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[发明专利]一种非晶硒合金膜的制备方法-CN201410602951.6在审
发明人：王耀斌 -专利权人：陕西盛迈石油有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种非晶硒合金膜的制备方法，属于电子工艺领域。将高纯度的固态硒和砷按一定质量比称量好，装入预先清洗烘干后的石英管中；与分子泵连接抽真空5×10^-4Pa以上，维持数小时后封管，使得硒、砷真空密封于石英管中；然后放入恒温炉中加热，使Se、As充分反应，形成均匀的液态合金；从高温炉中取出后，用室温水淬火，形成完全非晶化的块状合金；将上述合金放入蒸镀设备进行蒸镀后成膜。通过对生产流程工艺的定量测试，所得出的制备方法所制备的膜非晶化程度高，厚度最大为90μm，厚度分布比较均匀，相对误差在10%以内，制备的膜满足光电转换膜的特性要求，本发明所述非晶硒合金膜的制备方法操作简单易于推广
一种非晶硒合金制备方法

[发明专利]一种去除镓铝砷材料表面金层的方法-CN200810136632.5有效
发明人：叶建青;何民华;周力;万金平 -专利权人：南昌欣磊光电科技有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：一种去除镓铝砷材料表面金层的方法，其特征是质量为在含有碘的碘化钾或碘化铵溶液中加入体积比在20％-35％的浓硝酸，混合后用于去除镓铝砷三元混晶材料表面的金层。本发明的技术效果是：容易实施，无剧毒，性能稳定可靠，可在去除金层的同时在半导体材料表面形成轻微钝化膜，有利于减缓试剂对材料表面的损伤。
一种去除镓铝砷材料表面方法

[发明专利]一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法-CN201410355102.5有效
发明人：陈亮;杨凯;马祥柱;白继锋;陈宝;李忠辉 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，先制成发光二极管外延片，并在外延片上制作一全反射镜结构层；将具有全反射镜结构层的外延片与永久衬底通过一金属粘结层键合；经去除临时衬底、缓冲层、阻挡层和ｎ型砷化镓层，将第一粗化层表面粗化；在第一粗化层和ｎ型砷化镓欧姆接触层上制作图案化的扩展电极；以掩膜保护已有的图案化扩展电极，将掩膜保护层以外区域的第一粗化层和ｎ型砷化镓欧姆接触层去除，并将第二粗化层粗化；主电极形成于第二粗化层上本发明利用粗化外延层结构和掩膜保护，提高了电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，极大地提升了产品的质量和良率。
一种极性 algainp 发光二极管及其制造方法

[发明专利]硫族化物材料、可变电阻存储器件和电子设备-CN202010711127.X在审
发明人：郑光先;潘尚炫;安俊九;李范锡;李泳昊;李禹太;李钟豪;张桓埈;赵性来;曹艺天;黄旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素
硫族化物材料可变电阻存储器件电子设备

[发明专利]一种适用于赣江流域镉砷复合污染耕地的长效性修复材料-CN202211158216.1在审
发明人：佘俊;张剑宇;周林 -专利权人：江苏精炜新材料有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明涉及重金属污染土壤修复的技术领域，尤其是涉及一种适用于赣江流域镉砷复合污染耕地的长效性修复材料。其包括长效修复颗粒和若干生物可降解膜囊，若干所述生物可降解膜囊自内而外依次设置，所述生物可降解膜囊的内表面和外表面均粘附有长效修复颗粒，所述长效修复颗粒包括如下重量份的组分：生物炭8‑12份、铁盐和/或亚铁盐本申请的修复材料在长期用于修复镉砷复合污染耕地后，能够减少耕地发生二次污染，随着若干层生物可降解膜囊的依次破裂，长效修复颗粒逐步释放到土壤中，使得本申请的修复材料具有更加长效的修复效果。
一种适用于赣江流域复合污染耕地长效修复材料

[发明专利]一种砷化镓太阳能电池的制备方法-CN202210378999.8有效
发明人：肖祖峰;黄嘉明;黄嘉敬;丁亮;梁福盛;黄滔 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓太阳能电池的制备方法，具体包括以腐蚀溶液对外延片进行腐蚀；外延片包括依次形成的砷化镓太阳能电池片、正面电极和减反膜；外延片远离减反膜的一侧表面附着有金属化合物薄层；对外延片进行腐蚀时，腐蚀的区域包括金属化合物薄层以及覆盖正面电极部分的减反膜；按体积份计，腐蚀溶液的制备原料包括2份的硝酸、0.5～1份的氢氟酸、7.5～8份的冰醋酸和1份的水。本发明提供的制备方法能够通过一轮腐蚀，即实现正面电极部位减反膜的腐蚀，以及背面杂乱的金属化合物薄层的腐蚀，节约了流程，节省了成本，提升了芯片的良率。
一种砷化镓太阳能电池制备方法

[发明专利]环境空气中痕量砷的富集新材料-CN201811042231.3在审
发明人：张巍;张勇;贾伟青 -专利权人：天津市光复科技发展有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： B01D71/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种环境空气中痕量砷的富集新材料，包括以下内容⑴Na₂CO₃‑甘油浸渍液制备，按Na₂CO₃，甘油，水分别加入，经搅拌溶解定容；⑵滤膜制备：①将长条状醋酸纤维膜，在上述浸渍液，浸渍约1h；②取出浸渍后的膜条，室温下晾干；③压平，用切割器切成圆片，密封保存，制成检测用滤膜，备用。本发明中采集富集后的滤膜可直接在测砷器中消解，省掉蒸发，赶酸，蒸干，洗涤诸多操作，简化了后处理程序，再还原，进而进行测定，无二次污染。
富集滤膜浸渍环境空气甘油痕量醋酸纤维膜浸渍液制备无二次污染后处理搅拌溶解密封保存晾干长条状成圆片浸渍液切割器定容赶酸膜条压平蒸干制备洗涤备用还原消解蒸发取出采集检测

[实用新型]一种柔性薄膜太阳能电池-CN201820800786.9有效
发明人：乔秀梅 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种柔性薄膜太阳能电池，包括前面电极，减反射膜，石墨烯薄膜层，n型二维过渡金属硫族化合物薄膜，p型砷化镓薄膜层，背场层，背面电极，柔性支撑衬底；从柔性支撑衬底向上，依次设置背面电极、背场层、p型砷化镓薄膜层、n型二维过渡金属硫族化合物薄膜、石墨烯薄膜层、减反射膜和前面电极；所述n型二维过渡金属硫族化合物薄膜具有单层或多层结构。本实用新型提出的柔性薄膜太阳能电池，采用二维过渡金属硫族化合物薄膜和砷化镓薄膜形成异质结，有利于展宽太阳能光谱的吸收，提高效率，且单层的二维过渡金属硫族化合物薄膜和GaAs均为直接带隙材料，相比间接带隙更利于光的吸收
过渡金属硫族化合物二维薄膜柔性薄膜太阳能电池砷化镓薄膜石墨烯薄膜层本实用新型背面电极减反射膜柔性支撑背场层电极衬底单层直接带隙材料太阳能光谱多层结构间接带隙依次设置异质结吸收

[发明专利]一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法-CN201210495408.1有效
发明人：程伟;王元;高汉超 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化的方法，其主要步骤如下：光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极金属；以发射极金属为掩膜，利用湿法腐蚀工艺腐蚀掉发射区；淀积介质薄膜以保护住基区材料；光刻基极图形，以基极图形的光刻胶为掩膜刻蚀掉基极上方的介质薄膜；蒸发金属并剥离形成基极金属；以基极金属和发射极金属为掩膜，利用干法刻蚀工艺刻蚀掉器件周围的介质薄膜。该方法的优点是：整个工艺过程中基区材料不会与显影液直接接触，避免了基区材料（镓砷锑）被显影液腐蚀，从而有效保护基区材料。
一种实现镓砷锑双异质结双极型晶体管基极金属化方法

[发明专利]用于塑封的砷化镓芯片钝化方法-CN01113733.9无效
发明人：李拂晓;蒋幼泉;徐筏乐;钮利荣;杨乃彬;邵凯 -专利权人：信息产业部电子第五十五研究所
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明为提高砷化镓塑封芯片抗外界潮热环境可靠性提供一种用于塑封的砷化镓芯片钝化方法，该方法的核心由两部分组成，一是低应力氮化硅(Si₃N₄)膜生长，二是高可靠缓冲膜聚酰亚胺两次介质钝化为：第一次保护介质生长在完成栅制作后立即进行；第二次保护介质生长的目的是对除压点以外的芯片再进行一次介质保护；第二次钝化完成后，引入PPI材料作第三次钝化，第三次钝化膜用作塑封料和芯片之间的应力匹配缓冲层
用于塑封砷化镓芯片钝化方法

[发明专利]一种激光驱动的可变形反射镜-CN200710051951.1无效
发明人：向东;王青玲;郑安寿;汤型正;韩艳玲;罗中杰 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G02B26/06 文献下载
摘要：一种激光驱动的可变形反射镜，其特征在于：它由感光底层(5)、支撑柱(6)、镜面组成；感光底层(5)由光敏材料砷化镓半导体晶片构成，光敏材料砷化镓半导体晶片的下表面为ZnO层；镜面由聚酯薄膜(7)、铝膜(8)构成，聚酯薄膜(7)的上表面镀有一层铝膜(8)；感光底层(5)的上表面沉淀有栅格状的支撑柱(6)，支撑柱(6)的上端面与镜面的聚酯薄膜下表面相胶粘；镜面的铝膜(8)、感光底层(5)的ZnO层分别由导线与电压源
一种激光驱动变形反射

[发明专利]一种熔融结晶法制备电子级磷酸的方法-CN201810283633.6在审
发明人：燕立波;燕立兵;王丽 -专利权人：安徽赛诺制药有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C01B25/234 文献下载
摘要：本发明涉及制备电子级磷酸技术领域，具体涉及一种熔融结晶法制备电子级磷酸的方法，其步骤如下：预处理、挂膜、结晶、发汗和清洗；本发明在制备电子级磷酸预处理过程中，先向工业磷酸中先加入五硫化二磷和活性炭粉末反应一段时间后进行抽滤，再加入双氧水进行过滤得到磷酸溶液，五硫化二磷会被水解为磷酸和硫化氢，硫化氢，硫化氢与工业磷酸中存在砷酸或亚砷酸在反应器中反应会生成硫化砷沉淀，再经过滤分离，从而达到脱砷目的；加入的活性炭粉末具有很大的比表面积，对有硫化氢气体具有良好的吸附能力，从而有利于提高脱砷的速率，缩短了电子级磷酸的制备时间，同时活性炭粉末也能吸附一些杂志，与双氧水共同作用也能对工业磷酸进行脱色。
电子级磷酸硫化氢活性炭粉末工业磷酸制备双氧水五硫化二磷熔融结晶脱砷预处理硫化氢气体预处理过程脱色磷酸溶液吸附能力反应器硫化砷亚砷酸磷酸抽滤发汗挂膜砷酸水解吸附沉淀过滤清洗

[发明专利]一种用于砷污染的土壤净化设备-CN201610602497.3在审
发明人：崔晓辉 -专利权人：崔晓辉
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B09C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于砷污染的土壤净化设备，包括砷污染处理井、固定化微生物球、磁场发生装置、水泵和喷水管，所述砷污染处理井从外到内依次为砂石层、人工基质层、固定化微生物层和透水层，所述人工基质层是由活性氧化铝与石灰石组成，所述磁场发生装置包括螺旋线圈、变压器和电源，所述螺旋线圈缠绕在固定化微生物层的外围，螺旋线圈与变压器电联，变压器与电源电联，所述透水层是由膜组件组成，在透水层中间设有水井，所述水井内连接有抽水管，所述抽水管连接水泵本发明不仅能够去除土壤中的砷，而且实现了水的循环使用。
一种用于污染土壤净化设备

[发明专利]n⁺/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法-CN200510105262.5无效
发明人：白一鸣;陈诺夫;梁平;孙红;胡颖;王晓东 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种n⁺/p型砷化镓太阳电池表面高透射率窗口层锌硒硫的制备方法，包括如下步骤：以p型砷化镓或锗单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延生长技术，生长n⁺/p型太阳电池外延片，外延至顶电池的发射区层；在发射区层上外延一层锌硒硫材料作为窗口层；在窗口层上外延高掺杂的砷化镓帽子层，完成电池外延片的制备；在外延片的上面蒸镀金锗镍/金正电极，在外延片底层高掺杂的砷化镓上面制作钛/金背电极；腐蚀帽子层、合金、蒸镀减反射膜、腐蚀台面、对电池组件进行封装，安装聚光装置、冷却装置及对日跟踪装置，完成电池的制作。
sup gaas 太阳电池表面透射率窗口制备方法

[发明专利]形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法-CN01136893.4无效
发明人：方高瞻;肖建伟;马骁宇;王晓薇;冯小明;刘斌;刘媛媛 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2001-11-06 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本发明一种形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤(1)利用高温二氧化硅膜对有源区的压应力，在镓砷/铝镓砷激光二极管的前后腔面处形成非吸收窗口区，两窗口区的中间部分为注入区
形成铝镓砷激光二极管吸收窗口方法