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[发明专利]半导体结构的清洗方法-CN202011523366.9在审
发明人：张静 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的清洗方法，包括：提供衬底，所述衬底包括功能面和与功能面相对的背面；在衬底功能面上形成流体钝化膜；形成流体钝化膜之后，采用湿法清洗工艺对所述衬底功能面表面进行第一去电荷处理；在进行第一去电荷处理之后，对所述衬底表面进行主清洗。所述方法清洗后的半导体结构性能得到改善。
半导体结构清洗方法

[发明专利]一种提高大理石粉体白度的方法-CN201810084913.4在审
发明人：李映德;卢金山;张志鹏 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C09C1/02 文献下载
摘要：本发明工艺步骤包括：（1）将大理石粉体清洗、过滤、干燥并过筛；（2）将清洗后的大理石粉体加入到水溶液中，以氧化锆球为球磨介质，室温下湿法球磨7~30小时；（3）将球磨后大理石粉体加入到碱性水溶液中，采用水热反应釜进行水热处理，然后清洗、干燥并过筛，获得高白度（92%～98%）大理石粉体，粉体粒径为100~200纳米。本发明通过湿法球磨和水热处理制备高白度大理石粉，具有原料成本低廉，生产工艺简单，生产过程环保等特点，适合大批量处理大理石粉体，作为无机填料，应用于橡胶、塑料、造纸、涂料等领域。
大理石粉清洗水热处理高白度白度过筛碱性水溶液水热反应釜粉体粒径工艺步骤球磨介质生产过程湿法球磨无机材料无机填料氧化锆球原料成本法球球磨生产工艺制备过滤涂料橡胶造纸塑料环保应用

[发明专利]多晶硅表面颗粒污染物的去除方法-CN202310626311.8在审
发明人：孔庆路;石强;周颖;李秀然;李协吉;庞士武;董健;袁力 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：具体的，其针对形成有多晶硅材料层和硬掩膜层的半导体衬底进行CMP化学机械研磨之后，有机颗粒污染物极易选择性的吸附在多晶硅材料层的表面上的问题，通过改善多晶硅表面亲疏水情况，提出了可以将现有的湿法清洗工艺中的HF清洗试剂去除，然后，在利用该改进后的湿法清洗工艺对所述多晶硅材料层和所述硬掩膜层的表面进行清洗，减小所述多晶硅材料层的表面接触角，即增强所述多晶硅材料层的表面亲水性的特性，减小所述多晶硅材料层的表面对成分包含碳和
多晶表面颗粒污染物去除方法

[实用新型]一种用于湿法有机清洗工艺固定晶圆的装置-CN201822237468.9有效
发明人：李喜荣;宋克昌;李波;李青民 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于湿法有机清洗工艺固定晶圆的装置，保证半导体激光器芯片在清洗环节中不受损伤的前提下，提高清洁效果。后盖与载台闭合形成与所述若干吸附孔连通的腔室；手柄内具有中空管路，中空管路一端连通所述腔室，另一端通过软管接真空泵；使用时，操作者一只手持该装置的手柄，在不锈钢的带有废液回收的保护罩中，另一只手持喷枪对晶圆表面进行喷淋，既保证了湿法有机清洗工艺的有效性，又降低了使用喷枪清洗的碎片率，提高了产品的良品率及生产的效率。
载台后盖手柄有机清洗晶圆湿法中空管路吸附孔腔室连通清洗半导体激光器芯片本实用新型闭合废液回收晶圆表面密封固定清洁效果手持喷枪正面设置软管保护罩固定的良品率碎片率真空泵喷淋喷枪吸附不锈钢背面损伤保证环节生产

[发明专利]一种和田玉超细粉体的制备方法-CN201210325690.9无效
发明人：张藜泷 -专利权人：张藜泷
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种和田玉超细粉体的制备方法，包括步骤：（1）将清洗干净的和田玉原料或其在工艺加工中的边角碎料或粉末通过初级机械破碎的方式，粉碎成和田玉粗粉，其细度≤5mm；（2）将和田玉粗粉通过干法粉磨工艺或湿法粉磨工艺或它们的组合，研磨成和田玉超细粉体，其粒度为20nm~5μm；干法粉磨工艺指：直接将和田玉粗粉经过干法粉磨工艺，研磨一段时间，制备得到和田玉超细粉体；湿法粉磨工艺指：将和田玉粗粉制成料浆后，经过湿法粉磨工艺，研磨一段时间
一种和田玉超细粉体制备方法

[发明专利]用于TFT干刻工艺中的清洗方法-CN200510112267.0无效
发明人：储培鸣 -专利权人：上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法，调整RF的参数对干刻工艺中附着在设备内壁上的沉积物进行再刻蚀，进而清除这些沉积物。本发明无需开腔也能达到一定的清洗效果，可减少沉积物的生成以及由其导致的灰尘，延长设备的使用时间，同时配合湿法清扫(Wet Clean)则可以达到理想的效果并且能节约大量的时间。
用于 tft 刻工中的清洗方法

[发明专利]一种湿法清洗背面金属铜的方法-CN03114702.X无效
发明人：王刘坤 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2003-01-02 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种新的湿法清洗背面金属铜的方法。目前金属铜已逐步取代金属铝而成为主要金属连线材料，金属铜淀积工艺包括离子化物理气相淀积(PVD)工艺淀积铜仔晶层，和电化学镀(ECP)铜工艺。在离子化PVD，电化学镀金属铜等工艺步骤之后必须将背面金属铜清洗去除干净才能向后续工序流片。本发明提出了一种新的采用酸性水溶液添加氧化剂混合溶液清洗工艺技术，具有非常好的清洗效果。
一种湿法清洗背面金属方法

[发明专利]一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法-CN201410163302.0在审
发明人：朱建野;刘轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法，包括：提供待湿法清洗的晶圆；在清洗所述待湿法清洗的晶圆的正面之前，先将静电从所述晶圆的背面导出。根据本发明的方法，由于在对所述待湿法清洗的晶圆的正面进行清洗之前，先将静电从所述晶圆的背面导，从而避免了在对所述晶圆的正面进行清洗时，所述晶圆的正面图形因受静电影响所导致的图形损坏缺陷，从而避免了晶圆器件的报废
一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷方法

[发明专利]一种用于氮化铝晶体的湿法腐蚀工艺-CN201710998653.7在审
发明人：吴亮;刘理想;贺广东;王智昊;龚加玮;黄嘉丽;雷丹 -专利权人：苏州奥趋光电技术有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化铝晶体的湿法腐蚀工艺，选用熔融NaOH‑KOH低共融混合物作为腐蚀液，可以有效的侵蚀氮化铝晶体的表面，使不同性质的氮化铝晶体表面产生不同特征的形貌；通过对湿法腐蚀温度及湿法腐蚀时间的合理控制，可保证腐蚀过程的平稳；腐蚀前后采用有机溶剂进行清洗，腐蚀后采用浓酸洗去氮化铝晶体表面的熔融碱，使样品表面基本无污染物，避免干扰腐蚀反应及腐蚀后的形貌观察。
一种用于氮化晶体湿法腐蚀工艺

[发明专利]一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法-CN202110507576.7在审
发明人：李龙范;刘金彪;刘青;王垚;杨涛;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，涉及半导体制造技术领域，以解决湿法清洗需要打开工艺腔，造成工艺时间增加，效率降低的问题。一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，该等离子体掺杂工艺腔的清洁方法包括：获取所述工艺腔的污染程度。当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体，利用第一工艺气体对所述工艺腔进行清洗。当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体，利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗。本发明提供的等离子体掺杂工艺腔的清洁方法用于清洗等离子体掺杂工艺腔。
一种等离子体掺杂工艺清洁方法

[外观设计]全自动湿法清洗机台（Cassette less 双8寸）-CN202330062577.5有效
发明人：倪传涛;汤敏涛;刘大威 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全自动湿法清洗机台（Cassette less 双8寸）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于8寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
全自动湿法清洗机台 cassette less

[外观设计]全自动湿法清洗机台（Cassette type 双6寸）-CN202330062581.1有效
发明人：陆佳慧;徐铭;陈丁堃 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全自动湿法清洗机台（Cassette type 双6寸）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于6寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
全自动湿法清洗机台 cassette type

[外观设计]全自动湿法清洗机台（Cassette type 单8寸）-CN202330062579.4有效
发明人：王龙祥;吴凌峰;陈丁堃 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全自动湿法清洗机台（Cassette type 单8寸）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于8寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
全自动湿法清洗机台 cassette type

[外观设计]全自动湿法清洗机台（Cassette type 单12寸）-CN202330062580.7有效
发明人：倪传涛;吴凌峰;刘大威 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全自动湿法清洗机台（Cassette type 单12寸）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于12寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
全自动湿法清洗机台 cassette type 12

[外观设计]全自动湿法清洗机台（Cassette type 双8寸）-CN202330062549.3有效
发明人：陈军宇;徐铭;刘大威 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全自动湿法清洗机台（Cassette type 双8寸）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于8寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
全自动湿法清洗机台 cassette type

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