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[实用新型]一种氮化镓外延片及半导体器件-CN202122921034.2有效
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓外延片及包含氮化镓外延片的半导体器件。所述氮化镓外延片包括：衬底层，缓冲层，多晶氮化镓层，单晶氮化镓层和氮化镓外延层；其中，衬底层；缓冲层位于衬底层上层；多晶氮化镓层位于缓冲层上层；单晶氮化镓层位于多晶氮化镓层上层，单晶氮化镓层的厚度大于多晶氮化镓层的厚度，单晶氮化镓层的生长温度和压力均大于多晶氮化镓层的生成温度和压力；氮化镓外延层位于单晶氮化镓层上层，氮化镓外延层的生长温度小于单晶氮化镓层的生长温度。本实用新型利用缓冲层缓冲晶格失配产生的应力，利用多晶氮化镓层缓冲应力，采用单晶氮化镓层进一步缓冲应力，同时提高外延片的质量，减少位错密度，生成高质量的氮化镓外延层。
一种氮化外延半导体器件

[发明专利]硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片-CN202210884713.3在审
发明人：张臻琢;赵德刚;杨静;梁锋;陈平;刘宗顺 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力
氮化外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法-CN202111389694.9有效
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法，包括：衬底层、缓冲层、多晶氮化镓层、超晶格缓冲层，单晶氮化镓层和氮化镓外延片，将蓝宝石作为衬底层，在衬底层上生长缓冲层，在缓冲层上生长多晶氮化镓层，在多晶氮化镓层上生长超晶格缓冲层，在超晶格缓冲层上生长单晶氮化镓层，单晶氮化镓层的厚度均大于多晶氮化镓层的厚度和超晶格缓冲层的厚度，最后在所述单晶氮化镓层上生长氮化镓外延层。本发明采用缓冲层和多晶氮化镓层，释放来自晶格失配产生的应力，超晶格缓冲层不仅可以缓冲应力，还可以提高晶格质量，单晶氮化镓层可以提到氮化镓外延片的质量，减少位错密度，从而形成高质量的氮化镓外延层。
一种氮化外延及其生长方法

[发明专利]镓极性氮化镓缓冲层的生长方法-CN200810070781.6无效
发明人：刘宝林;郑清洪;黄瑾 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：镓极性氮化镓缓冲层的生长方法，涉及一种氮化镓缓冲层，尤其是涉及一种采用四步骤生长氮化镓缓冲层的方法。提供一种位错较少的单纯镓极性氮化镓缓冲层的生长方法。在蓝宝石衬底上高温生长第一层氮化镓缓冲层，高温生长的温度为1030～1050℃；在纯H₂气氛中保持高温一段时间，使第一层氮化镓缓冲层中氮极性氮化镓完全升华掉；降低温度，在保留下来的镓极性氮化镓及蓝宝石衬底上低温生长第二层氮化镓缓冲层；在纯H₂气氛高温退火，得单纯镓极性氮化镓缓冲层。
极性氮化缓冲生长方法

[发明专利]具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺-CN202110829213.5在审
发明人：张龙;袁帅;马杰;崔永久;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺，器件包括：P型硅衬底上设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上设有铝镓氮势垒层，再上设有金属源极、金属漏极和P型氮化镓层及金属栅极；在P型硅衬底内设有N型区域，所述金属漏极延伸穿过铝镓氮势垒层和氮化镓缓冲层并连接于N型区域，在金属漏极与氮化镓缓冲层之间设有氮化物钝化层并用于隔离金属漏极与氮化镓缓冲层。制备工艺包括：一，在P型硅衬底中形成N型区域；二，在P型硅衬底上生长氮化镓缓冲层；三，在氮化镓缓冲层上生长铝镓氮势垒层；四，在铝镓氮势垒层上形成P型氮化镓层；五，形成氮化物钝化层；六，分别淀积金属以形成金属源极
具有雪崩能力氮化功率器件及其制备工艺

[实用新型]一种P型沟道氮化镓器件-CN202121975584.6有效
发明人：张元雷;王玉丛;李帆;赵胤超;刘雯 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种P型沟道氮化镓器件。该P型沟道氮化镓器件包括：氮化镓衬底；氮化镓铝缓冲层，位于氮化镓衬底的表面；P型氮化镓层，位于氮化镓铝缓冲层远离氮化镓衬底的表面；高阻掺杂区，位于P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面，其中，高阻掺杂区的电阻率大于P型氮化镓层的非掺杂区的电阻率，且高阻掺杂区的掺杂深度小于P型氮化镓层的厚度；栅极，位于高阻掺杂区的P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面，高阻掺杂区在氮化镓衬底的投影位于栅极在氮化镓衬底的投影之内；源极和漏极，位于非掺杂区的P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面。本实用新型实施例提供的技术方案实现了一种增强型的P型沟道氮化镓器件。
一种沟道氮化器件

[发明专利]一种氮化镓外延芯片及其制备方法-CN202010548161.X在审
发明人：李东键;叶宏伦;钟健;刘崇志;张本义 -专利权人：璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓外延芯片及其制备方法，包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括两组以上的超级晶格层，每组超级晶格层由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓层由种子层向氮化镓外延层方向交替堆叠；所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的厚度比为x，所述缓冲层中各超级晶格层的x由种子层向氮化镓外延层逐渐减小。本发明在保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的的生长厚度。
一种氮化外延芯片及其制备方法

[实用新型]一种氮化镓外延芯片-CN202021110727.2有效
发明人：李东键;叶宏伦;钟健;钟其龙;刘崇志;张本义 -专利权人：璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓外延芯片，包括衬底、种子层、缓冲层和氮化镓外延层，所述种子层设于衬底上，所述缓冲层设于种子层和氮化镓外延层之间；所述缓冲层包括两组以上的超级晶格层，每组超级晶格层由氮化铝层和氮化镓层复合形成，所述氮化铝层和氮化镓层由种子层向氮化镓外延层方向交替堆叠；所述超级晶格层中氮化铝层和氮化镓层的厚度比为x，所述缓冲层中各超级晶格层的x由种子层向氮化镓外延层逐渐减小。本实用新型在保证氮化镓晶格排列错位密度的情况下，能够提高氮化镓的的生长厚度。
一种氮化外延芯片

[实用新型]一种P型沟道氮化镓器件-CN202221668450.4有效
发明人：李波;杨红;张禹晨;王凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型沟道氮化镓器件，包括氮化镓衬底，所述氮化镓衬底的表面固定有氮化镓铝缓冲层，氮化镓铝缓冲层远离氮化镓衬底的一面固定有P型氮化镓层，在P型氮化镓层远离氮化镓铝缓冲层的表面两端固定有两个电极，所述电极采用引线与引脚连接；氮化镓衬底远离氮化镓铝缓冲层的表面与散热基岛固定连接，部分所述散热基岛的表面裸露于氮化镓器件的外部。所述氮化镓衬底、氮化镓铝缓冲层、P型氮化镓层、电极、引线、引脚以及散热基岛的外部通过塑封材料封装成一个整体结构。本实用新型通过在氮化镓衬底的背部增加散热基岛，能够增加器件整体的热辐射面积，提高散热效果。
一种沟道氮化器件

[发明专利]在硅衬底上生长III‑V族化合物层的方法-CN201610743770.4在审
发明人：李镇宇;夏兴国;郭浩中 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：硅衬底；氮化铝缓冲层，位于所述硅衬底上；复合缓冲层，位于所述氮化铝缓冲层上，所述复合缓冲层包括多个氮化铝镓子层，其中，每一个氮化铝镓子层都包含AlxGa1‑xN，其中具有0和1之间的对应x值，并且其中，给定氮化铝镓子层的x不大于设置在所述给定氮化铝镓子层和所述氮化铝缓冲层之间的其他氮化铝镓子层的x，其中，最靠近所述氮化铝缓冲层的所述复合缓冲层的氮化铝镓子层的厚度小于复合缓冲层的其余氮化铝镓子层的厚度；以及第一III‑V族化合物块层，位于所述复合缓冲层上方。
衬底生长 iii 化合物方法

[发明专利]氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法-CN200410031469.8无效
发明人：洪详竣;赖穆人 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法，该外延结构包括一基材；一第一氮化镓缓冲层，形成于该基材上；一第二氮化铟镓缓冲层，形成于第一氮化镓缓冲层上；及一氮化镓外延层，形成于第二氮化铟镓缓冲层上。该制作方法是在一基材上于第一温度下外延形成一氮化镓第一缓冲层，接着于第二温度下形成另一氮化铟镓第二缓冲层于该第一氮化镓缓冲层上，再将温度升至第三温度并于升温过程中维持前驱物三甲基铟及氨气于氮化铟镓第二缓冲层上做表面处理，最后于第三温度下成长一高温氮化镓外延层。本发明提供的缓冲层结构及成长方法使得后续外延成长的氮化镓系外延层具有较完美的晶体结构及较低的缺陷密度，故能有效地提升组件的效率及使用寿命。
氮化化合物半导体外延结构及其制作方法

[发明专利]一种具有栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件-CN202111010568.8在审
发明人：张龙;崔永久;刘培港;马杰;骆敏;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种栅极高耐压低漏电的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上方设有氮化铝缓冲层，氮化铝缓冲层上方设有铝镓氮缓冲层，铝镓氮缓冲层上方设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上方设有铝镓氮势垒层和两端的源极及漏极，源极及漏极上方设有金属分别作为源极和漏极连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极金属与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方叠加有三层不同掺杂浓度的P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接P型氮化镓层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，源极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层。
一种具有栅极耐压漏电氮化功率器件

[发明专利]氮化镓薄膜材料外延生长的方法-CN201710122952.4有效
发明人：闫发旺;张峰;赵倍吉;刘春雪;李晨 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化镓薄膜材料外延生长的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层上形成氮化镓子层；刻蚀部分所述氮化镓子层；多次重复所述形成所述氮化镓子层以及刻蚀部分所述氮化镓子层的步骤，在所述缓冲层表面形成氮化镓层上述方法可以形成低位错密度、高晶体质量的氮化镓层。
氮化薄膜材料外延生长方法

[发明专利]一种紫外线检测装置-CN200510065762.0有效
发明人：徐星全 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种紫外线检测装置，包括如下的结构：一蓝宝石基底层；一高温氮化铝缓冲层，生长在该蓝宝石基底层之上；一中温氮化镓缓冲层，生长在该高温氮化铝缓冲层之上；一氮化镓外延层，沉积在该中温氮化镓缓冲层之上；一肖特基结层，形成在该氮化镓外延层之上；多个电阻触点，也形成在该氮化镓外延层上；该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层形成了双重缓冲层结构，从而提高了该紫外线检测装置的稳定性和耐辐射性。其中该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层由射频等离子体增强分子束磊晶成长技术形成。
一种紫外线检测装置

[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法-CN200910062768.0有效
发明人：刘玉萍;魏世祯 -专利权人：武汉华灿光电有限公司
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓/氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、N型接触层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构MQW、P型氮化铝镓电子阻挡层、P型氮化镓导电层、P型接触层，本发明在未掺杂的氮化镓高温缓冲层中插入了一氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构。氮化铝镓/氮化镓超晶格周期结构的插入能有效改善材料的晶体质量，从而提高氮化镓基发光二极管抗静电能力，提高器件的可靠性和稳定性。
一种提高氮化发光二极管抗静电能力方法

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