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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法-CN201210059756.4无效
发明人：张雪囡;菅瑞娟;徐强;李建宏;王彦君;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法，在硅多晶棒的生产时，采用双石英坩埚法、降压直拉法获得轴向电阻率一致的硅多晶，之后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀直拉区熔气掺法

[发明专利]一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法-CN201210059755.X无效
发明人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;徐强;王刚;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法，其特征在于，首先采用直拉法拉制硅多晶，且在拉晶前完成掺杂，然后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，且在区熔法拉晶过程中通入定量的掺杂气体，掺杂气体通入量逐渐降低或升高；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性。
一种制造区熔硅单晶直拉区熔气掺法

[发明专利]一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法-CN201210059754.5无效
发明人：张雪囡;高树良;王彦君;李建宏;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法，首先采用铸造法制备多晶硅，之后对多晶硅进行切方、滚磨、开槽和开圆锥机加工，以加工后的多晶硅棒作为区熔硅单晶原料，采用区熔气掺法进行拉晶，且在开始拉晶时通入定量的掺杂气后便停止通入掺杂气；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的掺杂剂平均浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于多晶料棒的掺杂剂浓度较为均匀，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性；相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种制备区熔硅单晶铸造区熔气掺法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法-CN201110306525.4无效
发明人：李立伟;王彦君;王岩;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法，首先用直拉法工艺完成清理直拉炉膛、装料、抽真空、充氩气、加热化料、引晶、拉细颈、放肩、收肩、等径、收尾、提起降温、出炉过程；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，符合区熔用料标准后，再用区熔的方法继续拉制气掺单晶，运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合硅单晶CFZ生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足生产6英寸P型太阳能硅单晶的要求
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，掺杂气通入量，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足了生产6英寸N型太阳能硅单晶的要求。
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池-CN201580072597.3有效
发明人：大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：利用切克劳斯基法，提拉掺镓直拉单晶硅；以及，将前述直拉单晶硅作为原料棒，以1.6气压以上对该原料棒进行浮区处理，由此制造区熔单晶硅由此，可提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，该太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法能减少不可避免地进入直拉晶体中的氧，防止生成会对太阳能电池特性造成影响的硼‑氧对，并能抑制浮区处理中的镓掺杂剂的蒸发量
太阳能电池用区熔单晶硅制造方法

[发明专利]一种制备低COP缺陷硅单晶的氮掺杂方法-CN201811519495.3有效
发明人：张颖武;韩焕鹏;赵堃;李明佳;莫宇;张伟才;赵权;刘锋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：在直拉法硅单晶生长过程中，增加氨气高温离解装置，将高纯氨气通入氨气高温离解装置产生N(g)，N(g)溶解于硅熔体，并扩散至单晶生长固、液交界面处，然后随着生长过程的进行，进入硅单晶内部，实现氮掺杂过程，抑制硅单晶COP缺陷；与传统的氮气气氛掺氮法相比，氨气离解温度低、离解效率高，易于实现氮元素掺杂效果，有助于制备直拉法低COP缺陷硅单晶。氨气离解温度低意味着加热功率更低，氨气离解效率高意味着所需气源更少，因此，这将大大降低生产成本，可适用于直拉法低COP缺陷硅单晶的批量生产。
一种制备 cop 缺陷硅单晶掺杂方法

[实用新型]一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置-CN202221394323.X有效
发明人：孔凯斌;王彦君;孙晨光;周宏邦;王淼;娄中士;侯明超;贾海洋;张强;刘伟;王立刚 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高CZ法高阻半导体单晶轴向电阻率均一性的装置，包括气掺装置和磁场装置，其中，气掺装置设于单晶炉内，且气掺装置环设于单晶硅棒的周侧，用于掺杂气体的通入；磁场装置设于单晶炉的外部，用于产生勾形磁场本实用新型的有益效果是在直拉单晶中利用气掺装置与磁场装置相配合，进行气相掺杂，能够克服直拉法单晶受到硼/磷单质分凝的自然规律，改变电阻率分布头部电阻高、尾部电阻低的现状，提高符合客户规格的入档电阻率。
一种提高 cz 法高阻半导体晶轴电阻率均一装置

[发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
发明人：沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2000-03-30 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀，(9)装入区熔炉抽真空充氩气，(10)预热化料熔接籽晶，(11)引晶拉细颈，(12)放肩等径生长，(13)拉断尾部，(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
生产硅单晶直拉区熔法

[发明专利]一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置及方法-CN201210545918.5有效
发明人：陈海滨;闫志瑞;梁开金;黄龙辉;李明飞;刘志伟;付斌 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明提供一种获得宽范围电阻率区熔硅单晶的气掺系统装置及方法，该气掺系统装置包括磷烷气体管道、氩气管道、入炉气体管道、排空管道，该四路管道分别通过VCO接口连接至一桥形管路上，其中，磷烷气体管道和氩气管道连接在该桥形管路的一端采用该气掺系统装置进行气相掺杂，在区熔法生长单晶硅的熔球阶段，磷烷气体与氩气在桥形管路内混合后进入入炉气体管道，熔球阶段结束后，进行引晶、放肩、等径、收尾，通过改变注入区熔炉的磷烷气体的剂量，可以获得电阻率范围在0.1～2000Ω·cm的区熔硅单晶。
一种获得范围电阻率区熔硅单晶系统装置方法

[发明专利]掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用-CN202110017582.4有效
发明人：陈鹏;李晓强 -专利权人：杭州晶宝新能源科技有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了掺镓直拉单晶硅的生长方法、掺镓单晶硅及应用，涉及单晶硅技术领域。该生长方法通过将多晶硅原料和镓掺杂剂加热至硅熔体后，利用切氏直拉单晶法生长硅晶体，在硅晶体的生长阶段通入气态的磷掺杂剂或砷掺杂剂作为施主掺杂剂。发明人创造性地引入气态的施主掺杂剂，能够将凝固比显著增加，在相同质量的硅熔体中可以生长出更大质量的硅晶体，从而较明显地提就高了晶体的生产效率。由上述方法制备得到的掺镓单晶硅电阻率分布更窄，制备成本低，可以在太阳电池中得到应用。
掺镓直拉单晶硅生长方法应用

[发明专利]液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法-CN200510014891.7无效
发明人：李养贤;刘彩池;郝秋艳;黄千驷 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： C30B13/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污，保证了硅单晶的质量。
液体涂抹法区熔硅单晶方法

[发明专利]直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺-CN202310792282.2在审
发明人：张路;路淑娟;李欢欢;许宁;于洪国;曹波;马志永;苏双喜;张孝仁;杨哲;孔腾飞;刘志远;王蒙 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺，所述直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺包括：A，通过降温放出肩部或者晶体回熔后保留肩部；B，将肩部提起第一预设高度，等待第一预设时间使肩部冷却；C，将晶体下放再将肩部提出液面，观察肩部是否出现台阶状沟槽，如未出现，则重复步骤B、C；D，关闭埚转、晶转，将肩部提起至单晶炉的副室内，关闭主室和副室之间的插板阀，等待第三预设时间使肩部冷却；E，打开副室，将需要补掺的杂质放入台阶状沟槽内；F，关闭副室，抽空后，打开插板阀，将肩部降至液面以下进行熔化补掺。
直拉法晶体生长过程中的杂质工艺

[发明专利]一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法-CN201210061381.5无效
发明人：张雪囡;徐强;陈澄;宋都明;王林;邬丽丽;苗向春 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器安装在旋转磁场发生器支架上，并套装在直拉炉（的外距离直拉炉外壁1～25cm处，在直拉法拉晶过程中开启旋转磁场发生器对硅熔体施加旋转磁场本发明的技术特点是可以有效促进硅熔体的对流，抑制高浓度掺杂剂的向下沉积问题，提高直拉重掺硅单晶的径向电阻率均匀性。
一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀方法

[发明专利]一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法-CN201010529157.5有效
发明人：高树良;张雪囡;王彦君;王岩;王遵义;周卫斌;郝一巍;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，包括区熔气相重掺杂和拉晶工艺，区熔气相重掺杂和拉晶工艺中采用的区熔气相重掺杂装置使高浓度的硼烷气体在充入高温的炉膛内的过程中不发生分解，所述区熔气相重掺杂装置包括一个放置于保温桶下方的重掺杂硼烷、氮气和氩气的三路联合进气管道；采用本方法所生产的气相重掺硼区熔硅单晶具有氧含量为1ppm以下，轴向电阻率均匀度为±15％以内，电阻率达到0.004Ω.cm的特点，运用该发明方法生产的重掺硼区熔p型硅单晶很好地满足了国内外瞬态电压抑制器
一种气相重掺硼区熔硅单晶制备方法

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