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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片-CN201920611265.3有效
发明人：吴念博 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片，包括硅片衬底，其上表面通过杂质掺杂形成有相互间隔的N+区及P+区，且N+区或P+区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于N+区及P+区的周边区域以及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；N+区及P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。
一种沟槽电极二极管芯片

[发明专利]门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法-CN200910224636.3有效
发明人：中原基 -专利权人：武汉光谷微电子股份有限公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：门极和阴极间采用玻璃钝化保护的可控硅器件及制造方法，属于微电子技术领域。可控硅器件包括N-衬底层(1)、P+扩散区(2)、N+扩散区(4)、台面凹槽玻璃钝化层(5)、门极(G)、阴极(T1)和阳极(T2)，门极(G)和阴极(T1)均位于可控硅器件同一侧的表面上，所述门极(G)和阴极(T1)一侧的表面上设置有表面玻璃钝化层(7)。通过湿法刻蚀全面去除氧化层，并烧结表面玻璃钝化层，消除了而因机械应力而导致硅片龟裂和破碎的现象，简化了工艺，降低了生产成本，提高了可控硅器件的可靠性，具有明显的技术先进性、显著的经济性和极强的实用性。
阴极采用玻璃钝化保护可控硅器件制造方法

[实用新型]一种高压整流二极管芯片-CN201620192024.6有效
发明人：那雪梅;王成森;张超;姜瑞 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压整流二极管芯片，该芯片在P^‑型阳极区的四周设有钝化沟槽，钝化沟槽延伸至N型衬底，钝化沟槽的内表面设有玻璃钝化膜，P^‑型阳极区的正面设有SiO₂膜和阳极金属电极，阳极金属电极与P^‑型阳极区之间设有P⁺型阳极区，P⁺型阳极区与钝化沟槽之间留有间距。该芯片通过在P⁺型阳极区与钝化沟槽之间设置一定的间距，使PN结终端的耗尽层始终在P^‑型阳极区，确保表面电场与体内电场强度一致，从而使耗尽层有更大的扩展空间，反向击穿多数发生在体内击穿
一种高压整流二极管芯片

[发明专利]制造图像传感器的方法-CN200710149572.6无效
发明人：方善敬 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/71 文献下载
摘要：第一钝化层可形成于较低层之上以保护较低层。第一钝化层可以不同厚度形成于像素区域和外围区域中。旋涂式玻璃(SOG)层可形成于第一钝化层之上。第二钝化层可形成于SOG层之上。阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。多个微透镜可形成于凹区的底部表面之上。
制造图像传感器方法

[发明专利]一种低电容高压放电管及其制备方法-CN202011370830.5在审
发明人：王凯健;柯亚威;张鹏;周健 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：>‑BASE区上有P++区，P‑BASE区上方P++区和N+隔离区之间有P‑BASE区中N+区，N型硅片两面两边上设有玻璃钝化层，并在玻璃钝化层上湿法腐蚀出沟槽，N型硅片上的P‑BASE区上沉淀有金属层，金属层两侧的P‑BASE区设有氧化层和LTO层。步骤：1）选择N型硅片；2）氧化；3）N+隔离区；4）形成P++肼区；5）形成P‑BASE区；6）进行P‑BASE区中N+区光刻；7）台面光刻，腐蚀出沟槽；8）硼磷硅玻璃钝化、接触孔刻蚀；9）LTO层，沉积2000‑8000Å的LTO层；10）形成电极，形成金属层；11）合金。
一种电容高压放电及其制备方法

[实用新型]一种显示面板和显示装置-CN201821390933.6有效
发明人：王会苹 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显示面板和显示装置，包括显示区和外围区,其特征在于，所述显示面板包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板对盒设置；液晶层，夹设于所述第一基板与所述第二基板之间；第一基板的外围区包括玻璃基板，玻璃基板上形成有第一金属层，第一金属层上形成有绝缘层，绝缘层上形成有第二金属层，第二金属层上形成有钝化保护层；第二金属层与所述玻璃基板的切割边的距离大于所述第一金属层与所述玻璃基板的切割边的距离，切割时能有效防止钝化保护层翘起或者脱落，防止显示区气泡出现，从而有效提升画面品质。
玻璃基板第一基板第二金属层第一金属层显示面板绝缘层钝化保护层第二基板显示装置切割边外围区显示区本实用新型对盒设置画面品质液晶层夹设翘起切割

[发明专利]一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法-CN202111652146.0在审
发明人：柯亚威;张鹏;王志明;刘志雄 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种低压台面TVS半导体芯片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的生长氧化层，氧化层刻蚀有电极，P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，正面和背面设有N+吸杂区，N+吸杂区和N+击穿区与P型硅片之间PN结形成了下凹上凸的结构。选择P型硅片；在P型硅片表面生长氧化层，进行正面、背面N+吸杂区的光刻，光刻后进行正面、背面N+吸杂区磷预扩散和再扩散分布，形成PN结结构；去除氧化层后，在P型硅片进行N+击穿区正面、背面磷预扩散；在P型硅片形成环状钝化沟槽；金属淀积、光刻、刻蚀，氧化层间隙形成T1/T2电极；合金。
一种低压台面 tvs 半导体芯片及其制造方法

[实用新型]一种可并联组合的整流二极管芯片-CN201920611931.3有效
发明人：吴念博 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种可并联组合的整流二极管芯片，包括硅片衬底，其下表面通过第一掺杂形成下部扩散区，其上表面通过第二掺杂形成水平间隔的两上部扩散区，且上部扩散区与下部扩散区上下间隔；两上部扩散区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于两上部扩散区的周边区域及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；下部扩散区及两上部扩散区的表面均沉积有金属层分别形成金属电极。
一种并联组合整流二极管芯片

[实用新型]一种采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管-CN201820791779.7有效
发明人：董珂 -专利权人：济南固锝电子器件有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体功率器件电子技术领域，具体地说是一种采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管。该实用新型的采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管包括稳压芯片和封装体，稳压芯片为六边形结构，稳压芯片两侧为双面硼扩散形成的两个P区，两个P区之间为N区，使稳压芯片形成两个相对的PN结；所述稳压芯片两侧分别连接有引线本实用新型的采用玻璃钝化芯片封装的齐纳稳压二极管结构设计合理，可以扩大二极管的高压适用范围，并能大幅度降低动态阻抗，具有良好的推广应用价值。
稳压芯片玻璃钝化芯片稳压二极管封装本实用新型封装体半导体功率器件电子技术领域六边形结构动态阻抗二极管硼扩散

[发明专利]高色域阵列基板及液晶显示面板-CN201710109394.8在审
发明人：樊勇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供了一种高色域阵列基板，包括玻璃基板，在玻璃基板上依次设有栅极、栅极绝缘层、有源层、钝化层、源极、漏极、像素电极，所述像素电极与源极连接，源极以及漏极设于有源层上，所述像素电极设于钝化层上，位于阵列基板显示区中的栅极绝缘层和/或钝化层为多层光学膜结构。与现有技术相比，通过将阵列基板中显示区中的栅极绝缘层和或钝化层为多层光学膜结构，可以实现对特定波段(570～615nm)的光进行过滤，实现对背光红色和绿色光半波峰宽的收窄，从而提升LCD显示面板的显示色域
高色域阵列液晶显示面板

[发明专利]一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构及其制备工艺-CN201310681860.1有效
发明人：刘宗贺;邹有彪;张鹏;王泗禹;耿开远;周健;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P型硼结区和N型磷结区，N型磷结区上下两端均设有P型硼结区，在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si₃N₄薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的制备工艺依次包括以下工艺步骤：a、淀积α-多晶硅，b、淀积半绝缘多晶硅，c、淀积低温热氧化层，d、淀积Si₃N₄，e、玻璃钝化，f、最外层的低温热氧化层淀积。
一种台面大功率半导体器件多层复合钝化结构及其制备工艺

[发明专利]一种平面芯片的钝化方法-CN202211503492.7在审
发明人：耿恩厚 -专利权人：常州银河世纪微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，特别涉及一种平面芯片的钝化方法，选用N型硅片并对硅片进行减薄处理；进行一次氧化和光刻，然后去除硅片背面的氧化层；硅片背面通过扩散工艺进行掺磷；进行二次氧化和光刻，然后去除有源区的氧化层；对有源区通过扩散工艺进行掺硼；去除芯片表面的氧化层，并在芯片表面依次淀积SIPOS和二氧化硅；去除有源区外、芯片间隔中心线外一定区域内和芯片背面的二氧化硅；对芯片钝化区域内进行玻璃电泳以及玻璃烧结；对芯片正面的有源区区域进行处理本发明对平面芯片钝化区域进行玻璃保护，提高对钝化层的保护，提高芯片的可靠性。
一种平面芯片钝化方法

[发明专利]一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法-CN201310682748.X有效
发明人：耿开远;周建;刘宗贺;李建新 -专利权人：启东吉莱电子有限公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种切割槽形成可控硅穿通结构及其方法，一种切割槽形成可控硅穿通结构包括划切槽、穿通区和P^-短基区，穿通区位于该结构的四周，每个穿通区的上下部对称的设有划切槽，P^-短基区位于该结构的上下两端，上端的P^-短基区的上侧设有N⁺磷区，上端的P^-短基区与穿通区之间设有玻璃钝化层，玻璃钝化层上侧设有台面槽一种切割槽形成可控硅穿通结构的方法包括选材、氧化、光刻穿通槽、短基区扩散、光刻阴极和阴极扩散步骤，在光刻穿通槽与短基区扩散步骤之间增加有切割槽步骤，在阴极扩散步骤之后包括有光刻台面槽、化学腐蚀台面槽、玻璃钝化和正面蒸铝步骤
一种切割形成可控硅结构及其方法

[发明专利]OLED显示面板及制备方法-CN202010405353.5在审
发明人：陈远鹏;徐源竣 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种OLED显示面板及制备方法，所述OLED显示面板划分为驱动电路区以及电容区，所述OLED显示面板位于所述驱动电路区的部分包括玻璃基板、制作于所述玻璃基板上的遮光层、沉积于所述玻璃基板并覆盖所述遮光层上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的驱动电路层、设置于所述驱动电路层上的钝化层以及设置于所述钝化层上的平坦化层；所述OLED显示面板位于所述电容区的部分包括所述玻璃基板以及设置于所述玻璃基板上的存储电容，所述存储电容具有间隔且相对设置的下电极片与上电极片
oled 显示面板制备方法

[实用新型]平面可控硅器件芯片-CN201320272681.8有效
发明人：刘纪云;王仁书;祝方明;陈实 -专利权人：扬州中芯晶来半导体制造有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：平面可控硅器件芯片，平面可控硅器件芯片，包括硅衬底片，硅衬底片表面依次设置的掺氧多晶硅钝化层、下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层和门极区引线孔窗口、阴极区引线孔窗口，其特征是，在所述掺氧多晶硅钝化层与下二氧化硅层之间设有掺氮多晶硅层所述的硅衬底片由N-单晶硅片上设有隔离扩散的P+区、阳极P区、门极P区及阴极N+区构成。通过本实用新型，芯片表面形成五层保护层：掺氧多晶硅钝化层、掺氮多晶硅层、下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层。
平面可控硅器件芯片

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