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[发明专利]热固性树脂组合物、预浸渍体、层叠板、覆金属层叠板、印刷电路板及高速通信兼容模块-CN202180089458.7在审
发明人：森田高示;下川谅;土川信次;春日圭一;林千寻;岩崎富生 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B32B27/20 文献下载
摘要：本发明提供一种热固性树脂组合物，其含有(a)具有至少1个N‑取代马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物、以及(b)以下述通式(1)表示并且对所述(a)成分所具有的马来酰亚胺基不显示反应性的化合物而成。(Xb1表示单键或者取代或未取代的碳数1～5的脂肪族烃基。Rb1及Rb2各自独立地表示取代或未取代的碳数1～10的脂肪族烃基、取代或未取代的成环碳数6～18的芳香族烃基、取代或未取代的成环原子数5～20的杂环式芳香族烃基、含有氧原子的基团、或包含它们的组合的基团。m及n各自独立地为0～5的整数。)
热固性树脂组合浸渍层叠金属印刷电路板高速通信兼容模块

[发明专利]叠层体、金属镀敷液和叠层体的制造方法-CN202080099280.X在审
发明人：青柳拓也;兼元大;岩崎富生;川村利则;铃木齐 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2020-10-07 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不含6价铬的、耐腐蚀性和耐磨损性优异的叠层体以及叠层体的制造方法。为了解决上述技术问题，本发明所涉及的叠层体的特征在于：包括基材和将两层以上的金属覆膜叠层而成的覆膜叠层部，在相邻的金属覆膜之间具有界面层，覆膜叠层部含有第一金属元素和第二金属元素，该第一金属元素以Ni、Cr、Co、W中的至少一种元素为主要成分，该第二金属元素是内聚能比第一金属元素小的金属元素，界面层所含的第二金属元素的含有比大于相邻的金属覆膜所含的第二金属元素的含有比。
叠层体金属镀敷液制造方法

[发明专利]与树脂密合性优异的肽以及使用其的生物相容性功能材料-CN202080026945.4有效
发明人： 岩崎富生;丸山优史;芹泽武;泽田敏树 -专利权人：株式会社日立制作所;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： A61L15/22 文献下载
摘要：本发明提供吸附与树脂密合性高的难以从树脂表面剥离的肽而提高生物相容性的生物相容性材料、以及具有其的功能性材料。生物相容性材料(10)包含树脂(1)和吸附于树脂(1)的肽(2)，树脂(1)具有甲氧羰基和甲基，肽(2)中氨基酸残基的70％以上为色氨酸残基或精氨酸残基，或者，树脂(1)为氟树脂，肽(2)为氨基酸残基的40％以上为2,3,4,5,6‑五氟苯丙氨酸残基、3‑(三氟甲基)丙氨酸残基、丝氨酸残基、苏氨酸残基、组氨酸残基、天冬氨酸残基、谷氨酸残基、苯丙氨酸残基或天冬氨酸残基。功能性材料包含生物相容性材料(10)和功能性物质，功能性物质保持在生物相容性材料(10)表面或者从生物相容性材料(10)表面放出。
树脂密合性优异以及使用生物相容性功能材料

[发明专利]合金及构件-CN202180005068.7在审
发明人： 岩崎富生;白鸟浩史;木村达哉;小関秀峰 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种对处于熔融状态的铝合金等具备耐性的合金。所述合金包含Nb及Mo作为第一元素群，包含Ta、W、Ti、Hf及Zr中的至少一种作为第二元素群，并且当第一元素群与第二元素群的元素的合计设为100at.％时，所包含的元素的含有范围为5at.％～35at.％，所述合金相对于Al、Cu及Zn中的至少一种而言的晶格失配为13％以上，并且具有位错的迁移势垒能量为310kJ/mol以上的耐性。
合金构件

[发明专利]锂离子二次电池-CN201280073556.2有效
发明人： 岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供锂离子二次电池，其中，在正极及负极的至少一方中，使活性物质粘结在集电体上的粘合剂含有由具有苯环的树脂构成的基础材料和选自由萘、蒽及丁省以及它们的衍生物构成的组中的聚并苯添加剂，且该活性物质为碳质材料，或为晶体结构中的最接近的氧间距离为0.19～0.29nm的含锂复合氧化物。根据本发明的锂离子二次电池的构成，在其制造时，粘合剂在活性物质上的附着引入到活性物质的晶体结构中的最密晶面中，因此，能够降低起因于粘合剂的活性物质中的锂离子的出入的阻碍。
锂离子二次电池

[发明专利]轧制铜箔及使用该轧制铜箔的锂离子二次电池负极-CN201210039794.3无效
发明人：泽井祥束;岩崎富生 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种轧制铜箔及使用该轧制铜箔的锂离子二次电池负极，所述轧制铜箔不仅具有高强度、高耐热性、高导电率和良好的加工性等，而且在铜箔表面上不实施利用电沉积粒的镀敷等的粗糙化处理而与负极活性物质层中所含的树脂的密合性高。所述轧制铜箔的特征在于，具有以Cu为主成分、含有包含1种或2种以上的原子半径比Cu小的元素的添加元素A和不可避免的杂质的铜合金组成，将(构成所述添加元素A的各添加元素与Cu的原子半径之差)×(各添加元素的原子％)的总和作为添加元素A所引起的原子间距的变化量时，该原子间距的变化量为-0.002皮米(pm)以下，且将所述铜合金组成的总量作为100重量份时，所述添加元素A的总量为1.0重量％以下。
轧制铜箔使用锂离子二次电池负极

[发明专利]轧制铜箔及其制造方法、使用其的锂离子二次电池负极-CN201210082186.0无效
发明人：泽井祥束;关聪至;岩崎富生 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供轧制铜箔及其制造方法、以及使用其的锂离子二次电池负极，该轧制铜箔不仅具有高强度、高耐热性、高导电率和良好的加工性，而且在对铜箔表面不实施利用电沉积粒的镀敷等的粗化处理的情况下，与包含在负极活性物质层中的树脂之间的密合性高。该轧制铜箔的特征在于，含有Cr，优选含有0.20～0.40重量％的Cr，并且以在将各构成元素的(原子半径)×(原子％)的总和作为全部构成元素的平均原子半径时，该平均原子半径小于Cu的原子半径的比例含有具有提高强度和/或耐热性的功能的元素(但Cr除外)，优选含有选自由Ag、Sn、In、Ti、Zr组成的元素组中的元素的1种或2种以上，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成。
轧制铜箔及其制造方法使用锂离子二次电池负极

[发明专利]锂离子二次电池集电体用轧制铜箔-CN201110199577.6无效
发明人：泽井祥束;岩崎富生 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池集电体用轧制铜箔，可提高与树脂的密合性。该锂离子二次电池集电体用轧制铜箔具有以铜为主成分且含有选自Cr、Zr、Sn、Mg、Ag、Fe、Co、Ni、Zn、Ti、Si、B、Bi、Sb和Mn中的1种以上添加元素及不可避免的杂质的铜合金组成，通过X射线衍射2θ/θ测定得到的铜晶体的{220}Cu方向的衍射峰强度I{220}与{200}Cu方向的衍射峰强度I{200}之比为I{220}/I{200}＞2。
锂离子二次电池体用轧制铜箔

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010254717.0有效
发明人： 岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，是在具有半导体基片、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、把该半导体基片密封的密封体的半导体装置中，提供一种上述引线与密封体(模制密封体)的粘合性提高，不产生剥离的半导体装置。在具有半导体基片(5)、与该半导体基片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线(3)、把该半导体基片密封的密封体(2)的半导体装置中，为了提高上述引线(3)与密封体(模制密封体)的粘合性，作为引线(3)的表面材料与密封体(2)的组合，采用晶格整合性良好的材料组合，采用并苯类作为主构成材料的密封体(2)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN201010162083.6无效
发明人：松井裕一;松崎望;高浦则克;山本直树;松冈秀行;岩崎富生 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2005-05-09 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。
半导体存储器件

[发明专利]压电元件-CN200910204214.X有效
发明人： 岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：提供一种压电性能高、位移大且可靠性高的压电元件。该压电元件具有以BaTi2O5为主要构成材料的压电材料体、和向压电材料体施加电压的内部电极，内部电极的主要构成材料采用与压电材料BaTi2O5的晶格匹配性好的电极材料(Ru与RuO2的混合物)。
压电元件

[发明专利]半导体器件及其制造方法以及半导体密封用树脂-CN200910166793.3有效
发明人： 岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种提高引线和密封体树脂(模树脂)的粘合性、不引起剥离、可靠性高的半导体器件。所述半导体器件具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和埋入所述树脂中的内引线部分；所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物和/或具有环己烷环的化合物；在所述内引线部分的表面材料与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列。
半导体器件及其制造方法以及半导体密封树脂

[发明专利]磁头和磁存储装置-CN200910006431.8无效
发明人： 岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性和成品率高的磁头和磁存储装置。该磁头包含：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；在上述下部磁屏蔽层和上述上部磁屏蔽层之间形成的磁阻效应膜(3)；以及使电流在上述磁阻效应膜的膜厚方向上流动的单元，磁阻效应膜是依次形成固定层(51)、非磁性层(52)、由氧化物层构成的绝缘阻隔层(53)、自由层(54)而得到的，氧化物层中含有钛和镍中的至少一种。
磁头存储装置

[发明专利]磁再现头、磁头以及磁存储装置-CN200810184330.5无效
发明人： 岩崎富生 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种磁再现头、磁头以及磁存储装置。如果磁阻效应膜的轨道宽度小于等于50nm，则有时产生检测电流的泄漏。上述磁再现头防止这样的检测电流的泄漏，且可靠性以及成品率高。磁再现头(10)具备：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；形成在下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜(30)；被配置成与磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向填充膜(6)；以及配置在磁阻效应膜(30)的侧壁面上的轨道宽度方向的填充膜(1)。磁阻效应膜(30)是具备自由层(36)、绝缘阻挡层(34)、固定层(32)的隧道磁阻效应膜，绝缘阻挡层(34)是含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜中的任意一个。
再现磁头以及存储装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810169088.4无效
发明人：大仓康孝;岩崎富生;寺崎健 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供可以防止在半导体器件的引线的表面形成的镀膜上发生的晶须的技术。特别提供在以锡为主材料且不含有铅的镀膜中可以防止发生晶须的技术。在形成于引线表面上的镀膜中，以构成镀膜的锡的面方位中的、特定的面方位与引线的表面平行的方式形成镀膜。具体而言，以锡的(001)面与与引线的表面平行的方式构成镀膜。由此，可以使构成镀膜的锡的线膨胀系数小于构成引线的铜的线膨胀系数。
半导体器件及其制造方法

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