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[发明专利]多波长半导体激光器耦合封装结构及封装方法-CN202310637262.8在审
发明人：程义涛;王英顺;刘牧荑;封嘉纯;车相辉;武艳青;吴昊伦;崔璐;张厚博;李松松;沈牧;王媛媛;马汉超;冯晨阳;张晓松;张港;房玉锁;王晓燕;孙奕涛;孙芮;崔绍辉;申正坤;庞帅;李晓红;王龙梅;王立斌;王亚楠;王雪飞;牛丽媛 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供了一种多波长半导体激光器耦合封装结构及封装方法，属于光电技术领域，包括：管壳、制冷片、陶瓷片和支光纤。管壳用于封装制冷片、焊有芯片的梯形ALN陶瓷片，并为各个芯片提供管脚。制冷片固设于管壳的底面上，陶瓷片固设于制冷片上，陶瓷片上设置有多个安装台阶，多个芯片一一对应的贴装于不同的安装台阶上；一一对应连接各芯片的支光纤，多根支光纤融合为一根耦合光纤，从管壳引出。本发明提供的多波长半导体激光器耦合封装结构，将多个波长不同的芯片封装在同一个管壳内，并将连接各芯片的支光纤融合为一根耦合光纤，实现了封装期间的小型化，节约了整机空间，可实现整机的小型化。
波长半导体激光器耦合封装结构方法

[发明专利]一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用-CN202011363519.8有效
发明人：武艳青;赵润;车相辉;姚文港;董风鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及微加工湿法腐蚀技术领域，具体公开一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用。所述方法采用逐级腐蚀的方法，分阶段将具有多层结构的基片腐蚀至目标深度，其中，前一阶段腐蚀结束后取出基片用去离子水冲洗其表面后再进入下一腐蚀阶段；其中，采用的非选择湿法腐蚀液为体积比为1.9‑2.1:1:14‑16的溴化氢溶液、双氧水和水的混合溶液，所述溴化氢溶液的浓度为40‑45wt％，双氧水的浓度为30‑35wt％。该腐蚀方法可以保持不同材料层之间腐蚀速率一致，腐蚀后不同材料层端面光滑无台阶，同时腐蚀速率可提高到3μm/min量级。该方法可应用于具有多层材料结构的半导体激光器芯片隔离槽以及划片槽的制备中。
一种多层材料选择性湿法腐蚀方法及其应用

[发明专利]脉冲式半导体激光器-CN202210143352.7在审
发明人：张厚博;王晓燕;崔璐;李晓红;杨红伟;李丰;王媛媛;沈牧;王英顺;车相辉;李松松;庞帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种脉冲式半导体激光器。该脉冲式半导体激光器包括脉冲宽度调节电路和驱动电路；驱动电路包括激光器芯片；脉冲宽度调节电路用于对输入脉冲电信号进行脉冲宽度调节，得到输出脉冲电信号；输出脉冲电信号的脉冲宽度与环境温度呈正相关关系；驱动电路用于根据输出脉冲电信号驱动激光器芯片发射激光，并使流经激光器芯片的电流与环境温度呈正相关关系；激光器芯片的光脉冲宽度与输出脉冲电信号的脉冲宽度呈正相关关系。本发明能够在环境温度变化时，使得激光器输出单脉冲能量保持稳定。
脉冲半导体激光器

[发明专利]一种增透膜剩余反射率测试陪片-CN202111614583.3在审
发明人：武艳青;杨红伟;李丰;王英顺;车相辉;程义涛;封嘉纯;崔绍晖;张维会;刘雨佳;黄乐乐;张晓松;张向立 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供一种增透膜剩余反射率测试陪片。该陪片为单面抛光片；陪片对测试波长的吸收系数大于40每厘米；陪片的材料是掺杂浓度大于1.9*1018每立方厘米的N型掺杂材料。本发明能够通过采用对激光器芯片相应波段具有强吸收作用的材料作陪片，降低了陪片背面的反射光强度，减小了背面反射光对正面反射光的干涉作用，减小了剩余反射率测试曲线的抖动，提高了增透膜剩余反射率测试精度。
一种增透膜剩余反射率测试

[发明专利]光纤切角方向对准设备及对准方法-CN202111554268.6在审
发明人：王英顺;王媛媛;杨红伟;王晓燕;程义涛;车相辉;崔璐;封嘉纯;冯卓;田豪闯;高建廷;李慧 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明适用于光纤技术领域，提供了一种光纤切角方向对准设备及对准方法，上述设备包括：光源、光谱仪、环形器、光纤旋转夹持器及部分反射镜；环形器的第一端口与光源连接，环形器的第二端口用于与待测光纤的第一端连接，环形器的第三端口与光谱仪连接；光纤旋转夹持器用于固定待测光纤，且光纤旋转夹持器能够绕轴线转动；部分反射镜与光纤旋转夹持器的轴线之间的夹角为预设角度。本发明中当待测光纤的切面与部分反射镜平行时，光的干涉最强，光谱仪上呈现的波形的峰谷最大，由此可通过光纤旋转夹持器带动待测光纤沿轴线旋转，观察光谱仪上的波形确定光纤切角是否满足需求，设备简单易操作。
光纤切角方向对准设备方法

[发明专利]芯片堆叠结构及大功率窄脉冲半导体激光器-CN202111308378.4在审
发明人：崔璐;王晓燕;张厚博;杨红伟;李晓红;王媛媛;王英顺;程义涛;车相辉;沈牧;房玉锁;赵欣;郭君 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片堆叠结构及大功率窄脉冲半导体激光器，属于光电技术领域，包括：MOSFET芯片以及多个功能芯片，MOSFET芯片具有源极、漏极和栅极；多个功能芯片沿MOSFET芯片的高度方向堆叠于所述MOSFET芯片上，且最底层的功能芯片与MOSFET芯片的源极连接。本发明提供的大功率窄脉冲半导体激光器，采用芯片堆叠集成设计，突破电路二维布局和分立器件封装的限制，将电路所用所有电子元器件采用对应芯片元件，采用一定工艺方法将所有芯片沿高度方向集成，将激光器的电路布局和电连接距离降到最低，极大缩小了电路的寄生参数，提高大功率窄脉冲半导体激光器技术指标。
芯片堆叠结构大功率脉冲半导体激光器

[发明专利]MOCVD外延设备的温度校准方法-CN201911391843.8在审
发明人：郝文嘉;车相辉;张宇;宁吉丰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，公开了一种MOCVD外延设备的温度校准方法，该方法包括：获取温度校准片，并将温度校准片放入MOCVD外延设备的反应室内；调节反应室内的总气体流量至预设流量值，并向反应室内通入保护气体；控制反应室内的温度以预设速率持续升温；获取温度校准片的表面反射率曲线，并根据表面反射率曲线和温度校准片标定反应室内的温度；根据表面反射率曲线，在确定温度校准片的表面反射率值下降至预设范围时，停止加热并切断保护气体；在反应室内的温度降至第一预设温度后，取出温度校准片。本发明可以准确标定反应室设定温度与实际温度偏差，从而精确控制外延材料生长温度，保证外延生长条件一致性。
mocvd 外延设备温度校准方法

[发明专利]一种半导体激光器-CN201810510712.6有效
发明人： 车相辉;曹晨涛;赵润 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本申请适用于激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括：衬底、在衬底上由下至上设有的缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱，上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层，所述缓冲层和所述N型限制层之间设有至少两层扩展波导层，通过本申请可以降低垂直发散角的同时提高耦合效率。
半导体激光器缓冲层衬底激光器技术领域电极接触层腐蚀阻挡层多量子阱上波导层上限制层下波导层下限制层耦合效率波导层发散角两层申请垂直

[发明专利]磷化铟扩散方法-CN201710401346.6有效
发明人：于浩;张宇;陈宏泰;车相辉;王晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟扩散方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间；通入二甲基锌流量调节至所需值，控制MOCVD设备的温度进行线性下降，进行锌扩散；温度降至430℃‑470℃以下时切断保护气体，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。所述方法可以精确控制不同扩散深度的扩散浓度，达到圆片表面2e¹⁸高空穴浓度，圆片内部5e¹⁷低空穴浓度，扩散均一性稳定，适用于大批量生产。
磷化扩散方法

[发明专利]一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构-CN201510919059.5有效
发明人：张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGaxAs材料。本发明结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本发明结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。
一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延结构

[实用新型]非对称波导980nm单模激光器-CN201720619794.9有效
发明人：王彦照;宁吉丰;陈宏泰;车相辉;王晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非对称波导980nm单模激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括衬底以及衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、腐蚀停止层、第二上限制层和电极接触层，所述腐蚀停止层采用高掺杂的P型GaInP材料。所述单模激光器在对称结构的基础上采用AlGaAs的非对称波导，并在结构中插入腐蚀阻挡层，能够有效地防止载流子泄漏，提高输出功率，保证了高的电光转换效率等器件性能。
对称波导 980 nm 单模激光器

[发明专利]非对称波导980nm单模激光器-CN201710401344.7在审
发明人：王彦照;宁吉丰;陈宏泰;车相辉;王晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称波导980nm单模激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括衬底以及衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、腐蚀停止层、第二上限制层和电极接触层，所述腐蚀停止层采用高掺杂的P型GaInP材料。所述单模激光器在对称结构的基础上采用AlGaAs的非对称波导，并在结构中插入腐蚀阻挡层，能够有效地防止载流子泄漏，提高输出功率，保证了高的电光转换效率等器件性能。
对称波导 980 nm 单模激光器

[发明专利]窄发散角脊波导半导体激光器-CN201410770523.4有效
发明人： 车相辉;赵润;曹晨涛;陈宏泰;宁吉丰;张宇;位永平;郝文嘉;王彦照;林琳;杨红伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N型InGaAsP材料，扩展波导层的厚度为0.2μm‑0.5μm，下波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，上波导层的厚度为0.05μm‑0.15μm，扩展波导层到多量子阱区的距离为1μm‑2μm；P型限制层和电极接触层设置在腐蚀阻挡层的纵向中部，构成脊波导；采用小球透镜封装。本发明减小了垂直发散角，提高耦合效率，温度特性能满足要求，工艺过程简化，提高芯片成品率，成本低廉。
发散波导半导体激光器

[发明专利]808nm平顶光场大功率激光器-CN201510055185.0有效
发明人：宁吉丰;陈宏泰;车相辉;王彦照;林琳;位永平;王晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。
808 nm 平顶大功率激光器

[实用新型]一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构-CN201521028024.4有效
发明人：张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，能带渐变层为四层结构，能带渐变层一至三为N型In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)材料，从集电区层向基区层，其各层之间的组分渐变，能带渐变层四为非掺的InGa_xAs材料。本实用新型结构基区还具有更高的空穴浓度和更薄的厚度。本实用新型结构异质结界面处不存在导带尖峰，电子渡越时间更短，该结构制成的晶体管具有更高的频率性能。
一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延结构

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