳米薄膜热电器件-CN201610263449.6有效
发明人：彭英;苗蕾;王潇漾;刘呈燕 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L35/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种柔性硅基纳米薄膜热电器件，包括柔性玻璃基底，在所述柔性玻璃基底上设置有硅基纳米薄膜热电臂、石墨烯电极、石墨烯涂层，所述硅基纳米薄膜热电臂采用物理气相沉积技术沉积在所述柔性玻璃基底上，所述硅基纳米薄膜热电臂之间采用石墨烯电极进行连接本发明采用柔性玻璃基底，沉积在基底表面的纳米硅基薄膜在制备过程中可以采用高温快速退火工艺，有利于量子点和超晶格的生成，大幅提高硅基纳米薄膜热电性能。
一种柔性纳米薄膜热电器件

[发明专利]一种水解稳定的磷酸基硅氧烷高温质子交换膜及其制备方法-CN201510288500.4有效
发明人：沈春晖;李伟;高山俊;尹珊珊;李慧琳 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C08G77/30 文献下载
摘要：本发明属于燃料电池技术领域，具体涉及一种水解稳定的磷酸基硅氧烷高温质子交换膜及其制备方法。所述质子交换膜通过如下方法制备得到首先将磷酰基乙酸与草酰氯进行酰化反应得到磷酰基酰氯；然后将磷酰基酰氯与氨基硅氧烷发生酰胺化反应得到磷酸基硅氧烷，最后将磷酸基硅氧烷和四乙氧基硅烷共同水解交联并通过溶胶‑凝胶工艺制备成膜。本发明反应条件比较温和，制备工艺简单，制得的质子交换膜中磷酸以C‑P键的形式存在于膜中，具有较好的水解稳定性。
一种水解稳定磷酸基硅氧烷高温质子交换及其制备方法

[发明专利]一种激光器芯片与硅基光电子芯片的耦合对准方法及装置-CN202010857550.0有效
发明人：冯俊波;郭进;赵恒;彭超;胡志朋;肖志雄 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光器芯片与硅基光电子芯片的耦合对准方法及装置，该方法包括：根据波导的位置信息，并利用激光器芯片和硅基光电子芯片工艺过程中的停止层精确确定待形成的凹槽的深度，在激光器芯片上刻蚀出第一凹槽、在硅基光电子芯片上刻蚀出第二凹槽；在转接板上刻蚀出第一凸起和第二凸起，将激光器芯片装配到转接板上，再将上述转接板装配到硅基光电子芯片上；该装置包括转接板，转接板包括本体、第一凸起及第二凸起；第一凸起与激光器芯片连接、第二凸起与硅基光电子芯片连接；本发明基于精密的微纳加工工艺保证了激光器芯片与硅基光电子芯片的精确对准，无需考虑后续的加电和散热等问题，极大降低了封装工艺难度。
一种激光器芯片光电子耦合对准方法装置

[发明专利]一种新型背反射结构硅基薄膜太阳能电池-CN201210185805.9无效
发明人：朱红兵;黄跃龙;王颖;王志强;马云祥;冯燕;贺天太 -专利权人：保定天威薄膜光伏有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型背反射结构硅基薄膜太阳能电池，实现高的短路电流和光电转化效率。新型背反射结构硅基薄膜太阳能电池包含背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透明前基板和封装材料；背反射薄膜至少包含一层银金属薄膜、或者铝金属薄膜、或者铜金属薄膜、或者含有银、铝、铜金属的合金薄膜，背反射薄膜被制备在封装背板上，薄膜可以通过物理或者化学方法制备得到，总的膜厚控制在10纳米到1毫米之间；硅基薄膜电池为所有硅材料和硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。封装背板上的背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池的制备同步独立进行，将封装背板与硅基薄膜电池的透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装。本发明简化了电池制备工艺、同时提高了节拍、增加了产能、降低电池的制备成本。
一种新型反射结构薄膜太阳能电池

[发明专利]一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法-CN201911084206.6有效
发明人：包文中;郭晓娇;张海马;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺技术领域，具体为一种基于全硅基掩膜版的薄膜器件的制备方法。本发明方法包括：设计及制备硅基掩膜版，硅基掩膜版包括镀膜掩膜版、刻蚀掩膜版，掩膜版上设计有对准标记；准备器件基底，包括基底的选材、清洗、预处理；在器件基底上制备半导体薄膜；用高精度对准平台装置将半导体薄膜材料与相应掩膜版对准本发明通过全程硅基掩膜版制备薄膜器件，不仅器件刻蚀无污染、成本和工艺简单，而且硅基掩模版具有较高重复使用性、高精度、设计自由灵活度高等优势，可实现薄膜器件的集成。
一种基于全硅基掩膜版薄膜器件制备方法