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[发明专利]一种分体式直拉单晶炉泄压方法-CN202210577422.X在审
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分体式直拉单晶炉泄压方法，属于光伏技术领域。本发明提出的方法为：首先，利用连接件将泄压门与主炉腔体扣合锁紧；泄压门安装在分体式直拉单晶炉的主炉腔体上，通过连接件与主炉腔体扣合锁紧后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉；然后，通过分体式直拉单晶炉进行直拉法制备单晶；之后，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，主炉腔体中的压力增高，泄压门受压力作用向外打开，高温气体流出，使得主炉腔体中的压力迅速降低。本发明通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当炉体发生爆炸，泄压门可以迅速打开泄压，从而避免了炉盖脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉泄压方法

[实用新型]一种分体式直拉单晶炉装置-CN202221273246.2有效
发明人：刘海;彭亦奇;王人松;周子义 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分体式直拉单晶炉装置，属于光伏技术领域。本实用新型提出的装置包括：炉盖、炉体底座、坩埚、主炉腔体、泄压门以及连接件；其中，主炉腔体与炉盖和炉体底座连接，泄压门安装在主炉腔体上，可以活动打开，通过连接件，泄压门与主炉腔体扣合后形成完整且密封的分体式直拉单晶炉，坩埚安装在分体式直拉单晶炉内。本实用新型通过将完整的一体式直拉单晶炉腔更改为由泄压门和主炉腔体构成的分体式直拉单晶炉腔，当分体式直拉单晶炉中发生爆炸时，炉内压力会迅速升高，泄压门受到压力作用向外打开，高温气流从泄压门处流出，使得炉内压力迅速降低，从而避免了炉盖受压力作用脱离炉体，炉中高温气流逸散，造成人员伤亡的问题。
一种体式直拉单晶炉装置

[实用新型]一种直拉单晶炉冷却水循环系统-CN202223501928.7有效
发明人：卢亮;鞠贵冬;李煜川;黄晶晶;唐姊瑀 -专利权人：江苏双良冷却系统有限公司;双良节能系统股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶炉冷却水循环系统，与直拉单晶炉组件结合安装，所述直拉单晶炉组件包括炉底、副室、主室上部、主室下部、隔离阀、电源柜、水冷屏以及泵，所述直拉单晶炉冷却水循环系统包括第一管路和第二管路；所述第一管路串联紧贴所述炉底、所述副室、所述主室上部、所述主室下部以及所述隔离阀，且所述第一管路包括第一冷却塔和第一蓄水池；所述第二管路串联紧贴所述电源柜、所述水冷屏以及所述泵，且所述第二管路包括第二冷却塔和第二蓄水池所述直拉单晶炉冷却水循环系统节水效果更好。
一种直拉单晶炉冷却水循环系统

[实用新型]一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极-CN201620266947.1有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极，包括从外向内嵌套设置的主电极体、副电极体和通冷却水的电极水套，主电极体和副电极体之间绝缘。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极解决了现有技术存在的设备改造成本高、拉晶功耗高的问题。本实用新型的一种直拉单晶炉用嵌套式金属电极将主电极、底电极集成在一个金属电极上，将原4个电极减少至2个电极，避免了增加金属电极会带走热场中热量的情况，可以节约拉晶功耗8％左右，而且其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用，利用单晶炉炉底原电极孔、配套电缆、水管即可安装，兼容性强。
一种直拉单晶炉用嵌套金属电极

[实用新型]一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉-CN201921802643.2有效
发明人：关树军;罗才军;赵智强;张伟新;陈辉 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及直拉单晶硅技术领域，公开了一种直拉单晶硅用加热器及单晶生长炉，该直拉单晶硅用加热器包括圆筒状的主发热体，主发热体的筒体上设置有沿周向交替分布的第一缝隙和第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿主发热体的轴心线方向延伸，且第一缝隙的开口朝向与第二缝隙的开口朝向相反，第一缝隙和第二缝隙将主发热体分成多根依次串联的发热条，第一缝隙和第二缝隙的中间区域的宽度小于两端的宽度，以使每根发热条中间区域的宽度大于其两端的宽度。该直拉单晶硅用加热器能降低纵向的温度梯度，进而降低直拉单晶硅中的氧含量，达到减弱直拉单晶硅氧施主效应的目的。
一种单晶硅加热器生长

[发明专利]一种直拉单晶炉在线式热场再生方法-CN202211016232.7在审
发明人：张军彦;冯文彪;王晓峰;白枭;李媛 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉单晶炉在线式热场再生方法，属于半导体技术领域；所述直拉单晶炉包括主炉壳；主炉壳顶部连接有副室，所述主炉壳内设置有保温筒，保温筒内设置有坩埚，坩埚的顶部设置有导流筒；载气和工艺气体通过进气管路沿导流筒进入坩埚，再沿坩埚与保温筒之间流入保温筒下部并沿抽气管路排出主炉壳；载气与工艺气体的体积比20‑50:1；载气为惰性气体，工艺气体为卤素气体；本发明通过载气和工艺气体的有序流动，在高温状态下与炉内杂质反应将其有效去除，延长了单晶炉内部炭素材料的寿命；提升了单晶棒的寿命。
一种直拉单晶炉在线式热场再生方法

[发明专利]一种从单晶炉中取出单晶棒的方法-CN201110134324.0无效
发明人：牛小群 -专利权人：浙江星宇能源科技有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从单晶炉中取出单晶棒的方法，该方法是通过提拉头将拉好的单晶棒升至副炉室、观察室及炉盖以上后，再将提拉头及单晶棒随副炉室、观察室、炉盖一起向侧边移至主炉室外，并对准在侧边的主炉室的地下开有的槽孔，然后降下单晶棒，把单晶棒放入槽孔至炉盖以下部位，即可取出单晶棒。采用本发明，可以通过增加直拉单晶棒的有效行程，将每炉的硅料加满，并一次性制成单晶棒，达到提高生产效率，降低生产成本的目的。
一种单晶炉中取出单晶棒方法

[实用新型]一种直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置-CN201620267353.2有效
发明人：栗宁 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置，包括升降机构以及水冷管，升降机构用于驱动水冷管进入单晶炉内。本实用新型的直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置解决了现有的单晶炉停炉冷却时间过长的问题。本实用新型的直拉单晶炉停炉快速冷却热场装置在停炉时，通过升降机构将两根水冷管同步伸入单晶炉热场中，将热场底部保温抬起，通过循环冷却水带走热场中热量，达到降低炉内温度的目的，其结构简单，避免因改造单晶炉产生的高额费用，利用单晶炉炉底预留电极孔即可安装，冷却效果显著，可将拆炉时间缩短一半。
一种直拉单晶炉停炉快速冷却装置

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[实用新型]一种直拉单晶炉投料车-CN201020640751.7有效
发明人：范玉红;楚信博;朱瑞忠;王海涛 -专利权人：晶伟电子材料有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉单晶炉投料车，其结构中包括车架和通过转轴设置在车架上的加料器承载架，车架上还设置有与转轴相接的减速机。本实用新型在直拉单晶硅的生产过程中能够运载加料器向直拉单晶炉中进行二次投料，不仅能够有效保护加料器不破碎，同时能够避免加料器与金属接触造成的污染，保证直拉单晶硅产品的纯度和质量。
一种直拉单晶炉投料

[发明专利]一种延长直拉单晶炉中主发热体使用寿命、减少其自重的方法-CN200710118288.2无效
发明人：周旗钢;吴志强;戴小林;王学锋 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2007-07-04 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C30B15/18 文献下载
摘要：本发明提供一种延长直拉单晶炉中主发热体使用寿命、减少其自重的方法，该主发热体由石墨制成，它用在一种名为切克劳斯基(或称直拉)法制造的硅单晶生长制备中，用于供给维持热场用的热量。本发明的优点是：该方法简便，使用效果好，总重量可以减少5％－18％，可以延长主发热体的使用寿命。
一种延长直拉单晶炉中主发热使用寿命减少自重方法

[实用新型]一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉-CN201922387139.7有效
发明人：王宇;冯德伸;于洪国;雷同光;李燕;马英俊;林泉 -专利权人：北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉底部用保温装置及直拉单晶炉。一种直拉单晶炉底部用保温装置包括：坩埚杆，以及套设于所述坩埚杆上的一个或多个保温板，所述多个保温板间隔设置。本实用新型提供的保温装置可随坩埚的升降而移动，保持了坩埚底部与保温装置的距离稳定，有效的增强了单晶炉中坩埚底部的保温效果，减少温度梯度的变化，并且实用方便，效果显著，适用于低位错锗等一些对温度梯度要求较高晶体的直拉法生长工艺
一种直拉单晶炉底部保温装置

[实用新型]一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置-CN201822187657.X有效
发明人：高建芳;梁宇飞;张红霞;郝勇;樊国庆;李娜 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉硅单晶炉防漏硅的排气管道装置，设置在直拉单晶炉底部，包括防漏容器和排气管，所示防漏容器为环绕直拉单晶炉大轴护套设置的槽状物，所示排气管包括相互连接的排气进口管道和排气出口管道，排气出口管道末端贯穿直拉单晶炉底，排气进口管道顶端排气入口连通直拉单晶炉内腔，排气进口管道倾斜向下。本实用新型的有益效果是：将炉内挥发物的混合气体排出，减少挥发物在炉膛排气管口的聚集与沉积；排气进口管道倾斜向下，排气入口处避免形成气体对流，涡流，能够快速顺畅的将气体排出；底部设有防漏容器，当发生漏硅现象时，可将溢出的硅液固定在防漏容器中，避免漏硅沿排气管道流出造成事故。
直拉单晶炉防漏容器排气进口挥发物排气管道装置直拉硅单晶炉本实用新型排气出口倾斜向下排气管防漏排出炉膛涡流排气入口连通管道顶端管道末端混合气体排气管道排气管口气体对流槽状物入口处大轴硅液护套炉内内腔沉积排气溢出流出环绕贯穿

[发明专利]基于直拉法生长单晶硅的方法-CN201710402193.7在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于直拉法生长单晶硅的方法，该直拉硅单晶生长方法主要步骤为：流程准备→装炉→抽空→捡漏→充氩气→加热→引晶→缩细颈→放肩→转肩→等径生长→收尾→降温→停电→停氩气→停真空泵→拆炉。本发明采用直拉法生长单晶的设备和工艺简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中的杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。
直拉法单晶生长单晶硅制备大直径单晶直拉硅单晶氩气等径生长低电阻率流程准备生产效率充氩气真空泵拆炉放肩细颈引晶装炉加热抽空收尾停电

[发明专利]一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒-CN201010565419.3无效
发明人：李留臣 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用导流筒，包括导流筒本体，导流筒本体为上大下小的锥形筒状结构，导流筒本体的下端部呈环状分布均匀开有多个分流槽。本发明直拉式硅单晶生长炉用导流筒结构简单，设计合理，使用安全，能有效提高硅单晶的生长效率，可广泛适用于直拉式硅单晶生长设备中。
一种直拉式硅单晶生长导流

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