“砷膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果911950个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]含砷废水制备三氧化二砷的合成方法-CN201210547353.4有效
发明人：陈建华;吴凤洁;詹峰;董鑫;黄云奇;陈仁尔 -专利权人：浙江荣耀化工有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以3-硝基-4-羟基苯胂酸废水为原料制备三氧化二砷的合成方法：将含砷废水经过调节pH值、保安过滤等预处理后进入膜实验装置料液循环罐，截留高含量含砷废水。将获得的高含量含砷废水用碱调节废水PH为10～12，加入还原剂A将五价砷还原为三价砷，反应温度控制在40～80℃，反应时间6～10小时。反应时产生的尾气经过反应吸收塔对尾气进行吸收。反应结束后，反应液采用三效浓缩器对其进行浓缩，浓缩液浓缩至总体积的1/4，浓缩液用酸调节PH值，搅拌缓慢冷却至40℃结晶过滤，获得三氧化二砷粉末。本发明以废水为原料制备三氧化二砷的合成方法流程简单，原料投入低，成本低，不产生废物，环境友好。
废水制备氧化合成方法

[发明专利]一种硫铁矿制酸清洁生产工艺-CN201010166414.3无效
发明人：许晓光;余茂宽;程小苗 -专利权人：安徽祥源安全环境科学技术有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C01B17/765 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫铁矿制酸清洁生产工艺，包括焙烧、余热发电、常规除尘、液相收砷及硫酸转化步骤，a、在烧步骤中，控制空气过剩系数为1.0-1.2，焙烧时间为35-45min，焙烧温度950-1000℃；b、在常规除尘步骤后，依次增加高效耐高温硬式表面除尘器、放大冷却收砷器和陶瓷膜收砷器；c、在液相收砷步骤中，将洗涤器和泡沫塔中使用的洗涤液和吸收液均采用浓度为5％的硫酸。本发明的优点在于：本发明烟气中As2O3的回收率可以达到99％以上；焙烧残渣砷含量小于0.07％，可磁选出合格铁精矿粉，不会造成二次污染；湿法收砷液拌料循环使用，彻底解决硫铁矿制酸装置砷污染问题。
一种硫铁矿清洁生产工艺

[发明专利]一种覆盖有砷氧化物薄膜的血管支架及其制备方法-CN200510010462.2无效
发明人：郑玉峰;王鹏;成艳;李超;李春江 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： A61F2/06 文献下载
摘要：一种覆盖有砷氧化物薄膜的血管支架及其制备方法，涉及一种药物涂层支架及其制备方法。现有血管支架存在药物涂层与支架结合不够紧密以及薄膜易脱落及弹性较差的问题。一种覆盖有砷氧化物薄膜的血管支架，其药物涂层只有砷的氧化物薄膜层。一种覆盖有砷氧化物薄膜的血管支架的制备方法，它依次包括用分子束外延在支架上生长砷膜和将镀膜后的支架置于空气中自然氧化的步骤；另一种制备方法依次包括用蒸发镀膜的方法在支架表面镀砷和将镀膜后的支架置于空气中自然氧化的步骤
一种覆盖氧化物薄膜血管支架及其制备方法

[发明专利]一种空间用柔性砷化镓太阳电池制备方法-CN202011450238.6有效
发明人：铁剑锐;李晓东;肖志斌;杜永超;许军;孙希鹏;梁存宝;王鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种空间用柔性砷化镓太阳电池制备方法，包括：在外延片背面蒸镀下电极，在受光面光刻出开槽区域，在绝缘区域上制备绝缘层，光刻出上下电极焊点，蒸镀上电极；再蒸镀减反射膜，光刻出焊点区域，去除焊点区域的减反射膜，最终划片得到空间用柔性砷化镓太阳电池。本发明的有益效果是有效的解决柔性砷化镓太阳电池在焊接时会出现短路问题，若焊接工艺采用地面常用的导电胶粘接工艺，电池焊接的可靠性又远低于阻熔焊的问题。
一种空间柔性砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03803048.9无效
发明人：岩崎富生;石塚典男;三浦英生 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-02-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于10²⁶原子/m³、小于等于10²⁷原子/m³的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种饮用水除砷方法与系统-CN201010279926.0无效
发明人：徐栋;巨志剑;苏君博;畅显涛 -专利权人：中国市政工程西北设计研究院有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：一种饮用水除砷方法，步骤是1、原水在进水管道上投加液氯后进入配水井，液氯的加入量以配水井出水余氯量在1.40～1.60mg/L；将原水中三价砷氧化成五价砷；2、配水井稳压后分配至后端的混凝沉淀池，在混凝沉淀池进水管道投加10mg Fe/L的FeCL3，并在混凝沉淀池内停留15～20min；混凝沉淀池出水进入过滤池；3、过滤池出水进入储水箱，储水箱出水送往超滤膜组件，超滤膜组件的出水送入反渗透膜组件；4、反渗透膜组件的出水收集送入产水箱，产水箱部分出水送往膜组件，其余出水进入清水池。它具有除砷彻底、去除效率高、安全可靠等优点，完全能满足我国现行生活饮用水卫生标准＜0.01mgAs/L的要求，能有效去除水中的微量悬浮物、细菌、病毒。
一种饮用水方法系统

[发明专利]一种生物传感器-CN201810793931.X有效
发明人：徐斐;袁敏;叶泰;于劲松;曹慧 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于检测砷(Ⅲ)的生物传感器。通过在石英晶体微天平(QCM)金电极表面自组装形成巯基乙胺分子膜捕捉亚砷酸根离子，利用寡聚核苷酸适配体与亚砷酸根离子之间的特异性结合能力，构建一种能够高灵敏检测亚砷(Ⅲ)酸盐的压电传感体系。基于QCM电极的频率信号变化与亚砷酸盐浓度成正比，则通过确定电极的频率信号实现亚砷(Ⅲ)酸盐的定量检测。
一种生物传感器

[发明专利]一种生物传感器及检测方法-CN201810793952.1有效
发明人：徐斐;袁敏;叶泰;于劲松;曹慧 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于检测砷(Ⅲ)的生物传感器。通过在石英晶体微天平(QCM)金电极表面自组装形成巯基乙胺分子膜捕捉亚砷酸根离子，利用寡聚核苷酸适配体与亚砷酸根离子之间的特异性结合能力，构建一种能够高灵敏检测亚砷(Ⅲ)酸盐的压电传感体系。基于QCM电极的频率信号变化与亚砷酸盐浓度成正比，则通过确定电极的频率信号实现亚砷(Ⅲ)酸盐的定量检测。
一种生物传感器检测方法

[发明专利]一种用于制备太阳能电池的衬底及其加工方法-CN201810545751.X在审
发明人：刘桂勇;杨涛;宋士佳;李琳琳 -专利权人：东泰高科装备科技(北京)有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备太阳能电池的衬底，在砷化镓衬底的背面沉积至少一层保护膜，所述保护膜的材质为氮化硅或氮化碳。本发明还提出制备所述衬底的加工方法。本发明采用氮化硅薄膜保护砷化镓衬底背面，延长了衬底的重复使用次数，降低了衬底在加工过程中的破损风险，大大地降低了电池的制造成本。
衬底保护膜砷化镓制备氮化硅薄膜太阳能电池衬底背面制造成本氮化硅氮化碳沉积破损背面电池加工

[实用新型]一种用于制备太阳能电池的衬底-CN201820800732.2有效
发明人：刘桂勇;杨涛;宋士佳;李琳琳 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制备太阳能电池的衬底，是在砷化镓衬底的背面沉积至少一层保护膜，所述保护膜的材质为氮化硅或氮化碳。本实用新型采用氮化硅薄膜保护砷化镓衬底背面，延长了衬底的重复使用次数，降低了衬底在加工过程中的破损风险，大大地降低了电池的制造成本。
衬底太阳能电池保护膜砷化镓制备本实用新型氮化硅薄膜衬底背面制造成本氮化硅氮化碳沉积破损背面电池

[发明专利]砷化镓电池外延结构及其制备方法-CN201811425935.9在审
发明人：罗轶 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓电池外延结构及其制备方法。该砷化镓电池外延结构包括衬底和设置在衬底上的牺牲层和电池层，牺牲层和电池层沿远离衬底的方向依次叠置，牺牲层包括叠层单元，叠层单元包括能被湿法腐蚀液腐蚀的膜层和夹设在膜层中的不能被湿法腐蚀液腐蚀的量子点层该砷化镓电池外延结构，通过设置中间夹层为不能被湿法腐蚀液腐蚀的砷化物量子点层的三明治结构的牺牲层，在湿法腐蚀剥离衬底时，砷化物量子点能通过搅拌腐蚀液整体剥离，以在原来量子点所在位置留下孔洞，孔洞能使腐蚀液与附近未腐蚀的砷化铝层接触面积增大
砷化镓电池外延结构及其制备方法

[发明专利]一种南极磷虾的脱砷和保鲜处理方法-CN201810903852.X有效
发明人：梅光明;丁国芳;陈思;何鹏飞 -专利权人：浙江省海洋水产研究所
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： A23B4/10 文献下载
摘要：本发明涉及南极磷虾保藏技术领域，具体涉及一种南极磷虾的脱砷和保鲜处理方法，将南极磷虾置于煅烧贝壳粉的水悬浮体系中施加高压脉冲电场浸泡，煅烧贝壳粉由贝壳粉与碳酸钠粉共混在1100～1300℃煅烧制成，并可经岩藻聚糖硫酸酯进一步改性，然后将南极磷虾置于保鲜溶剂中浸泡，保鲜溶剂由依次顺序使用的第一溶剂、第二溶剂和第三溶剂组成，第一溶剂形成亲水保鲜膜、第三溶剂形成保鲜疏水油膜、第二溶剂形成连接两者的两性保水膜。本发明的南极磷虾的脱砷和保鲜同时进行，脱砷率可达40%～50%；南极磷虾低温冷藏2周后仍保持较好的品质，而且脱砷保鲜的条件较为温和，工艺简洁，所用试剂多为天然或天然改性物质，安全无害。
一种南极磷虾保鲜处理方法

[实用新型]一种超耐磨环保铜箔-CN201820011660.3有效
发明人：徐静 -专利权人：江西宏业铜箔有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超耐磨环保铜箔，包括离形层、无砷无铬环保铜箔、真空层、第二铜箔母线，所述离形层的底部设置有胶膜，所述胶膜的下方设置有第一绝缘膜，所述第一绝缘膜的下方设置有所述无砷无铬环保铜箔，所述无砷无铬环保铜箔的下方设置有第一铜箔母线有益效果在于：本实用新型更加环保，通过多重保护层增加耐磨性能，内部设置真空层减小了受到挤压时候受到的冲击力，从而能够保护好无砷无铬环保铜箔，材料更加环保。
铜箔母线环保本实用新型超耐磨绝缘膜离形层连接孔真空层胶膜多重保护层侧面设置耐磨性能内部设置外部设置保护罩减小冲击力挤压

[实用新型]砷化镓电池外延结构-CN201821965920.7有效
发明人：罗轶 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型提供一种砷化镓电池外延结构。该砷化镓电池外延结构包括衬底和设置在衬底上的牺牲层和电池层，牺牲层和电池层沿远离衬底的方向依次叠置，牺牲层包括叠层单元，叠层单元包括能被湿法腐蚀液腐蚀的膜层和夹设在膜层中的不能被湿法腐蚀液腐蚀的量子点层该砷化镓电池外延结构，通过设置中间夹层为不能被湿法腐蚀液腐蚀的砷化物量子点层的三明治结构的牺牲层，在湿法腐蚀剥离衬底时，砷化物量子点能通过搅拌腐蚀液整体剥离，以在原来量子点所在位置留下孔洞，孔洞能使腐蚀液与附近未腐蚀的砷化铝层接触面积增大
湿法腐蚀牺牲层砷化镓电池外延结构腐蚀衬底孔洞量子点层电池层腐蚀液量子点砷化物叠层膜层本实用新型三明治结构面积增大砷化铝层中间夹层剥离衬叠置剥离

[发明专利]半导体器件、其制造方法及其评估方法-CN200610168911.0有效
发明人：山内庄一;柴田巧;山冈智则;野上彰二 -专利权人：株式会社电装;株式会社上睦可
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括如下步骤：在硅衬底(1、40)上形成第一外延膜(2、41)；在第一外延膜(2、41)中形成沟槽(4、43)；并且在第一外延膜(2、41)上和在沟槽(4、43)中形成第二外延膜形成第二外延膜(23、44、45)的步骤包括最后的步骤，其中使用硅源气体和卤化物气体的混合气体。硅衬底(1、40)具有被定义为α的砷浓度，第二外延膜(23、44、45)具有被定义为β的杂质浓度。砷浓度和杂质浓度具有如下关系：α≤3×10¹⁹×ln(β)－1×10²¹。
半导体器件制造方法及其评估