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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片-CN202110608346.X在审
发明人：李雪;刘大福;顾溢;孙夺 -专利权人：无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷线列探测器及基于其的检测方法、铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷线列探测器包括铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括至少两行数量相等的像元；各行像元中相同序位的所述像元在列轴方向对齐；沿所述列轴方向的相邻两个像元之间的中心距不小于沿行轴方向上相邻两个像元之间的中心距
铟镓砷线列探测器基于检测方法铟镓砷光敏芯片

[发明专利]铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法-CN202211690411.9在审
发明人：代千;李宛励;袁菲;谢修敏;刘绍斌;梁丕刚;舒域鑫;陈庆敏;孔繁林;路小龙;梁晨宇;袁鎏;郑博仁;柯尊贵;郭雨航;李潇;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法

[发明专利]用于改善低温下性能的太阳能电池设计-CN202010098706.1在审
发明人： P·T·肖;C·M·菲泽;X·刘 -专利权人：波音公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：一种包括至少一个太阳能电池的面板，该太阳能电池具有由砷化镓(GaAs)或砷化铟镓(InGaAs)组成的电池，该太阳能电池具有由p型掺杂的砷化铝镓(AlGaAs)或砷化铟铝镓(InAlGaAs)组成的背面场
用于改善低温性能太阳能电池设计

[发明专利]用于改善低温下性能的太阳能电池设计-CN202010098772.9在审
发明人： P·T·肖;C·M·菲泽;X·刘 -专利权人：波音公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池，该太阳能电池具有由砷化镓(GaAs)或砷化铟镓(InGaAs)组成的电池，该太阳能电池具有由p型掺杂的砷化铝镓(AlGaAs)或砷化铟铝镓(InAlGaAs)组成的背面场(BSF)，用于在低于
用于改善低温性能太阳能电池设计

[发明专利]一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法-CN202310269274.X在审
发明人：王宇轩;牛斌;代鲲鹏;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法，包括以下步骤：生长外延薄膜：在砷化镓衬底上通过分子束外延方法依次沉积非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层、纳米硅高掺杂N型砷化镓N+GaAs层、纳米硅低掺杂N型砷化镓N‑GaAs层形成外延薄膜；制作阴极金属和阳极金属；隔离腐蚀：光刻出二极管图形，并用第一腐蚀液去除二极管图形外的全部通过在砷化镓衬底和纳米硅掺杂砷化镓层间生长非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层，实现砷化镓衬底的保留，从而实现资源再利用
一种保留砷化镓衬底肖特基二极管替换方法

[发明专利]一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器-CN201210405474.5有效
发明人：黄志明;童劲超;黄敬国;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。
一种电场增强效应铟镓砷太赫兹探测器

[实用新型]电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器-CN201220542716.0有效
发明人：黄志明;童劲超;黄敬国;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。
电场增强效应铟镓砷太赫兹探测器

[发明专利]一种半导体外延结构及其生长方法-CN202211118583.9有效
发明人：郭银涛;王俊;程洋;肖啸;夏明月;方砚涵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：所述半导体外延结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的下波导层；位于所述下波导层上的有源区，所述有源区包括铟镓铝砷量子阱层和势垒层，所述势垒层位于所述量子阱层的两侧，所述势垒层为砷化镓、铝镓砷或镓砷磷中的一种或多种组合本申请避免有源区在高温下铟偏析，提高了激光器的稳定性。
一种半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法-CN202211691594.6在审
发明人：代千;陈蔚;刘期斌;李宛励;舒域鑫;陈庆敏;梁丕刚;黄海华;姚梦麒;庞树帅;邓杰;杨瑞雨;罗国凌;陈剑;王鸥;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。
铟镓砷雪崩探测器表面结构制备方法

[发明专利]用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法-CN200510011741.0无效
发明人：彭长涛;陈诺夫;吴金良;尹志冈;杨霏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以砷化镓单晶片为衬底；2)以用铟、砷和锑单质或含有它们的化合物按原子数比In∶As∶Sb＝1∶x∶(1－x)制成的成分均匀的铟砷锑块材料为溅射靶；5)设定溅射生长时的溅射功率为W_s；6)设定溅射生长时靶离衬底的距离为d；7)用上述的生长条件，在一台基压可小于10^－3Pa的磁控溅射仪中生长铟砷锑薄膜
磁控溅射衬底外延生长铟砷锑薄膜方法

[发明专利]透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法-CN201710602961.3有效
发明人：车仁超;毕寒;赵云昊;刘璐;赵雪冰;张捷 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-07-22 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法。本发明由高温导电粘结胶制备、超晶格体材料透射样品和原位电极制备三部分组成。砷化铟/锑化镓化合物超晶格半导体通过导电胶对粘、机械减薄等过程，制备出适合透射电镜表征测试的样品，之后利用绝缘漆包线使之与四电极透射电镜样品台连接，即可开展透射电镜原位加电测试。砷化铟/锑化镓超晶格半导体作为经典实用的红外光电探测器件，研究其微观结构与载流子性质之间的物理机理和加电工作状态下载流子输运机理有助于红外探测器、量子级联激光器等光电器件的设计。
透射原位加电砷化铟锑化镓超晶格半导体样品制备方法

[发明专利]一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法-CN201911303143.9在审
发明人：覃文治;谢和平;陈庆敏;刘源;齐瑞峰;代千;石柱 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法，它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源，采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散源覆盖起来，在快速退火炉中进行开管高温梯度扩散，完成化合物半导体铟镓砷外延片的锌扩散工艺本发明扩散出的铟镓砷光电探测芯片光电性能片内、片间均匀性好、重复性好，可根据快速退火炉尺寸相应扩大铟镓砷外延片尺寸，特别适合三五族化合物半导体探测器芯片的生产。
一种沉积扩散制备铟镓砷光电探测器芯片方法

[发明专利]一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器-CN201410525599.0有效
发明人：王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;谢巍;臧元章;周德亮;俞旭辉;邹锶;刘素芳;关冉;鲁斌;汪瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器，该方法首先通过数值模拟分别得到铟镓砷红外探测器件在不同情况下，其响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线，然后通过数据拟合得到铟镓砷红外探测器件响应率取最大值时吸收层厚度的经验公式，进而根据拟合结果设计并制作铟镓砷红外探测器。该方法的优点在于，可以针对不同工艺条件生长的铟镓砷材料提取出相应的最佳吸收层厚度，由此设计的探测器件响应率将具有最大值，从而避免为了提高器件响应率而进行反复试片。
一种提高铟镓砷红外探测器响应方法相应探测器

[发明专利]一种高迁移率衬底结构及其制备方法-CN201010578522.1有效
发明人：孙兵;刘洪刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成
一种迁移率衬底结构及其制备方法

[实用新型]红外探测器及烹饪器具-CN202221837436.2有效
发明人：管兴勇 -专利权人：杭州越磁科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01J5/0802 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外探测器及烹饪器具，所述红外探测器包括外壳、铟镓砷光电探测单元和填充体，所述外壳的顶部设有开口；所述铟镓砷光电探测单元设于所述外壳内，所述铟镓砷光电探测单元的引脚由外壳的底部显露出，且与外部电路板电性连接；所述填充体自所述开口处充盈于外壳内，且覆盖在所述铟镓砷光电探测单元之上，用以过滤特定波段的可见光及红外线。本实用新型的红外探测器，通过将探测器滤光片替换成具有同样滤光效果的填充体，并将铟镓砷光电探测单元整体安装在外壳内，省略了滤光片的安装空间，使得整个探测器体积变小，有利于后期安装，并减少了零部件，节约了成本
红外探测器烹饪器具

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