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[发明专利]像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法-CN202110718986.6在审
发明人：孙夺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片及其制备方法，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立本发明的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构，可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号，从而获取感光探测数据。
偏压可控铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法

[实用新型]像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片-CN202121444931.2有效
发明人：孙夺;顾溢;刘大福;李雪 -专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立本实用新型的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构，可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号，从而获取感光探测数据。
偏压可控铟镓砷阵列光敏芯片

[实用新型]红外测温模块及感应烹饪器具-CN202223103880.4有效
发明人：管兴勇 -专利权人：杭州越磁科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外测温模块及感应烹饪器具，所述红外测温模块包括红外探头及电路板，所述红外探头包括保护壳、支撑座以及固定件，所述保护壳顶端具有通光孔，所述保护壳内设置铟镓砷光电二极管，用于接受自所述通光孔处进入的红外线并转换成电信号；所述支撑座套设于所述铟镓砷光电二极管的外周且密接于所述保护壳内，所述支撑座的顶端对应所述通光孔处设有滤光片，所述支撑座和保护壳分别设有用于定位配合的定位部和配合部；所述固定件设于所述保护壳底部，用于固定所述支撑座，且所述铟镓砷光电二极管的引脚自所述固定件显露于所述保护壳外。
红外测温模块感应烹饪器具

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法-CN201611130606.2有效
发明人：孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤1)在砷化镓外延片表面制备窗口层，然后在窗口层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；2)在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极，在砷化镓外延片远离窗口层的表面制备背面电极；3)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出窗口层；4)在所述露出的窗口层表面制备石墨烯层；5)在所述石墨烯层表面制备减反层，得到所述石墨烯/砷化镓太阳电池。本发明将石墨烯作为一种透明导电材料应用于砷化镓太阳电池中，进一步提高了砷化镓太阳电池的转化效率，更远高于石墨烯/砷化镓肖特基结太阳电池。且本发明的太阳电池制备成本低，工艺简单，有利于产业化应用。
一种石墨砷化镓太阳电池制备方法

[发明专利]一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法-CN202010448684.7在审
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓废料回收制备砷化镓多晶的方法，包括以下步骤：对砷化镓废料进行打磨、浸泡、清洗，然后将砷化镓废料放入第一PBN坩埚中，将第一PBN坩埚放入阶梯型石英管的上部，将装有砷的第二PBN坩埚放入阶梯型石英管的下部；将阶梯型石英管抽真空，然后密封焊接，将焊接后的阶梯型石英管放入VGF单晶炉中，加热化料，再用VGF法合成砷化镓多晶。本发明制备得到的砷化镓多晶为圆柱形，直径为50～106mm，长度为300～400mm；本发明的制备方法能有效排杂，提高纯度；同时使用阶梯形石英管，既可支撑砷化镓废料，也可增加砷化镓废料的用量，合成的砷化镓多晶重量最大可达到
一种砷化镓废料回收制备多晶方法

[发明专利]改进砷化镓晶片表面质量的方法-CN202210537838.9在审
发明人：王永净;陈基生 -专利权人：厦门华芯晶圆半导体有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓晶片表面处理技术领域，尤其涉及改进砷化镓晶片表面质量的方法，包括以下步骤：S1、用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理，结束后用去离子水冲洗10‑12分钟，得砷化镓晶片A，S2、表面氧化：用硫酸、双氧水和水的混合溶液对砷化镓晶片A进行处理，处理结束后再次用去离子水冲洗15‑20分钟，得砷化镓晶片B，S3、去除氧化层：用氢氧化铵、双氧水和水的混合溶液对砷化镓晶片B进行处理，去除氧化层，处理结束后再次用去离子水冲洗15‑20分钟，即得成品砷化镓晶片。本发明不仅可以有效地去除晶片表面的氧化层，而且还能溶解富集的单相砷，从而使得得到的砷化镓晶片的表面更加平整。
改进砷化镓晶片表面质量方法

[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

[发明专利]一种砷化镓衬底的表面处理方法-CN202210732139.X在审
发明人：郭全斌 -专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓衬底的表面处理方法，包括以下步骤：第一步，采用磨边装置将砷化镓衬底的边缘进行边缘倒边：首先将砷化镓衬底吸附在第三真空吸盘中，然后启动第三电机，第三电机通过连接杆和第三真空吸盘带动砷化镓衬底转动，最后将砷化镓衬底的边缘抵在砂轮的侧壁上进行打磨；第二步，采用磁力研磨装置对砷化镓衬底的两侧面进行研磨：首先将砷化镓衬底底侧吸附固定在第二真空吸盘上，然后启动第二电机，第二电机通过第二伸缩气缸和第二真空吸盘带动砷化镓衬底在磁性磨料中进行打磨分钟，之后同理再使得第二真空吸盘离开砷化镓衬底。本发明对砷化镓表面处理工艺不仅流程简单，处理效率高、操作方便，安全可靠，而且成本较低，便于推广。
一种砷化镓衬底表面处理方法

[发明专利]提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法-CN200610011224.8无效
发明人：李若园;徐波;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明一种提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半绝缘砷化镓(100)衬底上，使用分子束外延的方法外延生长200nm的砷化镓缓冲层；(B)在砷化镓缓冲层上生长7个周期的砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜；(C)对砷化铝/砷化镓分布布拉格反射镜进行刻蚀至衬底，形成条形结构；(D)将刻蚀好的材料放入氧化炉中，进行湿法氧化，以把砷化铝氧化成氧化铝；(E)在氧化炉中退火，同时关闭水蒸气，向炉中通氮气进行气体保护，以提高氧化铝/砷化镓分布布拉格反射镜的界面质量。
提高氧化铝砷化镓分布布拉格反射界面质量方法

[发明专利]一种表面增透发光二极管-CN03138956.2有效
发明人：何晓光;黄尊祥 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面增透发光二极管，其特征是在常规结构的窗口层上有一层或多层在外延过程中生长的表面增透层，经过化学腐蚀及氧化后形成一层或多层二氧化三铝表面增透薄膜；在表面增透层的上方可有保护层，表面增透层可为铝镓砷层或砷化铝层，保护层可为砷化镓层或镓铟磷层，采用金属有机源化学气象沉积(MOCVD)方法在发光二极管外延生长时一次性完成增透膜结构的生长；这样形成的有表面增透薄膜的发光二极管，其光的反射率更小，增透效果更显著。
一种表面发光二极管

[发明专利]一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法-CN202010931623.6在审
发明人：徐培强;张银桥;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法。柔性砷化镓太阳能电池包括底部蒸镀有下电极的图形化PI衬底、砷化镓外延层、上电极和减反射膜，图形化PI衬底上方和砷化镓外延层下方蒸镀有键合金属，键合金属将PI薄膜和外延层键合。砷化镓外延层可为倒置生长的单结砷化镓太阳能电池或者多结砷化镓太阳能电池，柔性电池背面为金属电极，可以直接贴在设备表面使用，简化后续封装工艺，并且由于和设备表面直接贴合，可以增加柔性砷化镓太阳电池的散热性，提高产品的稳定性；刚性透明刚性临时衬底的使用，减少了使用砷化镓作为临时衬底带来的高成本和高污染的情况，并且降低了临时衬底去除时带来的对外延层破坏的风险。
一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法

[发明专利]电镀卷式柔性太阳能电池基板的方法与设备-CN200780049988.9无效
发明人：瑟奇·洛帕汀;大卫·伊格尔沙姆;查尔斯·盖伊 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：受益于本发明的太阳能电池基板包括柔性基板，其具有含有机材料、单晶硅、多晶硅(multi-crystalline silicone)、聚晶硅(polycrystalline silicone)、锗、砷化镓、碲化镉、硫化镉、铜铟镓硒、硒化铜铟、磷化铝镓铟的有源区(active region)；以及异质结电池，用来将光能转变成电能。
电镀柔性太阳能电池方法设备

[发明专利]一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法-CN200410040272.0无效
发明人：杨斌;戴永年;刘大春;马文会;刘永成;杨部正;唐万启;姚耀春;代健青;陈为亮;顾玉丽;吴昆华 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2004-07-19 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C22B30/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法。其特征是以含镓48％，砷52％的砷化镓工业废料为原料，经过破碎，压制成团块，入真空炉，控制压力0.1～10Pa，温度700～1000℃，使砷化镓分解，得到镓和砷。
一种砷化镓工业废料综合回收方法

[发明专利]一种砷化镓晶片的抛光方法-CN201510791454.X有效
发明人：周铁军;刘锋;肖进龙;刘留 -专利权人：广东先导半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明属于砷化镓领域，尤其涉及一种砷化镓晶片的抛光方法。本发明提供的方法包括：依次使用氧化剂和还原剂作为抛光液对待抛光砷化镓晶片进行化学机械抛光，得到抛光后砷化镓晶片。本发明提供的抛光方法将氧化性抛光液与还原性抛光液配合使用，减少了砷化镓晶片表面抛光液的残留，提高砷化镓晶片的成品率。实验结果表明，相比于单纯使用氧化性抛光液，采用本发明提供的抛光方法对砷化镓晶片进行抛光可以有效降低晶片表面的抛光液残留。
一种砷化镓晶片抛光方法

[发明专利]一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用-CN201810324711.2有效
发明人：张建军;王霆;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种锗‑硅基砷化镓材料及其制备方法和应用，所述锗‑硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。本发明利用锗(113)晶面对砷化镓反相畴的抑制作用以及锗与砷化镓晶格匹配的特点消除硅与砷化镓由于晶格失配所产生的应力，从而在III‑V族分子束外延设备上实现高质量单晶且超薄的砷化镓在硅(100)衬底上的外延生长
一种硅基砷化镓材料及其制备方法应用