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[发明专利]一种低成本稻壳基硅炭材料组合物及制备方法-CN202211187751.X在审
发明人：任亮;甘宏年;王聪;张明耀;秦宜轩 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本稻壳基硅炭材料组合物及制备方法，按重量百分比计，包括以下组分：70‑95%聚乙烯（PE）树脂和30‑5%稻壳基硅炭材料。所述的稻壳基硅炭材料组合物按重量百分比计包括：93‑97%稻壳基硅炭材料和7‑3%硅烷偶联剂。本发明的稻壳基硅炭材料组合物质轻、成本低、具有良好的力学性能和加工性能，用途极为广泛，可用于地膜、一次性餐具、购物袋、垃圾袋和包装材料等领域。本发明制备的稻壳基硅炭材料组合物制备方法简单、生产工艺易于实施，不污染环境。
一种低成本稻壳基硅炭材料组合制备方法

[发明专利]一种三(三烃基硅基)硼酸酯的合成方法-CN201811533206.5在审
发明人：傅人俊;林晓文;郑翔;徐伟文;曲大伟 -专利权人：常熟市常吉化工有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种三(三烃基硅基)硼酸酯的合成方法，向干燥的反应瓶中加入硼酸和三烃基硅基胺，在加热、搅拌和回流冷凝的条件下边反应边蒸出生成的胺，反应液经精密过滤、减压精馏，得到高纯度的三(三烃基硅基)硼酸酯本发明采用硼酸与三烃基硅基胺反应，一方面反应的副产物可以回收循环使用，提高原料利用效率，有效降低废弃物的产生，工艺路线绿色环保；另一方面，硼酸的转化率高，几乎完全转化，反应的收率高，三(三烃基硅基)硼酸酯的产率为90％以上，反应液中三(三烃基硅基)硼酸酯含量高，杂质含量少，反应液粗品经过减压精馏，所得的三(三烃基硅基)硼酸酯纯品的纯度达99.9％以上，符合锂离子电池电解液添加剂的要求。
烃基硅硼酸酯硼酸减压精馏基胺锂离子电池电解液合成原料利用效率工艺路线回流冷凝精密过滤绿色环保反应瓶副产物高纯度产率粗品收率加热废弃物添加剂下边回收转化

[发明专利]一种回刻制备硅基Micro OLED微显示器件PDL的方法-CN202110637776.4在审
发明人：曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛;潘倩倩 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于微显示器件技术领域的回刻制备硅基Mi cro OLED微显示器件PDL的方法，所述的回刻制备硅基Mi cro OLED微显示器件PDL的方法的步骤为：S1.对带有CMOS电路的wafer进行阳极制备工艺；S2.对完成阳极工艺的基板进行PDL成膜工艺；S3.对完成PDL成膜工艺的wafer进行回刻；S4.对完成回刻工艺的基板进行清洗，烘烤，本发明的回刻制备硅基Mi cro OLED微显示器件PDL的方法，步骤简单，PDL材料选择Si N或有机胶，满足无机PDL及有机PDL工艺，在制备过程中，无需采用曝光及显影工艺，在提高良率的同时，极大的提高了生产效率，降低生产成本。
一种刻制备硅基 micro oled 显示器件 pdl 方法

[发明专利]一种硅基负极复合材料及其制备方法-CN201811292204.1在审
发明人：尚伟丽;孔令涌;陈彩凤;羊启发;任望保 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基负极复合材料，包括硅基材料、包覆于硅基材料表面的金属氧化物层和设置在金属氧化物层外部的石墨烯层，石墨烯层表面具有第一孔洞，金属氧化物层和石墨烯层之间具有空腔结构。本发明提供的硅基负极复合材料，由于该空腔结构为硅基材料在充放电过程中的体积膨胀提供了广阔的空间，因此提高了硅基负极复合材料的循环稳定性能。本发明还提供了一种硅基负极复合材料的制备方法，通过石墨烯表面的第一孔洞使酸溶液与初始金属氧化物层接触，并腐蚀掉部分初始金属氧化物层，从而制备空腔结构。本发明提供的制备方法工艺简单，工艺成本低廉。
金属氧化物层硅基负极复合材料空腔结构石墨烯层硅基材料制备孔洞循环稳定性能制备方法工艺充放电过程工艺成本体积膨胀石墨烯酸溶液包覆腐蚀外部

[发明专利]一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法-CN201210418410.9有效
发明人：盛振;王智琪;甘甫烷;武爱民;王曦;邹世昌 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。
一种基于 bcb 工艺混合集成激光器及其制作方法

[发明专利]石墨类材料及工件抗氧化处理技术和应用-CN202011299151.3在审
发明人：周曦东;刘兰英 -专利权人：北京纳斯特克纳米科技有限责任公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供了一种在石墨基体材料及表面制备抗氧化硅基陶瓷涂层的方法，采用超真空浸渗及阶梯式裂解烧结技术，选用特殊的有机硅材料、无机纳米材料在石墨类材料及工件内部和表面形成硅基纳米陶瓷涂层，从而解决石墨材料及工件在高温条件下被氧化腐蚀问题该制备方法所得抗氧化硅基陶瓷涂层的致密性和均匀性好，具有抗热冲击性和良好的高温抗氧化性能；通过调整有机硅材料分子结构组成，渗透镀膜技术工艺参数、真空热处理温度及时间，可以方便控制抗氧化硅基陶瓷涂层表面平整度和厚度；且该制备工艺可实现规模化制备石墨基硅基陶瓷抗氧化涂层，工艺过程相对简单，成本低、重复性好，可以广泛应用于各种石墨材料及工件抗氧化保护领域。
石墨材料工件氧化处理技术应用

[发明专利]一种SOI晶圆的刻蚀方法-CN202211512234.5在审
发明人：刘冲;陈宏;刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：晶圆包括依次层叠的基底层、埋氧化层和半导体顶层；在半导体顶层上形成光刻胶层，并对光刻胶层进行边缘去胶处理；以光刻胶层为掩膜，依次对半导体顶层和所述埋氧化层进行刻蚀，暴露出基底层表面的边缘区域；进行第一次灰化工艺，去除光刻胶层，此时SOI晶圆的表面形成有硅基聚合物副产物；进行第二次灰化工艺，去除硅基聚合物副产物。本发明提供的SOI晶圆的刻蚀方法，在进行常规的第一次灰化工艺去除光刻胶层后，接着进行第二次灰化工艺去除SOI晶圆表面形成的硅基聚合物副产物，解决了现有工艺中在SOI晶圆表面形成硅基聚合物副产物进而影响后续制程良率的问题，提高了刻蚀工艺的品质。
一种 soi 刻蚀方法

[发明专利]抑制取代的环四硅氧烷聚合的稳定剂-CN200410055002.7有效
发明人： S·G·迈奥尔加;萧满超;T·R·加夫尼;R·G·西夫雷特 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明涉及：(a)一种使环四硅氧烷如1，3，5，7－四甲基环四硅氧烷稳定并抑制聚合的方法，其被用于电子材料制造中硅氧化物的化学汽相沉积工艺，该方法包括：向该环四硅氧烷中提供有效量的自由基清除剂阻聚剂；和(b)一种被稳定并抑制聚合的环四硅氧烷如1，3，5，7－四甲基环四硅氧烷的组合物，其作为电子材料制造中硅氧化物的前体被用于化学汽相沉积工艺，该组合物包含：该环四硅氧烷和自由基清除剂阻聚剂。
抑制取代环四硅氧烷聚合稳定剂

[发明专利]一种有机无机复合硅基负极材料及其制备方法、应用-CN202011060271.8在审
发明人：王叶;林少雄;蔡桂凡;毕超奇;王健;陈晨;梁栋栋;刘盛华 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机复合硅基负极材料的制备方法，包括如下步骤：S1、硅基材料经酸洗刻蚀后，与碳源混匀，在惰性氛围中进行碳化得到碳包覆酸刻蚀硅基材料；S2、将碳包覆酸刻蚀硅基材料与混合水溶液混匀，浸泡，然后喷雾干燥得到有机无机复合硅基负极材料，其中，混合水溶液的溶质为十二烷基苯磺酸钠和硅烷偶联剂。本发明还公开了一种有机无机复合硅基负极材料，按照上述有机无机复合硅基负极材料的制备方法制得。本发明还公开了上述有机无机复合硅基负极材料在锂离子电池中应用。本发明工艺简单、性能稳定、成本低、循环性能优异。
一种有机无机复合负极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种新的硅基微纳结构的修饰方法-CN202110769121.2在审
发明人：郑德印;王玮 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数，可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰，弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路，即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。
一种硅基微纳结构修饰方法

[发明专利]一种高保形硅基复合结构的制备方法-CN202310148859.6在审
发明人：贾世星;禹淼;罗冬雪;陈迪;夏燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高保形硅基复合结构的制备方法，属于MEMS工艺技术领域，包括步骤如下：步骤一、在硅衬底表面涂覆正性光刻胶，前烘，形成光刻胶掩膜；步骤二、完成其中一个硅结构图形的曝光、显影、坚膜，干法刻蚀，氧等离子体处理光刻胶表面钝化层；步骤三、重复步骤二，直至完成剩余硅结构图形的制备；步骤四、去除剩余的光刻胶掩膜。本发明基于一次涂胶和多次曝光的技术，能有效缩短工艺步骤，降低工艺难度，实现硅基刻蚀复合深槽结构三维尺度的精确控制。
一种高保形硅基复合结构制备方法

[发明专利]一种Si-Sn-TiC/C/沥青复合材料及其制备方法与应用-CN202211700302.0在审
发明人：何孟军 -专利权人：楚能新能源股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si‑Sn‑TiC/C/沥青复合材料，以及其制备方法与应用，通过在硅基和锡基材料的基础上引入TiC和沥青，很好的改善了硅基和锡基负极材料体积膨胀剧烈、粉化严重等问题，使材料的循环性能和倍率性能都得到一定的改善，提高了硅基和锡基复合材料的电化学性能。并且本发明的制备工艺简单，成本低廉。
一种 si sn tic 沥青复合材料及其制备方法应用

[发明专利]环状二磺酸硅基酯及其制备方法-CN201710882493.X有效
发明人：傅人俊;范伟贞 -专利权人：常熟市常吉化工有限公司;广州天赐高新材料股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种环状二磺酸硅基酯，包括如下结构式：所述制备方法包括如下步骤：将亚甲基二磺酸或通式(Ⅰ)的亚甲基二磺酸盐与通式(Ⅱ)的二烃基二活性官能团硅烷、通式(Ⅲ)的二烃基环硅氧烷或通式(Ⅳ)的二烃基环硅氮烷在溶剂中按一定的摩尔比反应，控制反应的温度和时间，反应结束后，分离去除溶剂和副产物，得到所述环状二磺酸硅基酯。本发明通过特殊的原料选择及合成工艺设计，开创性制备得到具有不同取代基的环状二磺酸硅基酯，能够有效提高锂二次电池的常温、高温循环性能和高温存储性能，降低电池在高温存储过程中的厚度膨胀；其制备方法工艺步骤简单
环状二磺酸硅基酯及其制备方法

[发明专利]一种乙烯基封端聚甲基乙基硅氧烷的制备方法-CN201610308939.3在审
发明人：马德鹏;赵士贵;卢海峰;窦润涛;冯圣玉 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种乙烯基封端聚甲基乙基硅氧烷的制备方法。以甲基乙基环硅氧烷，四甲基四乙烯基环四硅氧烷为反应单体，二乙烯基四甲基二硅氧烷为封端剂，通过选取不同的催化剂及用量，通过开环聚合反应，并在反应中控制反应温度及时间，封端剂用量，中和剂及用量，制备了乙烯基封端聚甲基乙基硅氧烷本发明制备的乙烯基封端聚甲基乙基硅氧烷玻璃化转变温度低，不结晶，且制备工艺简单，反应易控制，可规模化生产。
一种乙烯基封端聚甲基乙基硅氧烷制备方法

[发明专利]一种集成电路元器件的工艺方法-CN201710628361.4有效
发明人：陈大鹏;焦斌斌;孔延梅;刘瑞文;云世昌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路元器件的工艺方法，包括：利用第一晶圆制作第一掺杂类型金属氧化物半导体场效应MOS器件，利用第二晶圆制作第二掺杂类型MOS器件；引出第一掺杂类型MOS器件的源极、漏极及栅极的引线；利用2M工艺纵向引出第二掺杂类型MOS器件各层的源极、漏极、栅极的引线及转接引线；基于所述转接引线，在引线界面利用键合工艺将第一引线及第二引线进行电连接，形成CMOS器件；对引线界面所在的硅基进行背面减薄，并对减薄后的硅基进行深硅刻蚀及金属填充，将CMOS器件的电接口引出至硅基背面，制作引线焊盘。
一种集成电路元器件工艺方法