[发明专利]一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜的光频率转换器在审

专利信息
申请号: 202110300767.6 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN113075831A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 甘雪涛;纪亚飞;顾林棚;黎志文;李家杰;吴静澜 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G02F1/377 分类号: G02F1/377
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地址: 710072 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种氮化硅微环集成硒化镓薄膜的光频率转换器,包括双直波导型氮化硅微环腔和硒化镓薄膜,其特征在于硒化镓薄膜覆盖于双直波导型氮化硅微环腔的上表面。泵浦光由上路直波导通过侧边耦合进入氮化硅微环腔;所述氮化硅微环腔对泵浦光场具有放大作用使微环表面形成很强的倏逝光场;所述倏逝光场与具有超高二阶非线性系数的硒化镓薄膜相互作用高效率地产生倍频光或和频光;产生的倍频光或和频光由氮化硅微环腔耦合至下路直波导而输出。本发明有益于形成一种制备工艺简单、成本低、结构紧凑且具有高转换效率的光频率转换器,有望在光通信和光子集成芯片等领域得到应用。
搜索关键词: 一种 氮化 硅微环 集成 硒化镓 薄膜 频率 转换器
【主权项】:
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  • 2007-11-09 - 2009-09-16 - G02F1/377
  • 通过在单畴化的铁电体单晶基板的一个主面上所设置的梳形电极和另一个主面上所设的均匀电极之间施加电压,从而形成周期极化反转构造(9),去除梳形电极。接着在基板(18)上形成光波导(20)。使光波导(20)的光强度中心(P1)离开梳形电极的前端位置(P0)。
  • 光控制元件及其制造方法-200780011057.X
  • 近藤胜利;金原勇贵;山本太;市川润一郎 - 住友大阪水泥股份有限公司
  • 2007-03-05 - 2009-04-15 - G02F1/377
  • 本发明公开了一种具有脊型波导的光控制元件,旨在提供一种具有单模波导的光控制元件,尤其,即使基板为厚度10μm以下的薄板,也可精度良好地制造并提供具有单模波导的光控制元件。本发明的光控制元件,其特征在于,具有形成有光波导的基板(1),该基板为厚度10μm以下的薄板,该光波导的至少一部分为脊型波导(21),在该脊型波导的至少一部分的两侧具有宽度10μm以下的沟槽(20),具有通过使该沟槽的宽度或深度连续变化而使该波导的光传播模式在单模和多模之间连续变化的锥形波导部(区域B)。另外,优选该锥形波导部被配置在入射部及/或出射部,在该配置部中波导成为单模光。
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