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[发明专利]提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用-CN201510917803.8在审
发明人：张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域，具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为
提高型铟镓砷薄膜掺杂浓度方法制备及其应用

[实用新型]双测温感应烹饪器具-CN202223097364.5有效
发明人：管兴勇 -专利权人：杭州越磁科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： F24C7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双测温感应烹饪器具，所述双测温感应烹饪器具包括烹饪主体、铟镓砷探测器、热敏电阻组件以及控制组件，所述烹饪主体具有用于放置锅具的微晶面板以及设于所述微晶面板下方的加热线盘；所述铟镓砷探测器设于所述烹饪主体，用于接受锅具上发射的红外线并输出温度信号；所述热敏电阻组件设在所述微晶面板的下表面，用于测量锅具温度；所述控制组件设于所述烹饪主体且分别与所述铟镓砷探测器、热敏电阻组件电性连接。本器具在烹饪时，高温段下使用所述铟镓砷探测器测温，低温段下使用所述热敏电阻组件测温，所述控制组件控制线圈加热以控制温度，从而能够在全温度段进行精确测温并控温。
测温感应烹饪器具

[发明专利]吉赫兹脉冲门控低通滤波红外单光子探测器-CN200910145018.X无效
发明人：赵天鹏;刘云;何德勇;徐军;赵义博;韩正甫;郭光灿 -专利权人：安徽问天量子科技股份有限公司
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：包括脉冲门控功率源，铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路，直流电压偏置电路，低通滤波器，高速宽带放大器，超高速比较器和计数器，以脉冲门控功率源输出的吉赫兹(GHz)脉冲信号作为铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路的门控信号，以低通滤波器对铟镓砷铟磷雪崩光电二极管的结电容微分效应引起的尖峰噪声信号进行低通滤波。
赫兹脉冲门控滤波红外光子探测器

[实用新型]吉赫兹脉冲门控低通滤波红外单光子探测器-CN200920187658.2无效
发明人：赵天鹏;刘云;何德勇;徐军;赵义博;韩正甫;郭光灿 -专利权人：安徽问天量子科技股份有限公司
申请日： 2009-09-21 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：包括脉冲门控功率源，铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路，直流电压偏置电路，低通滤波器，高速宽带放大器，超高速比较器和计数器，以脉冲门控功率源输出的吉赫兹(GHz)脉冲信号作为铟镓砷铟磷雪崩光电二极管电路的门控信号，以低通滤波器对铟镓砷铟磷雪崩光电二极管的结电容微分效应引起的尖峰噪声信号进行低通滤波。
赫兹脉冲门控滤波红外光子探测器

[发明专利]砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法-CN202310226845.1在审
发明人：薛军帅;吴冠霖;李泽辉;袁金渊;孙文博;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。其中，第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料，发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料，第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料，衬底采用高热导率砷化硼单晶。
砷化硼共振二极管及其制作方法

[发明专利]一种机场跑道表面冰水混合物含冰比的光学测量装置与方法-CN202210760887.9在审
发明人：刘鸿鹏;张嘉桐;孙高晶;台宏达;秦绍萌;武爱青;李立 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N21/359 文献下载
摘要：本发明公开了一种机场跑道表面冰水混合物含冰比的光学测量装置与方法，包括第一近红外LED发光二极管与第一铟镓砷光电二极管探测器，所述第一近红外LED发光二极管一侧设置有第二近红外LED发光二极管，所述第二近红外LED发光二极管一侧设置有第三近红外LED发光二极管，所述第一铟镓砷光电二极管探测器一侧设置有第二铟镓砷光电二极管探测器，所述第二铟镓砷光电二极管探测器一侧设置有第三铟镓砷光电二极管探测器。
一种机场跑道表面冰水混合物光学测量装置方法

[发明专利]一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法-CN202010358231.5有效
发明人：张益军;舒昭鑫;荣敏敏;李诗曼;李姗;张锴珉;詹晶晶;钱芸生 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法，包括依次采用卤素灯白光光源和1064nm激光光源照射的铯源、氧源交替两步激活。本发明可以得到近红外长波段量子效率更高的铟镓砷光电阴极。
一种提高铟镓砷光电阴极红外波段响应激活方法

[实用新型]一种晶体管-CN201720906185.1有效
发明人：王明利;曹华燕;周培 -专利权人：深圳正和捷思科技有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型属于光通讯技术领域，公开了一种晶体管，该晶体管由下至上依次设置有n型砷化镓衬底、p型砷化镓外延层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铟铝砷空穴阻挡层、绝缘层、钝化层和电极，电极包括源极、栅极和漏极，
一种晶体管

[发明专利]有分级基极层的双极晶体管-CN03807597.0有效
发明人：罗杰·E·威尔士;保罗·M·笛流卡;查尔斯·R·卢兹;凯文·S·史蒂文斯 -专利权人：科比恩公司
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：碳搀杂物浓度高的半导体材料包括镓、铟、砷和氮。本文揭示的半导体材料因为获得的碳搀杂物浓度高所以有低的表面电阻率。该材料能作为基于砷化镓的异质结双极晶体管的基极层，而且能通过控制基极层中铟和氮的浓度与砷化镓发射极层和/或集电极层晶格匹配。
分级基极双极晶体管

[实用新型]大功率高热发光二极管-CN201721623598.5有效
发明人：陈伟 -专利权人：江西省兆驰光电有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了大功率高热发光二极管，包括整体呈圆柱体结构的砷化铅镓，所述砷化铅镓的圆周外壁开有等距离分布的环形槽，且环形槽的槽底为弧形凹槽结构，所述砷化铅镓的其中一端中部开有沉孔，且沉孔内焊接有金属棒，所述金属棒的远离砷化铅镓的一端圆周外壁套接有反射面和绝热圆盘，且绝热圆盘远离砷化铅镓的一侧预留有半球体，所述金属棒远离砷化铅镓的一端电性连接有磷化铅铟镓，且磷化铅铟镓为圆柱形结构。
砷化金属棒本实用新型发光二极管绝热圆周外壁环形槽高热沉孔磷化铅铟弧形凹槽结构等距离分布圆柱体结构圆柱形结构电性连接发热材料主发光体半球体大电流发热体反射面电阻套接焊接发热预留分担

[发明专利]带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法-CN201910618698.6有效
发明人：程吉凤;李雪;邵秀梅;邓双燕;陈郁;杨波;马英杰;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下：1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)台面刻蚀，3)开N槽，4)生长P电极，5)快速热退火，6)淀积氮化硅钝化膜，7)开P、N电极孔，8)生长加厚电极，9)生长应力平衡层，10)金属化并生长铟柱，11)铟柱剥离并划片。本发明的优点在于：大面阵焦平面探测器平面度好，铟柱形貌更均一，器件耦合连通率高，制备工艺更简单，器件成品率高。
带有应力平衡大规模铟镓砷焦平面探测器制备方法

[发明专利]一种油水气三相流含水率实时检测方法及装置-CN202111620853.1有效
发明人：王飞 -专利权人：西安石油大学;西安丝路起航电子科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明涉及油水气三相流含水率检测技术领域，公开了一种油水气三相流含水率实时检测方法及装置，包括：石英玻璃管、铟镓砷光电传感器、滤光片、LED光源、可见光摄像机、图像识别分析模块和计算模块，多个铟镓砷光电传感器并排布置于石英玻璃管的一侧，多个滤光片一一对应的固定于铟镓砷光电传感器的表面，LED光源与铟镓砷光电传感器一一对应的设置于石英玻璃管的另一侧，可见光摄像机固定安装于石英玻璃管的一侧，可见光摄像机对石英玻璃管中流动的油水气三相流图像进行拍摄，图像识别分析模块对可见光摄像机拍摄的油水气三相流图片进行识别分析，分析油水气三相流的形态、估计油水气三相流的流速，计算模块根据铟镓砷光电传感器检测的光谱响应拟合出光谱测定的含水率值。
一种油水三相含水率实时检测方法装置

[发明专利]锁模激光器的高破坏阈值半导体可饱和吸收镜-CN200410093981.5无效
发明人：张志刚;王勇刚;柴路;李建萍;王清月 -专利权人：天津大学
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：该可饱和吸收镜包括硅片或镓砷的基片，金属膜层或由铝砷/镓砷构成的布拉格层的反射层，铝镓砷或铟铝镓砷构成的透明半导体层和镓砷或铟镓砷构成的半导体量子阱的可饱和吸收层，其特征在于，在可饱和吸收层表面增镀高反射膜层
激光器破坏阈值半导体饱和吸收

[发明专利]在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法-CN200410096744.4无效
发明人：彭长涛;陈诺夫;吴金良;陈晨龙 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：一种在砷化镓衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：用石墨或石英制成生长容器；步骤3：根据液相外延的原理，将含有铟、锑和砷的源按原子数比配制成生长母源并将它们放入生长容器中
衬底生长铟砷锑薄膜外延方法

[发明专利]硫族化物存储器装置组件和组合物-CN201980077144.8在审
发明人： E·瓦雷西;P·凡蒂尼;L·弗拉汀;S·A·伦加德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：描述了与硫族化物存储器组件和组合物相关或使用硫族化物存储器组件和组合物的系统、装置和方法。存储器单元的例如选择器装置、存储装置或自选存储器装置的组件可由硫族化物材料组合物制成。硫族化物材料可具有包含来自硼族的一或多种元素的组合物，所述硼族例如硼、铝、镓、铟或铊。举例来说，所述硫族化物材料可具有硒、锗以及硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的组合物。硫族化物材料在一些情况下，还可包含砷，但在一些情况下，可不具有砷。
硫族化物存储器装置组件组合