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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]沟槽隔离结构-CN201821434102.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沟槽隔离结构，结构包括：衬底，衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部，第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部本实用新型通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部，并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部，侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比，从而可以对绝缘介质进行保护
绝缘部凸起部侧壁保护绝缘介质衬底沟槽隔离结构本实用新型侧壁延伸部绝缘介质层凸起连接部侧壁刻蚀选择比支撑层减小覆盖填充腐蚀

[发明专利]一种降低CMOS器件漏电的方法-CN202110731428.3在审
发明人：肖瑟;李玉科 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低CMOS器件漏电的方法，包括：在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽；填充氧化物，以形成第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构；刻蚀部分深度的第一沟槽隔离结构形成第三沟槽，刻蚀部分深度的第二沟槽隔离结构形成第四沟槽；填充硅，以形成第三沟槽隔离结构和第四沟槽隔离结构；在衬底上形成栅极结构；在衬底内形成n型阱区，覆盖所述第三沟槽隔离结构和第四沟槽隔离结构，并且，位于剩余的所述第一沟槽隔离结构和剩余的第二沟槽隔离结构的上方并与其均接触相比于现有技术，剩余的第一沟槽隔离结构和剩余的第二沟槽隔离结构能阻挡沟道击穿产生的电流，并且，相对于PN结，阻挡沟道击穿电流的效果更好。
一种降低 cmos 器件漏电方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构-CN202211411665.2在审
发明人：刘欠欠;李钊;黄永彬;李乐 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构；于所述基底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有开口；其中，所述开口暴露出所述初始浅沟槽隔离结构；基于所述开口，对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，以改变外露于所述基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，得到浅沟槽隔离结构。通过改变外露于基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，使得获得的浅沟槽隔离结构的外露于基底的这部分结构不易被刻蚀，后续制程中各种刻蚀、清洗工艺不会对浅沟槽隔离结构造成破坏，避免在浅沟槽隔离结构中产生凹坑，帮助提升器件性能
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]一种双层浅沟槽隔离结构、制备方法及横向扩散MOS管-CN201310157307.8有效
发明人：刘婧颖;何亮亮;杨大为;王艳生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种双层浅沟槽隔离结构、制备方法及横向扩散MOS管。双层浅沟槽隔离结构包括：在半导体衬底的漂移区内设有双层浅沟槽隔离结构，双层浅沟槽隔离结构分上下两层，上层浅沟槽隔离结构具有两倾斜侧壁，上层浅沟槽隔离结构的两侧壁顶端与漂移区表面所形成的角为钝角，且上层浅沟槽隔离结构的底部完全是下层浅沟槽隔离结构的顶部，浅沟槽隔离结构内填充有绝缘介质。本发明利用具有倾斜侧壁的上层浅沟槽隔离结构，并对双层浅沟槽隔离结构内的尖角进行圆化或钝化处理，避免了鸟嘴效应的产生；上层浅沟槽隔离结构的存在可以扩宽下层浅沟槽隔离结构的底部拐角处的耗尽区域，避免产生新的密集电场
一种双层沟槽隔离结构制备方法横向扩散 mos

[发明专利]一种埋入式栅极结构及其制造方法-CN201811074332.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种埋入式栅极结构及其制造方法，该方法包括：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中形成有源区及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；于所述有源区中形成有源沟槽及于所述浅沟槽隔离结构中形成隔离沟槽；所述有源沟槽包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；所述隔离沟槽包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中形成栅极结构。
一种埋入栅极结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310316092.3有效
发明人：陈维邦 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，第二有源区的数量大于第一有源区的数量；其中，多个浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的深度和第二浅沟槽隔离结构的深度不同，第一浅沟槽隔离结构为相邻两个第一有源区之间的浅沟槽隔离结构或第一有源区与第二有源区之间的浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构为相邻两个第二有源区之间的浅沟槽隔离结构。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法-CN202110776208.2在审
发明人：乔梦竹 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在解决浅沟槽隔离结构附近的漏电流的问题。该浅沟槽隔离结构包括衬底、第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层。衬底包括第一沟槽，第一隔离层位于第一沟槽中，且第一隔离层中具有第二沟槽；第二隔离层位于第二沟槽中，且第二隔离层中具有第三沟槽；第三隔离层填充第三沟槽；第二沟槽为V型槽，第二隔离层的底表面为与第二沟槽的形状相适配的本发明能够有效减小相邻的源/漏区在浅沟槽隔离结构处的漏电流，从而提高浅沟槽隔离结构的隔离效果。
沟槽隔离结构及其制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201210398971.7在审
发明人：赵学法;石强;田守卫;李志国;孙洪福 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内以及衬底表面沉积介质层，所述介质层填充满隔离沟槽并覆盖隔离沟槽两侧的衬底；对所述介质层进行回刻；对回刻后的介质层进行平坦化，至暴露出衬底，形成浅沟槽隔离结构。本发明浅沟槽隔离结构的形成方法改善了所形成浅沟槽隔离结构表面的平整度，提高所形成浅沟槽隔离结构的隔离性能，进而提高包括所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的性能。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法-CN200710047358.X无效
发明人：吴国燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法，其制作在硅衬底上。现有技术在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层后还进行高温退火致使热应力加剧，从而使制成的沟槽隔离结构产生边角损伤。本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法先在该硅衬底上制作隔离氧化层、保护阻挡层；接着光刻并刻蚀出隔离沟槽；然后在隔离沟槽壁上制作隔离氧化层；之后通过化学气相沉积工艺填充该隔离沟槽；最后进行化学机械抛光工艺以形成沟槽隔离结构采用本发明的可减少边角损伤的沟槽隔离结构制作方法可大大减少沟槽隔离结构的边角损伤，大大提高沟槽隔离结构的质量。
一种减少边角损伤沟槽隔离结构制作方法

[实用新型]一种埋入式栅极结构-CN201821506853.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种埋入式栅极结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；隔离沟槽，包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽，及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；以及栅极结构，形成于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中。
隔离沟槽后段源区浅沟槽隔离结构本实用新型埋入式栅极衬底半导体栅极结构集成度晶体管隔离

[发明专利]一种深沟槽隔离结构及其制备方法-CN201410072259.7在审
发明人：王刚宁;王海强;陈宗高;俞谦荣;杨广立;蒲贤勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种深沟槽隔离结构及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；图案化所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底，以在所述浅沟槽隔离结构和所述半导体衬底中形成深沟槽；在所述深沟槽的侧壁上形成氧化物保护层；选用半导体材料填充所述深沟槽，以形成深沟槽隔离结构。通过本发明所述方法制备得到的深沟槽隔离被所述浅沟槽隔离结构包围，增强了所述深沟槽隔离结构的隔离效果，工艺上对准要求降低，减少了工艺步骤，增加了工艺可实现度。
一种深沟隔离结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910690252.4在审
发明人：赖惠先;林昭维;朱家仪;李秋茂;吴仁国;吕前宏;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性；并且，还有利于简化各个沟槽隔离结构的制备难度，提高半导体器件的生产效率
半导体器件及其形成方法

[实用新型]半导体器件-CN201921204552.9有效
发明人：赖惠先;林昭维;朱家仪;李秋茂;吴仁国;吕前宏;童宇诚 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性；并且，还有利于简化各个沟槽隔离结构的制备难度，提高半导体器件的生产效率
半导体器件

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制作方法-CN201811372753.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，浅沟槽隔离结构包括：衬底，衬底中形成有第一沟槽以及与沟槽底部连通的第二沟槽，第二沟槽的顶部宽度大于沟槽的底部宽度；侧壁保护层，形成于沟槽的侧壁；以及绝缘材料，填充于第二沟槽以及第一沟槽中本发明通过对第一沟槽的侧壁进行保护后进一步刻蚀出延伸沟槽，通过热氧化及去除热氧化层的方法，扩展了延伸沟槽的宽度，避免浅沟槽隔离结构出现锥形结构而影响蚀刻深度和沟槽宽度的问题，可有效增强浅沟槽隔离结构的隔离效果本发明在浅沟槽隔离结构的侧壁增加侧壁保护层，可有效增加浅沟槽隔离结构的势垒，防止热载流子进入到沟槽内，减小漏电流的产生，提高晶体管之间的隔离效果。
沟槽隔离结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构以及其制作方法-CN201810297785.1有效
发明人：永井享浩 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，该半导体结构的制作方法包括下列步骤，形成多个第一沟槽隔离，且各第一沟槽隔离的至少一部分形成于一基底中。在形成第一沟槽隔离之后，在基底中形成多个第二沟槽隔离。各第一沟槽隔离平行于各第二沟槽隔离。多个第二沟槽隔离中的一个形成于多个第一沟槽隔离中相邻的两个之间，且第一沟槽隔离之间的节距等于第二沟槽隔离之间的节距。半导体结构包括基底、多个第一沟槽隔离以及多个第二沟槽隔离。第一沟槽隔离的材料不同于第二沟槽隔离的材料。
沟槽隔离半导体结构基底节距制作平行

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