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[发明专利]基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法-CN201510287664.5有效
发明人：张雄;张恒;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。
基于金属氮化物半导体极性发光二极管制备方法

[发明专利]氮面极性氮化镓外延结构制造方法-CN201811092015.X有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮面极性氮化镓外延结构制造方法，包括：提供一氮化镓模板，所述模板包括衬底和位于所述衬底上的第一氮面极性氮化镓层；在所述第一氮面极性氮化镓层表面再生长氮化镓，形成第二氮面极性氮化镓层；在所述第二氮面极性氮化镓层上依次生长势垒层和沟道层本发明所提出的氮面极性的氮化镓外延结构制造方法能够简单的生长出氮面极性的氮化镓，并且能够有效消除射频分散现象，有利于氮面极性氮化镓外延结构的大规模生产和利用。
氮面极性氮化镓外延结构氮化镓层氮化镓衬底制造氮化镓模板分散现象沟道层生长势再生长垒层射频生长

[发明专利]半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201410147977.6有效
发明人：项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。
极性氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]回收碳面极性碳化硅衬底的方法-CN201811104661.3有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提出一种回收碳面极性碳化硅衬底的方法，包括：提供一外延结构，所述外延结构包括待回收的碳面极性碳化硅衬底、以及依次层叠于所述碳化硅衬底上的氮面极性的氮化镓缓冲层、势垒层和氮面极性的氮化镓沟道层；采用湿法刻蚀去除所述氮面极性的氮化镓沟道层、势垒层和氮面极性的氮化镓缓冲层；清洗所述碳面极性碳化硅衬底并吹干。本申请所提出的碳面极性的碳化硅衬底的回收方法，能够加快去除外延结构的速率，加快了回收效率，并且无需使用抛光和研磨工艺，不会减少碳化硅衬底的厚度，降低了后续工艺的难度。
碳化硅衬底碳面氮面极性回收外延结构氮化镓缓冲层氮化镓沟道层势垒层去除后续工艺湿法刻蚀依次层叠研磨抛光吹干申请清洗

[发明专利]外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202110733583.9在审
发明人：钱洪途;裴轶;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法，该外延结构包括：衬底；半导体层，位于衬底一侧，半导体层远离衬底一侧的表面为金属极性面；氮极性面帽层，位于半导体层远离衬底的一侧。具有金属极性面的半导体层和氮极性面帽层形成复合极性外延结构，形成半导体器件时，具有强负电性的氮极性面帽层，在常温下即可与源极和漏极形成良好的欧姆接触，无需高温处理，能够降低工艺难度，半导体层可作为氮极性面帽层的湿法腐蚀自停止层
外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管-CN201610327873.2在审
发明人：张雄;王南;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管，该发光二极管包括由下而上依次设置的衬底(101)、金属极性面n型氮化物层(102)、金属极性面多量子阱层(103)、金属极性面p型氮化物层(104)、由金属极性面p型电子阻挡层(1051)和氮极性面p型电子阻挡层(1052)组成的复合极性面p型电子阻挡层(105)、氮极性面p型氮化物层(106)、所述金属极性面n型氮化物层上设置的n电极(107)和所述氮极性面复合极性面电子阻挡层在导带形成较高的电子势垒，阻挡电子越过多量子阱有源区进入p型区，从而可以减小漏电流，增加电子与空穴进行辐射复合的几率。
一种具有复合极性电子阻挡发光二极管

[发明专利]III族氮化物单晶基板的清洗方法及制造方法-CN202280007650.1在审
发明人：福田真行;山本玲绪 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供可抑制III族氮化物单晶基板的氮极性面粗糙并去除异物的III族氮化物单晶基板的清洗方法及III族氮化物单晶基板的制造方法。本发明的III族氮化物单晶基板的清洗方法，其特征在于，其是具有III族元素极性面与设于该III族元素极性面的背面的氮极性面的III族氮化物单晶基板的清洗方法，以包含氟系有机化合物的清洗剂清洗前述氮极性面
iii 氮化物单晶基板清洗方法制造

[发明专利]一种高质量氮极性氮化铝模板的制作方法-CN202111176826.X在审
发明人：王新强;袁冶;刘上锋;王钇心;李泰;万文婷 -专利权人：中紫半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高质量氮极性氮化铝模板的制作方法，包括以下步骤：步骤S1、选择镓极性面的氮化镓衬底，对其进行化学清洗；步骤S2、利用物理气相沉积方法在氮化镓衬底上制备铝极性氮化铝模板；步骤S3、将所制备的铝极性氮化铝模板的铝极性面一侧键合至键合衬底上，施加压力实现其紧密贴合；步骤S4、将上述过程实现的复合结构进行高温退火处理，使得键合一侧的铝极性面与键合衬底成键，同时氮化镓单晶衬底在高温条件下分解使得氮化铝的氮极性面暴露；步骤S5、在氮气环境下自然冷却降温，获得具有高质量氮极性氮化铝模板。其优点在于：能够多种衬底上实现高质量氮极性氮化铝模板的制备，该方法应用前景广阔，易于操作，适合大规模生产。
一种质量极性氮化模板制作方法

[发明专利]一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管-CN202010812552.8有效
发明人：姜全忠 -专利权人：深圳市奥谱太赫兹技术研究院
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管，其中所述方法包括：⑴提供异质生长衬底；⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。
一种 iii 氮化物结构及其制备方法晶体管

[发明专利]氮化铝单晶基板的清洗方法、氮化铝单晶层叠体的制造方法、和氮化铝单晶基板的制造方法、以及氮化铝单晶基板-CN202180060190.4在审
发明人：福田真行;古家大士 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种氮化铝单晶基板的清洗方法，其为对具有铝极性面和出现在该铝极性面的背面的氮极性面的氮化铝单晶基板进行清洗的方法，所述清洗方法包括如下工序(a)：对前述氮极性面的表面进行刷洗清洗。
氮化铝单晶基板清洗方法铝单晶层叠制造以及

[发明专利]氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310217539.1在审
发明人：吴先民;方雪冰;梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，沟道层的氮极性面朝上，且沟道层上方设置有栅电极和与沟道层形成欧姆接触的源电极及漏电极本发明通过采用GaN作为沟道层，且GaN朝向电极的一面为氮极性面，氮极性面的每个晶胞具有三个悬挂键，在与金属形成欧姆接触时极大程度上降低了接触电阻，从而降低器件在工作状态下的自热效应，以降低晶体管的自热效应
极性氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310216625.0在审
发明人：吴先民;梁帅;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，增强型氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，沟道层的氮极性面朝上，且源电极和漏电极分别位于沟道层相对的两侧本发明GaN朝向电极的一面为氮极性面，氮极性面的每个晶胞具有三个悬挂键，在与金属形成欧姆接触时极大程度上降低了接触电阻，从而降低了晶体管的发热，同时通过p‑GaN将沟道层与势垒层之间二维电子气产生的电子耗尽
增强极性氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]外延结晶生长用自立基板及功能元件-CN202180043074.1在审
发明人：坂井正宏;吉野隆史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板21具有氮极性面21a和13族元素极性面21b。氮极性面21a呈凸状翘曲，在氮极性面21a的外周部21c设置有倒角部21c。
外延结晶生长自立功能元件

[发明专利]一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法-CN201711092025.9有效
发明人：张源涛;闫龙;邓高强;韩煦;李鹏翀 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n‑GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层组成，其中氮极性GaN模板层中有SiN
一种带有极化诱导掺杂极性紫光 led 芯片制备方法

[发明专利]在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法-CN201810600932.8在审
发明人：刘通;黄荣;李坊森;黄增立;陆晓鸣;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氮化镓衬底的氮极性面上制备欧姆接触电极的方法，其包括：在真空环境中将所述氮化镓衬底送入到刻蚀装置中；控制所述刻蚀装置对所述氮化镓衬底的氮极性面进行等离子体刻蚀处理；在真空环境中将所述氮化镓衬底从所述刻蚀装置转移到沉积装置中；控制所述沉积装置在所述氮化镓衬底的氮极性面上沉积金属薄膜，形成所述欧姆接触电极。该方法可以降低氮化镓衬底的氮极性面与金属电极之间的欧姆接触电阻，并且还提高了欧姆接触的热稳定性。
氮化镓衬底刻蚀装置欧姆接触电极沉积装置氮极性面真空环境氮极性等离子体刻蚀处理沉积金属薄膜欧姆接触电阻金属电极欧姆接触热稳定性制备送入

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