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[发明专利]激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法-CN201710939614.X在审
发明人：何志;樊中朝;杨香;王晓峰;刘胜北;刘敏;赵永梅;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳化硅高深宽比深槽孔结构的加工难题，实现了无掩膜的刻蚀，工艺简单，提高了制备效率，可选择性的重复激光辐照与干法刻蚀步骤，由此满足了对碳化硅沟槽深度的更高需求
碳化硅高深宽比孔结构深槽掩膜制备碳化硅材料激光辐照激光辅助加工干法刻蚀步骤干法刻蚀高需求刻蚀重复

[发明专利]一种刻蚀工艺-CN201510610940.7有效
发明人：谢秋实 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤，刻蚀步骤和沉积步骤交替循环，刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，当深宽比达到预设值时，则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体本发明提供的刻蚀工艺，其可以实现更高的深宽比，如60:1甚至更高。
一种刻蚀工艺

[实用新型]基于三维电极的大深宽比三维微型腔结构-CN201721143631.4有效
发明人：唐剑平 -专利权人：深圳市鑫灏源精密技术股份有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于三维电极的大深宽比三维微型腔结构，包括封腔口，所述封腔口的上端设置有高压气体排放孔，所述封腔口的两边均设置有保温墙，所述保温墙内设置有电磁波隔离层，所述电磁波隔离层内设置有电磁线圈，电磁波隔离层的内侧设置有绝缘层，两个所述绝缘层的中间设置有大深宽比电融内腔，解决了传统的大深宽比三维微型腔模具通常在工作过程中要承受较大的高温应力和压差应力的作用，工作环境非常恶劣，热防护相当困难，沿用传统的腔室已难以满足工作需要的问题，以及解决了现有的大深宽比三维微型腔模具的电融内腔采用二级电极进行点解，不仅效率低下，而且腔具的体积很大，制造成本较高的问题。
深宽比微型腔电磁波隔离层三维腔口绝缘层三维电极保温墙传统的内腔模具本实用新型电磁线圈高压气体制造成本中间设置电极上端排放孔热防护腔室压差两边

[发明专利]一种长焦深且高深宽比的艾里光针的产生方法和装置-CN202211634135.4在审
发明人：王立刚;陈来 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种长焦深且高深宽比的艾里光针的产生方法和装置，激光器出射的线偏振光经过准直扩束系统后，入射到加载有特定相位分布的空间光调制器上进行复振幅调制，反射光中的一级衍射光在2‑f透镜系统的后焦面上生成调制圆艾里光场，生成的调制圆艾里光场经透镜聚焦生成具有长焦深且高深宽比的艾里光针，该光针的焦深与深宽比可以通过控制参数精准地控制；生成的可调焦深与深宽比的艾里光针能应用于光学操控与光学成像。
一种焦深高深艾里光针产生方法装置

[发明专利]光栅深刻蚀的方法-CN202010634034.1在审
发明人：王勇禄;晋云霞;曹红超;孔钒宇;张益彬;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。
光栅深刻方法

[实用新型]一种超吸水图案化金属纳米线薄膜-CN202222399120.6有效
发明人：赵强;桂成群;孙胜兵 -专利权人：矽万（上海）半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种超吸水图案化金属纳米线薄膜，所述薄膜包括基层，所述基层的一表面具有第一微米柱阵列，所述基层的与所述一表面相反的另一表面具有第二微米柱阵列，所述第一微米柱阵列中微米柱的宽深比大于所述第二微米柱阵列中微米柱的宽深比所述薄膜的第一微米柱阵列，由于具有较高的宽深比，可以利用毛细力增强自身的吸水效果，能有效降低莱顿弗罗斯特效应的不利影响；而第二微米柱阵列连接高温器件的表面进行传热降温，由于第二微米柱阵列具有较低的宽深比
一种吸水图案金属纳米薄膜

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510056067.8有效
发明人：松本孝典 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明的半导体器件具有：半导体衬底；高深宽比的槽，形成在该半导体衬底的表面，侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度在底面部分一侧成为接近直角的第一倾斜角度，而在开口部分一侧则成为小于第一倾斜角度的第二倾斜角度；以及，低深宽比的槽，以低于上述高深宽比的槽的低深宽比形成，其侧壁部分相对于底面部分的倾斜角度成为从底面部分一侧到开口部分一侧几乎一致、且接近上述第二倾斜角度的第三倾斜角度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种超高深宽比微型气相色谱柱及其MEMS加工方法-CN201010286221.1无效
发明人：杜晓松;廖明杰;王力;熊丽霞;谢光忠;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G01N30/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高深宽比微型气相色谱柱及其MEMS加工方法，该微型气相色谱柱包括多层硅和玻璃，形成一个底层，若干个中间层和一个顶层，利用干法刻蚀技术在各个中间层中形成图案相同的镂空的垂直沟槽，而在底层和顶层中形成半刻蚀的垂直沟槽本发明的特点是采用了键合技术使得各层的深槽在垂直方向上逐层叠加在一起，因此，槽的深度不再受制于干法刻蚀对深宽比的限制，可以实现1mm以上的超深宽比的垂直深槽，从而大幅度地提升色谱的性能。
一种高深微型色谱及其 mems 加工方法

[发明专利]一种高深宽比群窄槽的精密制造工艺及拼装夹具-CN202111390154.2在审
发明人：李学磊;刘晓航;田浩彬;李芳芳 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明涉及高深宽比群窄槽加工技术领域，具体是一种高深宽比群窄槽的精密制造工艺及拼装夹具，包括：对预加工深窄槽工件进行结构分解，得至少两个待加工结构单元；对所述待加工结构单元进行选择性加工，得深窄槽拼接单元；通过拼装夹具对所述深窄槽拼接单元进行拼装，得初级深窄槽工件；对所述初级深窄槽工件进行焊接及表面处理，得深窄槽工件。通过将传统机械加工、特种加工和焊接等制造技术进行耦合，将难加工的深窄槽转变为容易加工的平面，达到避繁就简，避难就易的效果。配合拼装夹具，使得对深窄槽拼接单元的拼接更加便携与精准，利于焊接与表面处理。
一种高深群窄槽精密制造工艺拼装夹具

[发明专利]一种大深宽比槽电解加工电极及加工方法-CN202110779056.1有效
发明人：刘萌;黄明涛;张明岐;程小元 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B23H3/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种大深宽比槽电解加工电极及加工方法，加工电极为圆盘薄片结构，加工电极的内缘外表面涂覆绝缘涂层，并留出抛光圈，在加工电极进给过程中对工件进行侧向加工，加工电极安装在电极轴上，并与机床主轴相连本发明的电极加工方法适用范围宽，不受结构和空间的限制，可以用于大深宽比异形窄槽的高效电解加工，通过改进阴极表面结构、运动方式和电解液供液装置结构，为有效改善大深宽比槽加工过程稳定性提供了技术支撑。
一种大深宽电解加工电极方法

[发明专利]通孔的填充方法，以及半导体器件-CN202310829166.3在审
发明人：张景南;巫碧勤;陈明展;林盛裕 -专利权人：南京屹立芯创半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开一种通孔的填充方法，所述通孔包括半导体硅晶片上开设的通孔，其特征在于，所述方法包括：获取所述通孔的深宽比；基于所述深宽比，确定对所述通孔进行膜压操作的目标膜压参数；控制压膜设备基于所述目标模压参数对所述通孔执行所述膜压操作
填充方法以及半导体器件

[发明专利]沟槽栅的制造方法-CN201710903864.8在审
发明人：杨继业;李昊;王雷;赵龙杰;孙孝翔 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅的制造方法，包括步骤步骤一、在半导体衬底表面形成沟槽；步骤二、形成第一氧化层；步骤三、根据沟槽的深宽比选用涂布层并形成将沟槽完全填充的涂布层；步骤四、采用干法刻蚀工艺对涂布层进行全面回刻本发明能采用较低成本实现BTO，从而能降低工艺成本；能在更小深宽比的沟槽中形成良好的BTO，从而能适用于各种深宽比的沟槽的BTO形成，从而具有较大的使用范围。
沟槽制造方法

[发明专利]硅片的刻蚀方法-CN202011281017.0在审
发明人：朱海云;蒋中伟;王京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请提供一种硅片的刻蚀方法，包括交替执行的以下步骤：主刻蚀步骤：向半导体工艺设备的工艺腔室内通入主刻蚀气体，以对所述硅片进行刻蚀，直至获得具有指定深宽比的沟槽或通孔；辅刻蚀步骤：向所述工艺腔室内通入辅刻蚀气体以继续对执行了所述主刻蚀步骤的硅片进行刻蚀，所述辅刻蚀气体中至少含有一种能够与硅反应生成不挥发性反应产物的气体，且所述辅刻蚀气体对硅片的刻蚀速率小于所述主刻蚀气体对硅片的刻蚀速率；其中，在不同的主刻蚀步骤中，所述指定深宽比不同应用本申请，可以解决现有技术中高深宽比的深硅刻蚀容易出现侧壁形貌粗糙、不平整的问题。
硅片刻蚀方法

[发明专利]一种微通道散热器芯体的加工方法-CN202211283932.2在审
发明人：张玉克;闫周易;王江辉;杨未未;朱航宇;谭超 -专利权人：新乡航空工业(集团)有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23P15/26 文献下载
摘要：本发明解决现有的化学蚀刻加工、线切割加工无法加工超薄筋板、超窄槽道、大深宽比槽道的问题，提升微通道散热器的散热性能。解决了微通道加工手段无法加工超薄、大深宽比的微通道芯体，满足大深宽比的微通道芯体的要求，用于微通道冷板或微通道散热器散热。
一种通道散热器加工方法

[发明专利]用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法-CN200410084556.X无效
发明人：李以贵;宋康;陈水良 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法，用于微细加工技术领域，本发明由于x射线的光强分布是呈高斯分布的，即x射线束浓度是位置的函数，并且x射线的剂量通过开普敦窗口的大小来精确控制，用PMMA作为光刻胶，用x射线曝光，在相同的曝光时间中，曝光深度随着位置的改变也呈高斯分布，从而在光刻胶上得到不同深宽比的微机械构件。本发明曝光时不同的位置会得到不同的曝光量，因此只需一步曝光就可到到深宽比不同的微结构。本发明可应用于复杂微机械或微光学结构的制作，可以减少工艺步骤，节省掩膜制作成本。
射线曝光制造不同微机构件方法