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[发明专利]一种有效减少水痕缺陷的方法-CN201110265322.5有效
发明人：徐友峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种有效减少水痕缺陷的方法，用于晶片在形成双多晶硅栅的过程中的清洗工艺，当晶片退火（anneal）之后，在进行钨金属硅化物的淀积之前先进行所述清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺包括如下步骤：将所述晶片送入湿式蚀刻清洗系统中；湿法蚀刻所述晶片以去除有机物和微粒子，再对所述晶片进行干燥处理，使所述晶片表面为亲水性表面，以降低水痕缺陷的形成；干法蚀刻去除所述晶体表面的氧化层，以避免水痕残留。
一种有效减少缺陷方法

[发明专利]湿法磷酸生产系统以及湿法磷酸生产方法-CN201710232901.7有效
发明人：胡士清 -专利权人：胡士清
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C01B25/22 文献下载
摘要：本发明涉及化工领域，具体而言，本发明公开了一种湿法磷酸生产系统以及湿法磷酸生产方法。该湿法磷酸生产系统包括设置依次连通的矿料输送设备、矿浆储槽、矿浆浓密槽、矿浆高位槽、萃取槽、料浆浓密槽、磷酸澄清槽以及磷酸存储槽。通过将料浆浓密槽的稠浆排出口连通于稠浆稀释槽的进料口，使过滤清洗设备不参与磷酸原液过滤，只过滤料浆浓密器分离的稀释料浆。有效解决了过滤机及相关管道结垢堵塞的问题。通过工艺优化，极大地提高了生产效率、提高了设备利用率，能够降低产品的生产单耗。该湿法磷酸生产方法，利用上述的湿法磷酸生产系统，从而使得湿法磷酸制酸时，生产效率高。
湿法磷酸生产系统以及方法

[发明专利]光刻胶去除方法及半导体器件制作方法-CN201610307221.2有效
发明人：陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶去除方法及半导体器件制作方法，先在低温环境下对待去除的光刻胶层进行湿法浸泡清洗，从而可以软化并去除该光刻胶层表层的大部分硬壳，同时可以降低整个光刻胶层去除的成本；然后再对清洗后的半导体衬底进行紫外光照射烘干并维持低温，从而改变剩余硬壳的性质，并避免光刻胶内易挥发溶剂散发导致光刻胶聚合物杂质的产生，使其容易通过后续的灰化处理工艺去除，同时对湿法清洗后的半导体衬底进行了烘干，从而为后续灰化处理工艺提供良好的反应环境；最后通过灰化处理工艺快速
光刻去除方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种湿法蚀刻机的水刀清洗装置及方法-CN201711021940.9有效
发明人：徐国军;毛地雅;刘俊林;陈思 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法蚀刻机的水刀清洗装置及方法，其中，水刀清洗装置包括：压缩干燥空气管路，连接在为水洗喷淋单元内的水刀供应去离子水的水刀供给管路上，用于供应压缩干燥空气，压缩干燥空气与水刀供给管路中的去离子水形成二流体，对水刀供给管路及水刀进行清洗；设置在压缩干燥空气管路上的自动阀，用于在湿法剥离机进入空闲状态时自动开启以使压缩干燥空气输送至水刀供给管路中，并在湿法剥离机进入工作状态时自动关闭以断开压缩干燥空气的供应本发明使得循环水过滤器至刀口的整段水刀供给管路连接处、缝隙处皆可得到充分清洗，进一步降低了水刀分叉的可能性，可基本避免因此带来的工艺异常，具有较好的经济效益。
一种湿法蚀刻清洗装置方法

[外观设计]湿法清洗机台（Single 12寸16腔）-CN202330062545.5有效
发明人：陆赛浩;徐铭;刘大威 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：湿法清洗机台（Single 12寸16腔）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于12寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
湿法清洗机台 single 12 16

[外观设计]湿法清洗机台（Single 12寸12腔）-CN202330062544.0有效
发明人：陆赛浩;徐铭;刘大威 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：湿法清洗机台（Single 12寸12腔）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于12寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
湿法清洗机台 single 12

[外观设计]湿法清洗机台（Single 4寸4腔）-CN202330062542.1有效
发明人：陈聪;徐铭;陈丁堃 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：湿法清洗机台（Single 4寸4腔）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于4寸晶元的清洗制造工艺。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
湿法清洗机台 single

[发明专利]一种接触孔形成方法-CN201510271722.5在审
发明人：罗永坚;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔形成方法，在以层间介质层中的初始接触孔为窗口，去除窗口底部的刻蚀阻挡层以形成接触孔之后，且在湿法清洗接触孔前，额外增加了第二次去胶处理工艺来改变表面亲水性，在后续湿法清洗时能完全去除残留在接触孔中的高分子聚合物
一种接触形成方法

[实用新型]湿法-静电二级除尘脱硫装置-CN201020636461.5无效
发明人：陈茂荣;马丛生;俞美娟;徐忠俊;翟华;王兵;姜宜宽 -专利权人：江苏紫光吉地达环境科技股份有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： B03C3/017 文献下载
摘要：湿法-静电二级除尘脱硫装置，它涉及一种除尘脱硫装置。它的水池内设置有污水池和清水池隔板，污水池和清水池隔板下方设置有过滤网，水池一侧水界面下方设置有人工清灰口，烟尘通道设置在水池的水界面上方，水池的下方设置有排污口，水池另一侧水界面上方设置有加药口，水池上方分别设置有湿法除尘脱硫装置和静电除尘脱硫装置，湿法除尘脱硫装置和静电除尘脱硫装置之间设置有间隔板，间隔板上方两侧分别设置有水喷淋装置和自动清洗电场喷淋装置，自动清洗电场喷淋装置上方设置有均流板。它将除尘和脱硫工艺有机地组合在一起，实现前后两级装置都具有除尘和脱硫功能，使除尘和脱硫工艺合二为一，从而达到理想的除尘和脱硫效果，除尘效率高。
湿法静电二级除尘脱硫装置

[发明专利]多相流烟气净化工艺-CN200810228783.3无效
发明人：姜桂英 -专利权人：姜桂英
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明是往多相流烟气喷淋液体或浆“湿法变相工艺”出雾状烟气。再串接雾状烟气进“湿法静电分离工艺“净化出无污染烟气。构成；烟气“湿法变相工艺”串接“湿法静电分离工艺”的多相流烟气净化工艺。
多相烟气净化工艺

[实用新型]一种便于拆卸清洗的湿法制粒机-CN201721045681.9有效
发明人：赵晓明 -专利权人：江西和明制药有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： A61J3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于拆卸清洗的湿法制粒机，包括湿法制粒机本体，所述湿法制粒机本体包括湿法制粒机体，所述湿法制粒机体的顶部连接有密封顶盖，所述密封顶盖的顶部安装有刮粉机构，所述密封顶盖的顶部固定连通有加料斗，所述密封顶盖的底部固定连接有连接块，所述湿法制粒机体的内部包括内壳，所述内壳的顶部开设有连接槽。本实用新型通过使湿法制粒机体与密封顶盖之间进行分离，实现对其进行拆卸，从而方便对湿法制粒机体内部的制粒室进行清洗处理，防止药物沉淀影响药粒的制造过程，达到了便于拆卸清洗的优点，从而有效的解决了现有湿法制粒机不方便进行清洗容易造成药物沉淀影响药粒制造过程的问题
湿法制粒机密封顶盖湿法制粒便于拆卸清洗本实用新型制造过程内壳药粒沉淀顶部安装固定连通机体内部清洗处理连接槽制粒室料斗拆卸

[发明专利]一种铝粉颜料湿法生产工艺-CN202111086418.5在审
发明人：刘荣衍;刘恩鹏 -专利权人：山东银箭金属颜料有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09C1/64 文献下载
摘要：本发明提供一种铝粉颜料湿法生产工艺，涉及铝粉颜料的制备技术领域。该一种铝粉颜料湿法生产工艺，包括以下步骤：S1、铝粉原料的清洗：S2、研磨：将清洗后的铝粉原料、植物油、助剂、研磨料一并投入到研磨机中，依次进行高速研磨、中速研磨、低速研磨；S3、稀释混合液：S4、涂胶保护
一种颜料湿法生产工艺

[发明专利]采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法-CN202010336966.8有效
发明人：麻尉蔚;孙超;陆尉;徐晓林;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：，包括第一氮化硅侧墙，第一氮化硅侧墙对应的第一氮化硅层也覆盖在半导体衬底的背面的第一多晶硅层背面；步骤三、正面生长第二氮化硅层；步骤四、在完成应力转移后进行氮化硅材料刻蚀，包括：步骤41、进行正面单片湿法刻蚀；步骤42、进行酸槽湿法刻蚀将正面的第二氮化硅层完全去除以及将背面的第一氮化硅层保留部分厚度；步骤五、完成后续工艺，后续工艺中的后段工艺包括多次光刻工艺和对应的光刻前清洗工艺，背面保留的第一氮化硅层用于在清洗工艺中对半导体衬底的背面的第一多晶硅层进行保护本发明能提高后段光刻工艺的平整度，提高产品良率。
采用应力记忆技术半导体器件制造方法

[发明专利]湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法-CN202010947256.9在审
发明人：陈信宏;黄焱誊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。
湿法刻蚀控制系统控制方法

[发明专利]具有在位清洗系统的湿法制粒机及其在位清洗方法-CN201210162979.3有效
发明人：方正;谢楠 -专利权人：浙江迦南科技股份有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B01J2/10 文献下载
摘要：本发明公开一种具有在位清洗系统的湿法制粒机，该制粒机用于固体制剂，其包含：湿法制粒的缸体部件；悬挂式湿法整粒机，其连接湿法制粒的缸体部件的出料口；净水线路，其分别连接湿法制粒的缸体部件和悬挂式湿法整粒机的进水口；泵站，其出水端连接净水线路，其进水端分别连接外接的纯净水源、自来水源和压缩空气；污水线路，其分别连接湿法制粒的缸体部件和悬挂式湿法整粒机的出水口，以及泵站的排污口；中央控制单元，其分别电路连接湿法制粒的缸体部件、悬挂式湿法整粒机、净水线路、污水线路、泵站。本发明设有在位清洗系统对设备进行在位清洗，清洗效果好、效率高、避免发生药品交叉污染、节省劳动力、为企业自动化生产提供了条件。
具有在位清洗系统湿法制粒机及其方法

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