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[发明专利]CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法-CN201410357338.2有效
发明人：范荣伟;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型源漏离子注入区，P型源漏离子注入区由P型阱‑P型源漏极结构构成，包括P型阱、P型源漏极、栅极、介质层以及对应于P型源漏极的接触孔；光阻区由P型阱‑N型源漏极结构构成包括P型阱、N型源漏极、栅极、介质层，以及对应于N型源漏极的接触孔；对P型源漏离子注入区和光阻区分别注入P型源漏极离子和N型源漏极离子；经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型源漏离子注入对准度的实时监控，避免P型源漏离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。
cmos 型源漏离子注入对准监控结构方法

[发明专利]CMOS中N型源漏注入对准度的监控结构及方法-CN201410357182.8有效
发明人：范荣伟;顾晓芳;倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了CMOS中N型源漏离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和N型源漏离子注入区，N型源漏离子注入区由N型阱‑N型源漏极结构构成，包括N型阱、N型源漏极、栅极、介质层以及对应于N型源漏极的接触孔；光阻区由N型阱‑P型源漏极结构构成，包括N型阱、P型源漏极、栅极、介质层，以及对应于P型源漏极的接触孔；对N型源漏注入区和光阻区分别注入N型源漏和P型源漏；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中N型源漏离子注入对准度的实时监控，避免N型源漏离子注入到PMOS的N型阱中而导致PMOS漏电现象的发生。
cmos 型源漏注入对准监控结构方法

[发明专利]一种混合型无源电力滤波器和三相电力系统-CN202010415125.6在审
发明人：杨芳;周亚兵;唐小亮;宾泼;于文滔;唐先志;黄富勇;钟学谦;李达义;陈乔夫 -专利权人：广东电网有限责任公司清远供电局
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种混合型无源电力滤波器和三相电力系统，该混合型无源电力滤波器包括串联型无源谐波隔离单元、并联型无源滤波单元和谐波负载；串联型无源谐波隔离单元的输入端与电网电连接，串联型无源谐波隔离单元的输出端与谐波负载的第一端电连接，串联型无源谐波隔离单元用于隔离谐波；并联型无源滤波单元的输入端与串联型无源谐波隔离单元的输出端电连接，并联型无源滤波单元的输出端与谐波负载的第二端电连接，并联型无源滤波单元用于滤除谐波；并联型无源滤波单元仅包括三阶无源滤波支路和五阶无源滤波支路，结构简单，不涉及控制系统，有利于提高混合型无源电力滤波器的可靠性，易于接入高压系统。
一种混合无源电力滤波器三相电力系统

[发明专利]槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202111463405.5在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、N型源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、槽型源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和N型源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和N型源区相接；槽型源极包括水平源极部和竖直源极部，竖直源极部相接在水平源极部的一端，形成纵截面呈L型的源极；水平源极部设置在N型源区上方，竖直源极部与N型源区和基体区的侧面均相接，使得N型源区的拐角与槽型源极的拐角相贴合；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。
槽型源极屏蔽沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件-CN201911127582.9在审
发明人：胡盛东;安俊杰 -专利权人：重庆大学;安俊杰
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种非对称异质结碳化硅槽型场氧功率MOS器件，包括依次线性布置的漏极金属、N型衬底层、N型漂移区、N型载流子扩散区、P型沟道层、源极金属；还包括与源极金属连通的槽型栅电极、槽型源电极以及N型源区；所述槽型源电极包括源极P型多晶硅；所述槽型栅电极和槽型源电极上设有P保护层；所述源极P型多晶硅与N型载流子扩散区采用异质结二极管结构。本发明在槽型栅电极和槽型源电极上分别使用P保护层的同时，在槽型源电极中布置源极P型多晶硅，能有效降低器件的导通压降、增加器件的击穿电压以及降低器件的开关损耗。
一种对称异质结碳化硅槽型场氧功率 mos 器件

[发明专利]一种半导体开关器件及其制作方法-CN201810783961.2在审
发明人：王凡 -专利权人：上海宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、N型漂移区、栅极结构、N型源区、介质层及源区电极。所述介质层中形成有源区接触窗口，所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区，所述源区电极形成于源区接触窗口中。本发明将所述源区接触窗口仅显露所述N型源区的中部区域，将所述源区接触窗口显露的所述N型源区的中部区域反型形成P型接触区后，所述P型接触区的两侧均保留有部分所述N型源区，可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流
源区接触中部区域源区电极显露介质层反型半导体开关器件传统工艺导通电阻工艺成本降低器件驱动电流栅极结构保留基底掩膜制作

[发明专利]具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法-CN202111642816.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;黄海猛;虞国新 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请是关于一种具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区、基体区和源区依次设置在衬底区顶部，漏极位于衬底区底部；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括P型源区和N型源区；P型源区为横截面呈三角形的三角型源区，三角型源区的顶角与绝缘层相接；N型源区包括第一N型源区和第二N型源区；第一N型源区和第二N型源区分设在顶角的两边，并分别与绝缘层相接。
具有三角排列屏蔽沟槽晶体管及其制备方法

[发明专利]一种并联电压源型阀组控制方法及控制装置-CN202110550948.4在审
发明人：卢东斌;侍乔明 -专利权人：南京南瑞继保电气有限公司;南京南瑞继保工程技术有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本申请提供一种并联电压源型阀组控制方法及控制装置。所述并联电压源型阀组包括至少两个并联的电压源型阀组单元，并联电压源型阀组运行时，所述方法包括：选一个电压源型阀组单元为第一电压源型阀组单元控制运行在直流电压控制模式；其他电压源型阀组单元为第二电压源型阀组单元控制运行在功率控制模式或直流电流控制模式；第二电压源型阀组单元的直流电压实际值的绝对值与直流电压参考值的绝对值之差超过第一电压阈值，或第二电压源型阀组单元的直流电压参考值的绝对值与直流电压实际值的绝对值之差超过第二电压阈值，或收到与并联电压源型阀组串联的电流源型阀组或电压源型阀组故障信号时，第二电压源型阀组单元切换运行在直流电压控制模式。
一种并联电压源型阀组控制方法装置

[发明专利]屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法-CN202111679643.X在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由第一N型源区、第二N型源区和P型源区组成；所述P型源区设置于所述源区远离所述沟槽区的一角，在所述P型源区相邻的两个侧面，分别设置并连接所述第一N型源区和所述第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区的侧面所包围的区域设置所述沟槽区。基体区内的沟道沿着所述沟槽区与所述源区的连接的侧面形成，增加了沟道面积，从而降低了器件的沟道电阻。沟道面积的提高可降低所述N型源区下方的空穴电流密度，降低寄生三极管发射结的压降，抑制寄生三极管的开启，提高晶体管的耐雪崩能力。
屏蔽沟槽场效应晶体管模块及其制备方法

[发明专利]具有包围型源区的沟槽型功率半导体器件及其制备方法-CN202111463420.X在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种具有包围型源区的沟槽型功率半导体器件，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极和金属栅极；漂移区与衬底区相接，以衬底区指向漂移区的方向为上方，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括P型源区和N型源区；P型源区设置在基体区上方，N型源区设置在P型源区侧面与绝缘层的相接处，N型源区的一侧与绝缘层相接，使得N型源区被P型源区半包围；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。
具有包围型源区沟槽功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种DAC电流源阵列的排列方式及共源电流源阵列版图-CN201711316470.9有效
发明人：韩特;乔峻石;赖玠玮 -专利权人：北京紫光展锐通信技术有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F30/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种DAC电流源阵列的排列方式及共源电流源阵列版图，用于改善DAC线性度及相关性能。该排列方式包括：确定共源电流源阵列的行数R以及列数C；将共源电流源阵列划分为M个子阵列；对N比特DAC进行分段，以得到2X‑1组温度计型编码电流源以及Y组二进制型编码电流源；将2X‑1组温度计型编码电流源分布至M个子阵列中，并使得每个子阵列中的温度计型编码电流源与其他子阵列中的温度计型编码电流源对称排列；基于Y组中的各组中二进制型编码电流源的个数将Y组二进制型编码电流源排列至M个子阵列中；将偏置电流源均匀排列至共源电流源阵列；将共源电流源阵列中除二进制编码电流源、温度计型编码电流源以及偏置电流源之外的其余部分排列冗余电流源。
一种 dac 电流阵列排列方式版图

[发明专利]利用同型结监控N型源漏离子注入对准度的结构及方法-CN201410357283.5有效
发明人：范荣伟;龙吟;陈宏璘;顾晓芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了利用同型结监控N型源漏离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和N型源漏离子注入区，N型源漏离子注入区由N型阱‑N型源漏极结构构成，包括N型阱、N型源漏极、栅极、介质层以及对应于N型源漏极的接触孔；光阻区由N型阱结构构成，包括N型阱、栅极、介质层，以及对应于N型阱的接触孔；对N型源漏离子注入区注入N型源漏离子；经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中N型源漏离子注入对准度的实时监控，避免N型源漏离子注入到PMOS的N型阱中而导致PMOS漏电现象的发生。
利用监控型源漏离子注入对准结构方法

[发明专利]光纤无源输送机综合保护系统-CN202011501871.3有效
发明人：李鹏;丁强;吕亚伟;李吉军;张琦;邵林;宋纯伟;张华 -专利权人：山东超晟光电科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： B65G43/00 文献下载
摘要：本发明公开了输送机技术领域的光纤无源输送机综合保护系统，包括光纤无源输送机综保控制箱、光纤综合分纤箱和光纤无源型传感器，所述光纤无源输送机综保控制箱通过光纤综合分纤箱与光纤无源型传感器相连接，所述光纤无源型传感器包括光纤无源型拉绳闭锁开关、光纤无源型跑偏传感器、光纤无源型堵料传感器、光纤无源型料流传感器、光纤无源型测速传感器、光纤无源型温度传感器、光纤无源型撕带传感器，通过光纤光栅传感器，进行持续和实时的监控，采集光纤数据，经过后端分析处理和智能识别
光纤无源输送综合保护系统

[发明专利]背接触太阳能电池装置-CN201610392906.1有效
发明人：李波;大卫·史密斯;彼得·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：用于制造背接触太阳能电池的方法包括在布置于衬底上方的材料层上方形成N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层。N型掺杂剂源层与P型掺杂剂源层隔开。对N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层进行加热。随后，在N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层之间在材料层中形成沟槽。
接触太阳能电池装置

[发明专利]背接触太阳能电池的制造方法及其装置-CN201080066574.9有效
发明人：李波;大卫·史密斯;彼得·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：用于制造背接触太阳能电池的方法包括在布置于衬底上方的材料层上方形成N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层。N型掺杂剂源层与P型掺杂剂源层隔开。对N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层进行加热。随后，在N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层之间在材料层中形成沟槽。
接触太阳能电池制造方法及其装置

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