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[发明专利]氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法-CN201210229544.6有效
发明人：孟令款 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明氮化硅薄膜高深宽比孔的刻蚀方法，首先将已经形成半导体所需图形的氮化硅薄膜的半导体器件放入刻蚀腔体内，然后采用干法等离子体工艺，通入高碳链分子碳氟基气体、氧化性气体、稀释性气体、含氢碳氟基气体，加上射频功率，激发出等离子体；经过等离子体稳定步骤后，进行氮化硅薄膜的刻蚀，直至高深宽比孔的刻蚀形貌及孔径大小及深度达到要求。发明采用独特的碳氟基气体刻蚀氮化硅薄膜，通过调节气体组分、功率大小，既可控制深孔侧壁上的碳氟聚合物的沉积量避免孔的关键尺寸变大、又可去除已沉积在深孔底部的聚合物以保证刻蚀可以继续进行，进而能够调节孔的刻蚀形貌
氮化高深刻蚀方法

[发明专利]一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法-CN201310060163.4有效
发明人：王瑞;崔万照;张娜;叶鸣;贺永宁 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数的方法，步骤为：(1)设定入射电子的初始状态；(2)改变入射电子的初始能量，统计不同入射能量下的出射电子数目，获得金属表面的二次电子发射系数；(3)由金属表面微观形貌得到金属表面陷阱结构的分布密度和深宽比；(4)由深宽比和绝对深度建立边界条件，对每次碰撞后的出射电子进行轨迹追踪，判断发生了再次碰撞、被金属壁吸收或者逃逸出陷阱口成为陷阱结构出射的二次电子，最后统计得到陷阱结构口面的二次电子发射系数；(5)
一种确定微波部件金属表面二次电子发射系数方法

[发明专利]大深宽比钨极惰性气体保护焊工艺-CN200610134406.4有效
发明人：陆善平;李殿中 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： B23K35/38 文献下载
摘要：本发明属于焊接领域，具体为高效大深宽比钨极惰性气体保护焊(TIG)焊接工艺和方法，解决TIG焊接的浅熔深、工艺复杂、焊接效率低等问题。该工艺通过向氦基惰性保护气体中加入微量活性气体(氧气或二氧化碳)，在焊接过程中微量活性气体分解并向液态焊接熔池溶解，调整熔池中活性组元氧的含量，改变熔池表面张力温度梯度系数和熔池对流方向，从而控制熔池内热对流和热传播方向，获得高深宽比熔池形貌
大深宽惰性气体保护焊工

[发明专利]提高离子注入区的深宽比的制造方法-CN201711178339.0有效
发明人：吴智勇;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高离子注入区的深宽比的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底的正面依次形成第一隔离层和第一多晶硅层；步骤二、形成第二介质层；步骤三、进行光刻将离子注入区之外的区域打开并将离子注入区之外的第二介质层本发明能使离子注入区的宽度和深度分开可调，从而能提高离子注入区的深宽比。
提高离子注入制造方法

[发明专利]一种大深宽比、高负载微型超级电容的制造方法-CN201910571305.0有效
发明人：李祥明;邵金友;李聪明;武莉峰;王春慧;田洪淼;陈小亮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：一种大深宽比、高负载微型超级电容的制造方法，先将卷装的柔性透气性薄膜铺展在张紧辊、挤压辊之间作为柔性衬底，将活性物质浆料涂覆在柔性透气性薄膜上，底部通过加热形成多孔电极薄膜；溶胶电解质涂覆在多孔电极膜上形成具有良好机械性能的柔性电极薄膜；将柔性电极薄膜置于激光器的焦平面，经程序控制快速加工精细的微型3D电极；随后将溶胶电解质经供料刮刀涂覆在微型3D电极间隙中，待溶剂挥发，即完成微型超级电容的制造；本发明能够制备大深宽比
一种大深宽负载微型超级电容制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310297915.2有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决电容器随着深宽比的增加易坍塌的技术问题，该半导体结构包括基底，基底具有阵列区；多个电容器，设置于基底的阵列区上；框架结构，设置于基底的阵列区上本申请能够提高电容器的机械强度，避免了电容器随着深宽比的增大而倾斜，甚至坍塌的情况，从而提高了半导体结构的良率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置及半导体结构的制造方法-CN201010143365.1无效
发明人：朴志洙;詹姆斯·G·费兰札 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：于一实施例中，第一半导体结晶材料可采用深宽比捕捉技术而为位于一绝缘物内且具有足以捕捉缺陷的一深宽比的一开口所限制。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]一种高密度无机材料光栅的制备方法-CN200710018545.5无效
发明人：赵高扬;王哲哲 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2007-08-27 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度无机材料光栅的制备方法，首先采用感光溶胶－凝胶法制备感光薄膜，进而采用激光干涉法制备高密度光栅，结合热处理工艺获得无机薄膜光栅，接着采用化学刻蚀法以提高光栅的深宽比，最后对光栅进行表面镀金处理该方法有效地结合激光干涉法和化学刻蚀法，采用碘饱和的KOH各向异性刻蚀剂对无机光栅进行湿法化学刻蚀，提高光栅的深宽比，从而有效地提高光栅的衍射效率，对刻蚀后的光栅进行表面镀金处理，提高光栅的表面光洁度和反射率
一种高密度无机材料光栅制备方法

[发明专利]电动切割工具-CN201710074228.9有效
发明人：吉绍山;张家良;陈国军 -专利权人：苏州宝时得电动工具有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B23D45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电动切割工具，包括：壳体组件，包括具有工作头的机身、底板以及护罩本体；切深指示装置，可活动地设置于所述护罩本体上，所述切深指示装置可以设定所述工作头能够伸出所述底板的最大距离；及切宽指示装置，可活动地设置于所述底板上，且所述切深指示装置与所述切宽指示装置联动，所述切深指示装置设定所述最大距离时，所述切宽指示装置能够指示对应的切割宽度。通过切深指示装置与切宽指示装置联动得到当前切割深度下的切割宽度，并且，通过切割宽度指示装置能够明确得知当前深度下工作头的切割宽度，有效的解决目前的电动切割工具在切深时不能得知具体切宽的问题，方便用户使用
切深指示装置指示装置切割电动切割工具底板护罩本体最大距离工作头可活动联动宽度指示装置壳体组件下工作头用户使用机身切深伸出

[实用新型]电动切割工具-CN201720125252.6有效
发明人：吉绍山;张家良;陈国军 -专利权人：苏州宝时得电动工具有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： B23D45/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电动切割工具，包括壳体组件，包括具有工作头的机身、底板以及护罩本体；切深指示装置，可活动地设置于所述护罩本体上，所述切深指示装置可以设定所述工作头能够伸出所述底板的最大距离；及切宽指示装置，可活动地设置于所述底板上，且所述切深指示装置与所述切宽指示装置联动，所述切深指示装置设定所述最大距离时，所述切宽指示装置能够指示对应的切割宽度。通过切深指示装置与切宽指示装置联动得到当前切割深度下的切割宽度，并且，通过切割宽度指示装置能够明确得知当前深度下工作头的切割宽度，有效的解决目前的电动切割工具在切深时不能得知具体切宽的问题，方便用户使用
电动切割工具

[发明专利]高压超结结构的制备方法-CN201810082225.4在审
发明人：吴凯;朱阳军;胡少伟 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压超结结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、对半导体衬底进行沟槽刻蚀，以得到宽槽；步骤2、在上述宽槽的上方进行第二导电类型外延层的淀积，以得到第二导电类型外延层；步骤3、在上述宽槽上方进行第一导电类型外延层的淀积，以得到第一导电类型外延层；步骤4、重复上述第二导电类型外延层与第一导电类型外延层的淀积工艺步骤，直至将宽槽填满；步骤5、对上述半导体衬底的正面、背面进行减薄，以得到第二导电类型柱与第一导电类型柱交替排列的超结结构本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，采用具有较小深宽比的常规刻蚀工艺，形成长宽比更大的硅柱，不需要增加额外的光刻和注入，从而降低了成本。
第一导电类型宽槽导电类型外延层超结结构外延层衬底淀积制备半导体常规刻蚀工艺导电类型淀积工艺工艺步骤工艺兼容沟槽刻蚀交替排列长宽比深宽比光刻硅柱减薄填满背面重复

[发明专利]一种航空变频电源系统深槽转子异步电动机设计方法-CN201210240346.X无效
发明人：王娜;肖春燕;杜肖飞;周元钧;郭农生;沈琳 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H02K17/20 文献下载
摘要：本发明提出一种航空变频电源系统深槽转子异步电动机设计方法，应用于航空变频交流供电领域。该方法在现有异步电动机结构设计的基础上，首先进行变频电源供电系统电机启动特性分析，确定不同频率下异步电机起动电流和起动转矩的关系，然后考虑深槽转子电机的集肤效应，分析改变深宽比对转子电阻和漏抗的影响，并推导其计算公式再考虑电源频率的影响，综合设计转子深宽比，实现异步电动机最佳启动性能。最后通过仿真验证方法的可行性。在进行深槽设计时，保证槽面积不变，以实现正常运行时转子铜损耗基本不变。
一种航空变频电源系统转子异步电动机设计方法

[发明专利]充气轮胎-CN201310367080.X有效
发明人：中嶋努 -专利权人：住友橡胶工业株式会社
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B60C11/03 文献下载
摘要：该充气轮胎在胎面部（2）设置有一对主沟（3），它们在轮胎赤道（C）的两侧沿轮胎周向连续地延伸；多条横纹沟（4），它们从主沟（3）朝轮胎轴向外侧延伸、且在比胎面接地端（Te）靠轮胎轴向内侧的位置形成终端。横纹沟（4）的沟宽为胎面接地宽度（TW）的3%～11%。横纹沟（4）包括与主沟（3）连接、且沟深较小的浅底部（11）；沟深大于该浅底部（11）的沟深的深底部（13）；以及将该深底部（13）和浅底部（11）连接、且沟深朝向浅底部（11）逐渐减小的锥部（12）。
充气轮胎

[发明专利]基型裁剪法-CN94104751.2无效
发明人：路红;郭璐 -专利权人：路红
申请日： 1994-04-27 - 公布日： 1998-08-19 - 主分类号： A41H3/00 文献下载
摘要：一种基型裁剪法，它以一个平分式基础图型和一个四六式基础图型为基础，以胸围为基数，以Ａ为系数配制领、袖，套裁各种款式的服装，裁剪方法是，前领宽＝０．２领长，前领深＝０．２领长，后领深＝２．３ｃｍ，后领宽＝前后袖笼与前后肩坡分别对应相交成为直角，其中后袖笼比前轴笼长２ｃｍ。抬高前后肩坡０．５—１ｃｍ，袖山头抬高０．５—１ｃｍ。
裁剪

[发明专利]一种光伏电极-CN202310354388.4在审
发明人：李民 -专利权人：上海海优威新材料股份有限公司;上海海优威应用材料技术有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电极，尤其是一种设置在平面上的光伏电极，主要是在一载体上开设具有高深宽比的槽，并于所开设的槽内填入复数铜丝，同时，于槽的开口处则选择性地加设有导电材料，并在导电材的周边设置一胶粘层，其中，所述槽的深宽比至少为1.5:1；以此方式设置的导线在使用时，才不致于会对后续的电池产生过大的遮蔽；同时，在保证电极不熔断的前题下，电极具有最大的截面积。
一种电极