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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]金属导线结构以及沟槽制造方法-CN201110059105.0有效
发明人：陈信琦;廖俊雄;赖育聪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种金属导线结构以及沟槽制造方法，其中金属导线结构包含基板、目标层、沟槽以及导线。目标层位于基板上方；沟槽形成于目标层中，沟槽底部具有微沟槽且微沟槽的深度不大于50埃；导线镶嵌于沟槽中。
金属导线结构以及沟槽制造方法

[发明专利]互连电路结构-CN202110074150.7在审
发明人：王锦喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请提供一种互连电路结构，用于深沟槽电容器，所述深沟槽电容器包括电容沟槽组，包括：前层互连导线，包括：第一前层互连导线，位于所述电容沟槽组的侧上方且与所述电容沟槽组的延伸方向相同；多条第二前层互连导线，位于所述电容沟槽组上且在所述电容沟槽组的延伸方向间隔排布，所述第二前层互连导线横跨所述电容沟槽组且一端与所述第一前层互连导线相连；后层互连导线，位于所述第二前层互连导线和部分所述第一前层互连导线上；若干贯穿导线，排布于所述前层互连导线和后层互连导线之间，形成迂回的互连电路结构。本申请技术方案的互连电路结构可以改善深沟槽电容器在高频下的性能，提高深沟槽电容器的高频适配性。
互连电路结构

[发明专利]具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法-CN201310188874.X有效
发明人：崔宰福;李圭现;张美贞;崔荣振;许宙永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。
具有限定有源线型沟道半导体装置及其形成方法

[发明专利]具有限定有源区的线型沟道的半导体装置-CN201810251036.5有效
发明人：崔宰福;李圭现;张美贞;崔荣振;许宙永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。
具有限定有源线型沟道半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610934242.7有效
发明人：金洛焕;金秉熙;金镇南;白宗玟;李来寅;郑恩志 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种导线卡线装置-CN202220696605.9有效
发明人：郎建山;葛来龙;黄芸;王中玉;杨合恭 -专利权人：江苏国电南自电力自动化有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H02G1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了电力检修和导线敷设技术领域的一种导线卡线装置，包括外壳和夹持体；所述外壳的内部设有用于放置夹持体的沟槽；所述沟槽的上平面水平设置，沟槽的下平面与上平面间形成夹角；所述夹持体位于沟槽中且夹持体能够在沟槽中移动；当水平放置外壳时，夹持体位于沟槽的下平面的最低处，当导线的一端通过靠近夹持体一侧的通槽穿进线槽并从沟槽另一端的通槽穿出后，朝向远离夹持体的一侧倾斜外壳，夹持体在沟槽中移动到下平面的高处，此时导线被夹持体夹持，起到牵引导线的作用。解决了现有卡线器不便携带，夹持导线直径较大，对于导线敷设施工检修过程中较细导线的夹持和牵引无能为力的问题，同时避免徒手牵引导线对手的伤害。
一种导线线装

[发明专利]通过双图案化和填充技术来形成不同金属材料的平行导线的方法-CN201480047259.X有效
发明人： J·S·克拉克;A·C·施米茨;R·E·申克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种集成电路和形成集成电路的方法，该集成电路包括包含表面的第一电介质层、在电介质层的表面中定义的多个第一沟槽、以及多条第一导线，其中，在第一沟槽中的每个沟槽中形成第一导线中的每条导线。该集成电路还包括在电介质层的表面中定义的多个第二沟槽、以及多条第二导线，其中，在第二沟槽中的每个沟槽中形成第二导线中的每条导线。此外，第一导线包括具有第一体电阻率的第一材料，并且第二导线包括具有第二体电阻率的第二材料，其中，第一体电阻率和第二体电阻率不同。
通过图案填充技术形成不同金属材料平行导线方法

[发明专利]具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法-CN03141197.5有效
发明人：徐裕盛;陈逸男;张明成 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种防止具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的埋入带区域重迭的方法，包括下列步骤：提供一具有至少一沟槽的基底；于沟槽下部形成一电容器；于电容器上方形成一导线结构；于导线结构上方形成第一沟槽顶端绝缘层；于第一沟槽顶端绝缘层上方的沟槽侧壁上形成一介电层间隙壁；去除第一沟槽顶端绝缘层以露出介电层间隙壁与导线结构之间的沟槽侧壁；于该沟槽侧壁周围的基底中形成一埋入带；去除介电层间隙壁；于导线结构上方形成第二沟槽顶端绝缘层；于第二沟槽顶端绝缘层上方的沟槽中形成一控制闸极。
具有垂直晶体管沟槽电容器存储器装置制造方法

[实用新型]具有接点沟槽的预成形导线架-CN201820031540.X有效
发明人：黄嘉能 -专利权人：长华科技股份有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种具有接点沟槽的预成形导线架，包含多个彼此成间隙设置的导线架单元，框围所述导线架单元的板框，及预成形胶层。该预成形胶层填置于所述导线架单元间的间隙，具有与所述导线架单元的底面共平面的下表面，及多条自该下表面向上形成并延伸至该板框的接点沟槽，其中，每一条接点沟槽反向该板框的一端与该至少一导线架单元连通。该具有接点沟槽的预成形导线架不仅便于封装使用，且利用所述接点沟槽还可更易于后续封装制程时的焊锡检测。
导线架单元预成形导线架板框下表面胶层封装间隙设置共平面底面焊锡框围制程连通检测延伸

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201010551475.1无效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有暴露出插塞的金属导线沟槽，所述金属导线沟槽两侧的半导体衬底上覆盖有氮化硅硬掩模层；在半导体衬底上涂布光刻胶，所述光刻胶填满半导体衬底中的金属导线沟槽并完全覆盖半导体衬底表面上的硬掩模层；去除氮化钛硬掩模层上的光刻胶，保留金属导线沟槽中光刻胶；去除氮化钛硬掩模层；去除金属导线沟槽中的光刻胶。本发明通过去除干法刻蚀金属导线沟槽时的氮化硅硬掩模层，降低了金属导线沟槽的深宽比，避免在后续铜电镀工艺中产生电镀空洞，提高了CMOS器件的可靠性和良品率。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种导线及其形成方法-CN202210326066.4在审
发明人：游咏晞;郑志成;黄震麟;吴启明 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种导线及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度；以及在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线。本发明通过增加了对沟槽底壁上的阻挡层进行物理轰击工艺，可以改变沟槽的形状，同时还增大了金属材料的填充纵截面，可以有效降低导线的阻值，具体的，可以降低导线的阻值约5%，减少了RC延迟现象的发生，提升了导线响应速度
一种导线及其形成方法

[发明专利]一种带有沟槽的芯片结构-CN202110974984.3在审
发明人：孙先国 -专利权人：孙先国
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有沟槽的芯片结构，包括芯片本体，芯片本体的内壁左侧设置有若干第一沟槽，芯片本体的内壁右侧设置有若干第二沟槽，芯片本体的内壁底部设置有若干第三沟槽，干第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的内部用于电线的放置本发明采用上述结构，在芯片的内壁刻出横向沟槽或斜向沟槽用于铺设导线，既可以用于单向导线的放置，也可以用于双向导线的放置，多个沟槽的设置，增加了导线的容纳空间，节约了芯片表面空间，保证了其外侧的整洁；且上述结构层上设置有防水层
一种带有沟槽芯片结构

[发明专利]互连结构的制造方法-CN201010613383.1无效
发明人：李凡;胡敏达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构的制造方法，通过在干法刻蚀形成金属导线沟槽和湿法清洗金属导线沟槽中的刻蚀残留物之后，利用含氟的酸性溶液湿法清洗所形成金属导线沟槽开口处的氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层，去除部分氧化硅和氮化钛，进而使得金属导线沟槽的氧化硅保护层和氮化钛硬掩模层开口宽度与氧化硅保护层下方的低介电常数介质层的开口宽度对应，改善了所形成的金属导线沟槽的形态，利于后续工艺中籽晶层和金属互连线的沉积，提高了所制造半导体器件的性能
互连结构制造方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法-CN200510129766.0无效
发明人：李永忠;陈世宪;黄汉屏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种非挥发性存储器单元，其包括基底、导体层、电荷储存层、第一掺杂区、二个第二掺杂区、第一导线及第二导线。基底中具有沟槽，而导体层配置于基底中并填满沟槽。电荷储存层配置于导体层与基底之间。第一掺杂区，配置于沟槽下方的基底中，而二个第二掺杂区分别配置于沟槽两侧的基底中。第一导线及第二导线，配置于基底上，分别电连接于二个第二掺杂区，且第一导线与第二导线为平行排列。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[实用新型]具有耳机线收纳装置的耳机-CN201020231020.7有效
发明人：吴进兴;刘祥裕 -专利权人：乐荣工业股份有限公司
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：一种具有耳机线收纳装置的耳机，包含耳机线，其具有二导线；被覆，围绕在其中一根导线的周围，具有沿长方向设置的沟槽；及滑套，被安置在被覆上滑动，具有开口面对被覆的沟槽，供另一导线的一端穿出被覆。当滑套往前滑动时，可以将另一导线压入被覆的沟槽中，使二导线并列；当滑套向后滑动时，能够把另一导线从被覆的沟槽中推挤出来。该耳机又包含伸缩式卷线器，可以依使用所需调整耳机线长度。
具有耳机线收纳装置耳机

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