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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路装置-CN201710888495.X有效
发明人：朴相真;权奇相;白在职;高镛璿;李光旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
集成电路装置

[发明专利]一种金属硅化物基发热材料及其制备方法-CN202010281789.8有效
发明人：刘华臣;李丹;谭健;黄婷;刘冰 -专利权人：湖北中烟工业有限责任公司
申请日： 2020-04-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属硅化物基发热材料及其制备方法，所述金属硅化物基发热材料由Si和其他金属组成，其中基于金属硅化物基发热材料的总重量，Si的占比为30‑45wt％；所述制备方法包括将Si粉和其他金属粉末混合，压制成坯料，并在高温下进行烧结，以得到所述金属硅化物基发热材料。本发明的金属硅化物基发热材料及其制备方法不仅能够满足小型发热体的电学及力学性能的要求，更能较大程度地简化产品的制备工艺，降低生产成本。
一种金属硅化物基发热材料及其制备方法

[发明专利]一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法-CN202010581022.7有效
发明人：刘宇霈;门思成 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件，包含：P型衬底；形成于所述P型衬底上方的轻掺杂N阱；形成于所述轻掺杂N阱上方的自对准金属硅化物；其中，所述轻掺杂N阱邻近所述自对准金属硅化物处包含表面改性区该半导体器件有助于提高沉积金属的均匀性，消除自对准金属硅化物形成过程中的孔洞，从根本上改善击穿电压掉点的问题。本发明同时提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件的制备方法。
一种包含对准金属硅半导体器件及其制备方法

[发明专利]改进的多晶硅－硅化物-CN99101316.6无效
发明人：马赛厄斯·伊尔克;乔纳森·福尔特迈耶;雷德希卡·斯里尼瓦森 -专利权人：西门子公司;国际商业机器公司
申请日： 1999-01-19 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种用于形成一动态随机存取存储器(DRAM)的方法,该DRAM包括一具有多晶硅－硅化物栅的晶体管,此方法包括在衬底上形成一氧化物层;在氧化物层之上形成一多晶硅层;和在多晶硅层之上沉积一金属硅化物层,该金属硅化物层是用掺杂剂就地掺杂的,以减少多晶硅和金属硅化物层之间的富金属界面;和给氧化物,多晶硅和金属硅化物层构图以形成栅。
改进多晶硅化物

[发明专利]完全和均匀地硅化的栅极结构及其形成方法-CN200780045094.2有效
发明人：李伟健;杨海宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：完全和均匀的硅化栅极导体通过采用亚光刻、亚临界尺寸、纳米尺度开口深地“穿孔”硅化物栅极导体而生产。硅化物形成金属(例如钴、钨等)随后被沉积，多晶硅栅极，覆盖其并且填充穿孔。退火步骤将所述多晶硅转换为硅化物。因为深穿孔，与硅化物形成金属接触的多晶硅的表面面积大为增加，超过传统硅化技术，导致所述多晶硅栅极被完全转换为均匀的硅化物成份。
完全均匀栅极结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体激光加工方法-CN202110245825.X在审
发明人：孙德瑞 -专利权人：山东傲天环保科技有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明利用前道工序进行两个硅衬底芯片的混合键合，键合面上包括金属硅化物区，该金属硅化物区与硅材料具有更好的键合效果，且金属硅化物同时充当欧姆接触件和电磁屏蔽层。特别的，金属硅化物区采用激光局部扫描形成，形成的电磁屏蔽层嵌入于硅衬底中，便于键合和保证屏蔽的稳定性。
一种半导体激光加工方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711386306.5有效
发明人：桂珞;朱继光;高剑琴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，衬底上设置有第一钝化层；第一钝化层中设置有一暴露出衬底的凹槽，凹槽中填充有锗层；金属硅化物层，设置在锗层上方；第二钝化层，设置在金属硅化物层上；接触孔，设置在金属硅化物层上方的第二钝化层及部分金属硅化物层中
半导体器件及其制造方法

[发明专利]字线结构及其制造方法-CN201910195655.1有效
发明人：陈麒闵;洪永泰;骆统;杨大弘;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种字线结构，包括：衬底、堆叠结构以及金属硅化物结构。堆叠结构配置在衬底上。金属硅化物结构配置在堆叠结构上。金属硅化物结构包括第一金属元素、第二金属元素以及硅元素。第一金属元素与第二金属元素不同，且第一金属元素的浓度与第二金属元素的浓度自金属硅化物结构的顶面往衬底的方向逐渐减少。
结构及其制造方法

[发明专利]制作快闪存储器件的方法-CN200610098829.5无效
发明人：张民植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在隧道介电层上形成第二多晶硅层和钨硅化物层，从而形成控制栅，钨硅化物层具有过量硅。钨硅化物层的上部被氧化以使过量的硅远离第二多晶硅层和钨硅化物之间的界面。
制作闪存器件方法

[发明专利]制备多硅化物栅极的方法-CN97111174.X无效
发明人：辛和叔;池京求;郑灿旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1997-05-14 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：这里提供一种能使侧壁侵蚀减到最低的制备多硅化物栅极的方法。按此法首先在一个半导体衬底上依先后次序制备一层栅绝缘膜，一层多晶硅膜，和一层硅化物膜。而在硅化物膜上制备一掩模层。随后用一种氯氧混合气蚀刻硅化物膜和多晶硅膜。此处氧气最好包含蚀刻气体总量的10％到30％。
制备多硅化物栅极方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201010119463.1有效
发明人：中山知士;笠间佳子;藤仓荣一;菊池敦志 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括：通过干法蚀刻去除在含Ni硅化物层上表面形成的绝缘层，由此使含Ni硅化物层至少部分地露出；以及使用具有还原作用的还原水清洗含Ni硅化物层的露出部。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910782648.1在审
发明人：宋炫升;李斗铉;李允逸;张在兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源鳍；栅结构，在第二方向上延伸以与有源鳍相交；有源鳍上的源/漏区；源/漏区上的金属硅化物层；金属硅化物层上的填充绝缘部分，填充绝缘部分具有与金属硅化物层的一部分相连接的接触孔；金属硅化物层与填充绝缘部分之间的保护阻挡层；以及接触孔中的接触插塞，电连接到金属硅化物层的所述部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202310061377.7在审
发明人：安浚赫;金孝燮;朴素贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：第一硅化物层设置在第一接触层的两个侧壁上。掩埋绝缘层在第一接触层和第一硅化物层的侧面处掩埋在接触孔中。第二硅化物层设置在额外焊盘层的上表面和侧壁上。第二接触层在掩埋绝缘层和第二硅化物层上，并且与第二硅化物层直接接触。
半导体装置

[发明专利]使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件-CN201310371406.6有效
发明人： J·S·纽伯里;K·P·罗德贝尔;章贞;朱煜 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。
使用快速退火 sige 形成均匀 ni pt si ge 接触方法器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710146683.1无效
发明人：舟瀬谕志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够稳定形成低电阻的硅化物膜的半导体装置的制造方法。首先，以在硅基板(11)表面上露出硅化物形成区域的状态，在基板上形成金属膜(17)。然后，在高于大气压的压力下，对形成有金属膜(17)的基板(11)进行热处理，使上述硅化物形成区域含有的硅与上述金属膜(17)反应，由此形成硅化物膜(18a、18b)。然后，在该热处理中，除去未反应的金属膜后，通过热处理发生结晶相转移，对基板上形成的硅化物膜(18a、18b)进行低电阻化处理。
半导体装置制造方法

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