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[发明专利]一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法-CN202211219510.9在审
发明人：刘丽杰;赵有文;王俊;王应利;杨俊;卢伟;卢超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S4，采用湿法化学腐蚀对S3所得的砷化铟单晶片进行氧化、清洗；S5，将S4所得的砷化铟单晶片甩干，得到薄氧化层界面的砷化铟衬底。本公开的方法能够得到薄的III族铟和V族砷氧化物层，在砷化铟衬底外延时易于使该氧化物层脱附，且外延的缺陷密度低。
一种控制砷化铟中氧化物方法

[发明专利]磷化铟双异质结双极型晶体管-CN202210387714.7在审
发明人：王悦 -专利权人：虎翅凌云集成电路制造有限责任公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷化铟双异质结双极型晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明公开的磷化铟双异质结双极型晶体管结构，在磷化铟衬底上采用应变铟砷磷过渡区消除了铟镓砷基区与磷化铟集电区之间的导带势垒，构建出无电子阻挡效应的双异质结双极型晶体管，提升了所述晶体管在频率、增益与击穿电压方面的电学性能
磷化铟双异质结双极型晶体管

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人：于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]一种生长高铟组分铟镓砷的方法-CN201010604154.3无效
发明人：缪国庆;金亿鑫;宋航;蒋红;黎大兵;李志明;孙晓娟;陈一仁 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种生长高铟组分铟镓砷的方法，涉及光电子材料与器件的应用领域，它解决了现有InxGa1-xAs红外探测器中由于提高InxGa1-xAs中In组分与InP衬底产生晶格失配，导致探测器性能下降，增加了缓冲层厚度的问题，本发明在低温430℃时生长组分为InxGa1-xAs缓冲层，然后升高温度，并在高温对缓冲层进行恒温处理，然后在高温生长相同组分的InxGa1-xAs外延层，获得高铟组分铟镓砷材料，本发明减少了缓冲层厚度
一种生长组分铟镓砷方法

[发明专利]一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池-CN201510295810.9在审
发明人：胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本发明的优点在于：利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流，从而最终提高热光伏电池的量子效率。
一种带势垒层结构砷化铟热光伏电池

[实用新型]带势垒层结构的砷化铟热光伏电池-CN201520372603.4有效
发明人：胡淑红;王洋;吕英飞;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本专利公开了一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池，电池的结构为:在P型砷化铟或N型砷化铟衬底上，依次为宽禁带阻挡层、砷化铟吸收层、N型砷化铟表面层或P型砷化铟表面层。电极分别做在腐蚀后台面的砷化铟衬底上以及N型(P型)砷化铟表面层上。本专利的优点在于：利用宽禁带势垒层阻挡PN结两侧产生的扩散暗电流，从而最终提高热光伏电池的量子效率。
带势垒层结构砷化铟热光伏电池

[发明专利]红光发光二极管及制备方法-CN201210214124.0无效
发明人：贾海强;陈弘;王晓晖;宋京;张荣勤;丁国建 -专利权人：天津中环新光科技有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种红光发光二极管，包括：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有砷化铝（AlAs）基底层，砷化铝（AlAs）基底层上设有分布布拉格反射器；其中，分布布拉格反射器上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区本发明会在磷化铝镓铟分布布拉格反射器和砷化镓衬底之间形成空气夹层，将透过布拉格反射器的光有效地反射出来，增加了光出射的效率；其腐蚀过程会对芯片的切割面进行一次化学处理，将残留于芯片切割面上的半导体残渣腐蚀掉
红光发光二极管制备方法

[发明专利]双异质结双极晶体管结构-CN201110123487.9无效
发明人：孙浩;孙晓玮;艾立鹍;滕腾;王伟;李凌云;钱蓉;徐安怀;齐鸣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为∶（1-），砷的组份与锑的组份比为双异质结双极晶体管结构

[发明专利]一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法-CN202210123379.X有效
发明人：李雪;刘雅歌;马英杰;顾溢;李淘 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法，宽谱铟镓砷焦平面的基底为InP，自基底起依次有InP腐蚀牺牲层，周期性薄层低维量子点层，腐蚀截止层，In0.830.17As焦平面探测器；2)机械研磨去除InP基底层；3)化学腐蚀去除牺牲层；4)干法等离子刻蚀去除部分截止层；本发明的优点在于实现单片响应范围覆盖400‑2600nm的铟镓砷焦平面探测器
一种宽谱铟镓砷焦平面结构及其制备方法

[实用新型]红外测温装置及电磁灶-CN201921805646.1有效
发明人：任富佳;管兴勇;李敬;黄明春;柳发威 -专利权人：杭州老板电器股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： F24C7/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了红外测温装置及电磁灶，涉及电磁灶技术领域，上述红外测温装置包括测温组件以及设置在测温组件外部的屏蔽外壳；其中，测温组件包括铟镓砷探测器、探测器保护壳和信号处理电路板；铟镓砷探测器设置在探测器保护壳内部，且，与信号处理电路板连接；信号处理电路板用于与外部主控板连接；探测器保护壳包括透光部，铟镓砷探测器通过透光部探测指定区域的温度信号；信号处理电路板用于获取温度信号，并向外部主控板发送与温度信号对应的电信号
红外测温装置电磁灶

[实用新型]感应烹饪器具-CN202223097839.0有效
发明人：管兴勇 -专利权人：杭州越磁科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种感应烹饪器具，包括烹饪主体、红外测温模块和遮光组件，所述烹饪主体具有用于放置锅具的微晶面板以及设于所述微晶面板下方的加热线盘；所述红外测温模块设于所述烹饪主体的内部，包括铟镓砷红外探测头和电路板，所述铟镓砷红外探测头与电路板电连接，用于接受锅具上发射的红外线信号并输出电信号至所述电路板，所述电路板电连接至所述烹饪主体的控制组件；所述遮光组件设于所述烹饪主体，用于遮蔽所述铟镓砷红外探测头周边的干扰光且具有使其接受红外光的通光孔
感应烹饪器具

[发明专利]一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法-CN202110440484.1有效
发明人：陈思铭;刘会赟;饶志治 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法，所述方法包括以下步骤：S1、将半绝缘砷化镓衬底送入MBE腔中去除表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的半绝缘砷化镓衬底上生长一层砷化镓n型接触层；S3、在砷化镓n型接触层上生长一层非掺杂砷化镓雪崩倍增层；S4、在非掺杂砷化镓雪崩倍增层上生长一层p型砷化镓电子调节层；S5、在p型砷化镓电子调节层上生长一层非掺杂锗吸收层；S6、将步骤S5获得的砷化镓衬底通过真空传输输送至用于锗生长的MBE腔内并在砷化镓衬底上生长一层锗p型接触层，从而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。本发明通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上，有效减少了器件的暗电流和制造成本。
一种基于砷化镓衬底雪崩光电探测器制作方法

[发明专利]一种基于砷化镓p-n结器件的β型核电池-CN202111185180.1在审
发明人：张光辉;刘玉敏;林坤宇;桑天贵;王物达;罗朝君 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于砷化镓p‑n结器件的β型核电池。这种核电池是由放射源镍‑63源、砷化镓p‑n结换能器件和电池外壳组成。利用MOCVD外延生长技术及设备制备砷化镓p‑n结，这种p‑n结包括：n型砷化镓衬底层、n型砷化镓缓冲层、n型铝砷化镓层、n型砷化镓基区层和p型砷化镓层。由砷化镓p‑n结和电极层构成砷化镓p‑n结器件。然后，在正面格栅电极层和背面电极层上分别焊接金引线形成电池的正、负极引线。接着，将薄片放射源镍‑63源放置于砷化镓p‑n结器件的正面格栅电极层上。最后，将整个装置封装后制备成一种基于砷化镓p‑n结器件的β型核电池。
一种基于砷化镓器件核电

[发明专利]一种磷掺锑化铟薄膜、霍尔传感器件及其制备方法-CN201910244225.4在审
发明人：黄靖云;尤健;冒伟伟;郑律;门楠 -专利权人：浙江森尼克半导体有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：将所述之InP_xSb_1‑x薄膜作为半导体霍尔传感器件的工作层，由于半导体InP_xSb_1‑x薄膜的电子迁移率高于硅和砷化镓，同时可以调控其禁带宽度接近硅或者砷化镓，因此可以在优化温度系数的同时保持其高灵敏度。由半导体InP_xSb_1‑x合金薄膜制备的霍尔传感器件，工作温度高于锑化铟，达到硅和砷化镓的工作温度，而灵敏度、响应时间等性能优于硅和砷化镓器件。
霍尔传感器件制备半导体砷化镓薄膜合金薄膜电子迁移率化学计量比砷化镓器件蒸发源材料标准器件高灵敏度合适配比霍尔器件退火工艺温度系数工作层灵敏度热蒸发锑化铟铟薄膜电极掺锑分装光刻划片禁带优化响应调控保证

[发明专利]精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置及方法-CN200610060337.7无效
发明人：罗建国 -专利权人：罗建国
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明适用于III－V或II－IV化合物半导体材料，比如砷化镓、磷化铟、砷化铟、磷化镓、锑化铟、硒化镉、碲化锌等等，及锗和硅等单晶体的生长。
精密垂直温差梯度冷凝单晶体生长装置方法

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