“氮化硅薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

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[发明专利]一种PERC晶体硅太阳能电池片的减反射膜、制备方法和用途-CN202210894750.2在审
发明人：程小荣;包睿涵;朱祥贤;陈晓磊;蔡成炜;张彬 -专利权人：苏州工业职业技术学院
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述减反射膜包括依次设置在所述晶体硅基体正面上的氧化硅薄膜层、低折射率超薄氮化硅覆盖层和正面氮化硅钝化膜层，所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率为2.02‑2.06，厚度为0.5‑6nm，所述正面氮化硅钝化膜层的折射率不小于所述低折射率超薄氮化硅覆盖层的折射率通过在PERC晶体硅太阳能电池片的减反射膜中，在晶体硅基体正面上的氧化硅薄膜层和正面多层氮化硅钝化膜层之间设置低折射率超薄氮化硅覆盖层，可以使得含有该减反射膜的PERC晶体硅太阳能电池片的转换效率得以提升
一种 perc 晶体太阳能电池减反射膜制备方法用途

[发明专利]一种悬浮式阵列孔石墨烯MEMS微压传感器芯片及其制备方法-CN201910945092.3在审
发明人：赵玉龙;张栋梁;张琪;马鑫;庞星;同笑珊;刘明杰;刘元;邵一苇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬浮式阵列孔石墨烯MEMS微压传感器芯片及其制备方法，包括：硅质基底，硅质基底设置有背腔；硅质基底的上表面依次设置有上层二氧化硅薄膜层和上层氮化硅薄膜层；硅质基底的下表面依次设置有下层二氧化硅薄膜层和下层氮化硅薄膜层；上层氮化硅薄膜层上设置有石墨烯薄膜；石墨烯薄膜上设置有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极通过导线连入惠斯通全桥电路；石墨烯薄膜与背腔上开口之间悬空的上层二氧化硅薄膜层和上层氮化硅薄膜层设置有若干通孔本发明中，在支撑薄膜中加工有若干通孔，在通孔上方的石墨烯薄膜中局部产生增加的膜应变，能够增加应变力，可提高芯片的灵敏度及线性度。
氮化硅薄膜层石墨烯薄膜硅质基上层二氧化硅薄膜通孔第二电极第一电极依次设置背腔下层惠斯通全桥电路应变力芯片微压传感器支撑薄膜灵敏度上表面上开口石墨烯下表面线性度悬浮式阵列孔制备悬空加工

[发明专利]一种稳定MIM电容光刻线宽的方法-CN201410106627.5有效
发明人：顾梅梅;李健;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定MIM电容光刻线宽的方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供一由下至上依次包含有阻挡层、MIM下极板层、MIM介质层和MIM上极板层的半导体结构；在所述半导体结构的上表面制备一层氮化硅层；在所述氮化硅层的上表面制备一层氧化层；在所述氧化层的上表面制备光刻胶并进行针对MIM上电极刻蚀的光刻工艺；其中，所述氮化硅层和所述氧化硅层均在同一工艺腔室中原位形成。本发明通过在氮化硅薄膜淀积工艺中增加O₂treatment的步骤，O₂在等离子体的能量下会与氮化硅表面的Si原子反应，使氮化硅薄膜表面覆盖一层薄的二氧化硅，从而降低或消除氮化硅薄膜表面的氮含量
一种稳定 mim 电容光刻方法

[发明专利]氮化硅膜的成膜方法和成膜装置-CN201110433909.2在审
发明人：村上博纪;渡边要介;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的表面上形成成为氮化硅膜的晶种的晶种层(步骤2～4)。
氮化方法装置

[发明专利]CMOS器件的制造方法-CN202010841923.5在审
发明人：方明旭;陈瑜;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该CMOS器件的制造方法包括提供制作有CMOS器件的衬底；重复N次沉积及UV光照射工艺，在所述衬底上形成具有预定厚度和预定致密度的氮化硅薄膜；其中，沉积及UV光照射工艺包括：沉积氮化硅，所述氮化硅的沉积厚度小于所述预定厚度；利用UV光照射所述衬底上已沉积的氮化硅；解决了层间介质层沉积的氮化硅薄膜直接接触CMOS器件，影响CMOS器件的可靠性的问题，达到了提高CMOS器件的可靠性的效果。
cmos 器件制造方法

[发明专利]提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法-CN200910096750.2无效
发明人：席珍强;杜平凡;徐敏;姚剑 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2009-03-16 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公布了一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，步骤如下：将采用PECVD双面沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片放在氮气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，或在空气气氛下于本发明采用热处理时间短、加热速度快以及更易精确控制的快速热处理工艺对沉积有非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片进行热处理，有效地提高了非晶氢化碳氮化硅薄膜的钝化性能。
提高太阳电池用非晶氢化氮化薄膜钝化性能热处理方法

[发明专利]一种铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法-CN201910022671.0有效
发明人：李真宇;张秀全;张涛;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本方法公开了一种铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法，从下到上包括硅衬底层、第二氧化硅层、第三氧化硅层、第四氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中第三氧化硅层中间包括被刻蚀的氮化硅波导层，并且氮化硅波导层的厚度与第三氧化硅层厚度一致，第四氧化硅层的厚度为10～100nm；本发明的一种铌酸锂/氮化硅光波导集成结构中，氮化硅光波导和铌酸锂薄膜之间存在数十纳米的氧化硅层，该层氧化硅厚度可控，厚度偏差小，表面平整，均匀性好，在制备成器件后光信号能在铌酸锂和氮化硅之间得到很好的耦合
一种铌酸锂氮化波导集成结构及其制备方法

[发明专利]一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法-CN201910022839.8有效
发明人：李真宇;张秀全;张涛;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本方法公开了一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法，从下到上包括硅衬底层、第二氧化硅层、第三氧化硅层、第四氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中第三氧化硅层中间包括被刻蚀的氮化硅波导层，并且氮化硅波导层的厚度与第三氧化硅层厚度一致，第四氧化硅层的厚度为10～100nm；本发明的一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构中，氮化硅光波导和铌酸锂薄膜之间存在数十纳米的氧化硅层，该层氧化硅厚度可控，厚度偏差小，表面平整，均匀性好，在制备成器件后光信号能在铌酸锂和氮化硅之间得到很好的耦合
一种集成度铌酸锂氮化波导集成结构及其制备方法

[发明专利]一种用于太阳能电池片的减反射膜及其制造方法-CN201410347598.1有效
发明人：郭永强;和江变;于利亚;马承鸿;宗灵仑;李健 -专利权人：内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该太阳能电池减反射膜包括：第一氮化硅层，覆盖于所述太阳能电池片的表面；第二氮化硅层，覆盖于所述第一氮化硅层的上表面；以及第三氮化硅层，覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本发明的三层氮化硅减反射膜可产生良好的钝化效果，提高冶金多晶硅电池片的短路电流，降低反向漏电流，提升光电转换效率；同时，本发明的制造方法通过采用间断性沉积技术，即在两层氮化硅薄膜的沉积之间增加一定的停顿时间，使得每层氮化硅薄膜的生长尽可能完整，制得的冶金多晶硅电池外观颜色更加均匀，可将电池片表面的色差率从原来的30％降至5％左右，大大提高了冶金多晶硅电池的合格率。
一种用于太阳能电池减反射膜及其制造方法

[发明专利]一种中红外激光器的制备方法-CN201210048679.2有效
发明人：李耀耀;李爱珍;张永刚;丁惠凤;李好斯白音 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过
一种红外激光器制备方法

[发明专利]一种制备抗PID薄膜的方法-CN201410100441.9在审
发明人：闫用用;张惠;张亮;苗青;李积伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备抗PID薄膜的方法，含以下步骤：选取晶体硅片，经制绒和扩散后，在晶体硅片的受光面上依次生成氧化硅和氮化硅双层膜或氮氧化硅和氮化硅双层膜，其中氧化硅膜采用紫外线光敏氧化或者PECVD的方式沉积，氮化硅或氮氧化硅采用PECVD的方式沉积，位于底层的氧化硅或氮氧化硅对杂质离子具有阻挡作用且钝化效果好，结合位于顶层的氮化硅薄膜，能减少太阳能电池片光电转换效率的损失且能增强太阳能电池片的抗PID性能
一种制备 pid 薄膜方法

[发明专利]一种太阳能电池的层叠减反射膜的制备方法-CN202011601351.X有效
发明人：李学峰 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池的层叠减反射膜的制备方法，第一方案为：(1)采用等离子体化学气相沉积法在衬底背表面沉积形成氮氧化硅薄膜；(2)再采用等离子体化学气相沉积法在所述氮氧化硅薄膜的表面沉积形成氮化硅薄膜；最后在所述衬底背表面依次得到氮氧化硅薄膜与氮化硅薄膜的层叠减反射膜第二方案为：(1)采用等离子体化学气相沉积法在衬底背表面沉积形成氮氧化硅薄膜；(2)再采用等离子体化学气相沉积法在所述氮氧化硅薄膜的表面依次沉积形成折射率梯度下降的三层氮化硅薄膜；最后在所述衬底背表面依次得到氮氧化硅薄膜与折射率梯度下降的三层氮化硅薄膜的层叠减反射膜
一种太阳能电池层叠减反射膜制备方法

[发明专利]一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法-CN201410729053.7在审
发明人：陈宜方;刘建朋;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明属于器件工艺制备技术领域，具体为一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法。本发明步骤包括：在<100>晶向的硅片上淀积低应力的氮化硅薄膜，利用光刻技术制备出光刻的图形，然后利用RIE刻蚀要去掉的氮化硅薄膜，最后利用KOH和乙醇的混合液进行腐蚀，得到边缘具有光学平整度的氮化硅隔膜
一种具有光学边缘氮化隔膜制备方法

[发明专利]一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法-CN201510576486.8在审
发明人：安彪;张晓情;杜林德;邓春茂;杨虹 -专利权人：天水天光半导体有限责任公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：发明属于集成电路技术领域，涉及一种在光刻掩膜版表面制备PECVD沉积氮化硅保护膜的方法。本发明采用PECVD法在光刻掩膜版沉积氮化硅的工艺温度低，沉积速度快，沉积薄膜均匀，薄膜的缺陷密度较低，可以大大降低掩膜版受损程度，延长使用寿命；而且在接触式曝光过程中，带氮化硅薄膜保护的光刻掩膜版与硅片表面的耐磨性与不带氮化硅保护的掩膜版的使用情况相比较
一种光刻掩膜版表面制备 pecvd 沉积氮化保护膜方法

[发明专利]一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜的光频率转换器-CN202110300767.6在审
发明人：甘雪涛;纪亚飞;顾林棚;黎志文;李家杰;吴静澜 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜的光频率转换器，包括双直波导型氮化硅微环腔和硒化镓薄膜，其特征在于硒化镓薄膜覆盖于双直波导型氮化硅微环腔的上表面。泵浦光由上路直波导通过侧边耦合进入氮化硅微环腔；所述氮化硅微环腔对泵浦光场具有放大作用使微环表面形成很强的倏逝光场；所述倏逝光场与具有超高二阶非线性系数的硒化镓薄膜相互作用高效率地产生倍频光或和频光；产生的倍频光或和频光由氮化硅微环腔耦合至下路直波导而输出
一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜频率转换器

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