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[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物材料-CN202010630174.1在审
发明人：梁智文;王琦;袁冶;王新强;汪青;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。
氮化物材料制备方法

[发明专利]氮化物半导体元件-CN200710199811.9有效
发明人：谷沢公二;三谷友次;中河羲典;高木宏典;丸居宏充;福田芳克;池上武止 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 1999-03-10 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层具有将含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧多层膜层，并且，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。
氮化物半导体元件

[发明专利]具有氮化物膜的复合材料及其制法和应用-CN201410209191.2有效
发明人：李金龙;王蕊;王永欣;鲁俠;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C23C8/24 文献下载
摘要：本发明提供了具有氮化物膜的复合材料及其制法和应用。具体地，本发明提供了一种复合材料，包括基材以及位于所述基材的至少一个表面上的氮化物膜，所述氮化物膜包括位于所述基材上的第一氮化物层以及位于所述第一氮化物层之上的第二氮化物层，其中，第二氮化物层的厚度与第一氮化物层的厚度之比为2～3050～100，且所述氮化物膜的总厚度为20～200微米(较佳地30～150微米)，并且第二氮化物层的硬度H2大于第一氮化物层的硬度H1。气相沉积生成的第二氮化物层与氮化处理形成的第一氮化物层具有良好的晶格匹配和高结合力。该氮化物膜的硬度由表及里逐渐减小的梯度过渡，可显著提高氮化钢和钛合金等可氮化工件的表面耐磨和耐腐蚀性能，延长工件的使用寿命。
具有氮化物复合材料及其制法应用

[发明专利]一种氮化物薄膜及其制备方法-CN202211504945.8在审
发明人：朱亚丹;卢太平;张立春;王美山;梁豆豆;贺文伟 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种氮化物薄膜及其制备方法，属于半导体外延工艺技术领域，所述氮化物薄膜包括位于衬底上的缓冲层、位于缓冲层上交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层，重掺杂氮化物层具有粗糙表面结构，非故意掺杂氮化物层具有平坦表面结构。本发明的重掺杂氮化物层的粗糙结构能够引起位错的弯曲和终止，减少后续生长的外延膜中的位错密度，粗糙的重掺杂氮化物层也有利于应力释放，减少外延膜中的应力；非故意掺杂氮化物层的平坦表面具有较低的表面粗糙度，能够为后续外延膜的生长提供良好的生长表面因此，本发明通过交替沉积的重掺杂氮化物层与非故意掺杂氮化物层能够减少后续生长的外延膜中的缺陷，有利于改善器件性能。
一种氮化物薄膜及其制备方法

[发明专利]利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法-CN201910468538.8在审
发明人：王新强;刘放;沈波;吴洁君;荣新;郑显通;盛博文;杨流云;盛珊珊 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法。本发明通过在氮化物单晶厚膜与氮化物模板之间引入六方晶体结构对称性的β相过渡金属氮化物牺牲层，利用过渡金属氮化物牺牲层与氮化物单晶厚膜的晶向匹配、晶格失配小、能够选择性刻蚀的特点，采用选择性刻蚀方法实现氮化物单晶厚膜与氮化物模板的分离，得到大尺寸、高质量的自支撑氮化物单晶衬底；本发明易于在过渡金属氮化物牺牲层上直接成核生长高质量氮化物单晶厚膜，无需引入额外工序辅助氮化物单晶厚膜成核，简化工艺流程；无需采用复杂的激光剥离技术，氮化物模板可重复使用
氮化物单晶过渡金属氮化物牺牲层厚膜氮化物衬底选择性刻蚀制备氮化物成核单晶六方晶体结构产业化生产剥离工艺激光剥离晶格失配工艺流程引入成品率可重复自支撑晶向匹配能耗生长

[发明专利]氮化物半导体激光器元件-CN200810080896.3有效
发明人：道上敦生;森住知典;高桥祐且 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件
氮化物半导体激光器元件

[发明专利]制造具有钨栅电极的半导体器件的方法-CN200510136225.0无效
发明人：郑哲谟;赵挥元;金正根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括步骤：在半导体衬底上形成栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜；构图栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜以形成多晶硅栅极；在多晶硅栅极的侧面形成分隔体；在整个表面上形成牺牲氮化物膜；然后在整个表面上形成层间绝缘膜；抛光在层间绝缘膜上形成的牺牲氮化物膜及多晶硅栅极从而暴露氮化物膜；在去除氮化物膜时去除牺牲氮化物膜的顶部部分；在通过氮化物膜的去除而暴露的侧面形成绝缘膜分隔体；利用绝缘膜填充从其去除了牺牲氮化物膜的部分；以及在从其去除了氮化物膜的部分中形成钨栅极。
制造具有电极半导体器件方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN201210253230.X有效
发明人：马场良平;金子信男;金子修一;施欣宏;吴俊森;罗亿丞 -专利权人：联华电子股份有限公司;三垦电气株式会社
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，本发明的氮化物半导体装置具有氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、在氮化物半导体层上相互分开设置的第一主电极及第二主电极、设置在第一主电极及第二主电极间的第二绝缘膜上且经由设于第一绝缘膜及第二绝缘膜的开口部与氮化物半导体层连接的场极板，其中，在开口部，氮化物半导体层的表面与第一绝缘膜的侧面构成的第一倾斜角比氮化物半导体层的表面与将第二绝缘膜的侧面延长的延长线构成的第二倾斜角小
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310737010.9无效
发明人：藏口雅彦;吉冈启;汤元美树;斋藤尚史;大麻浩平;杉山亨 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置，具备：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成的栅电极；在氮化物半导体层上形成的源电极；在氮化物半导体层上相对于栅电极而与源电极相反的一侧形成的漏电极；在漏电极与栅电极之间的氮化物半导体层上形成的第一氮化硅膜；以及形成在氮化物半导体层与栅电极之间、硅对氮的原子比低于上述第一氮化硅膜的第二氮化硅膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于淀积具有多层结构的TiN薄膜的方法-CN200510090670.8有效
发明人：朴永熏;李相奎;徐泰旭 -专利权人：集成工艺系统株式会社
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：提供了一种在衬底上淀积具有多层结构和不同淀积速率的金属氮化物膜的方法，该方法包括以下步骤：以第一淀积速率在衬底上形成第一下层金属氮化物膜；以第二淀积速率在第一下层金属氮化物膜上形成第二下层金属氮化物膜；以第三淀积速率在由第一下层金属氮化物膜和第二下层金属氮化物膜形成的下层TiN膜上形成具有高的氮(N)含量的上层金属氮化物膜，以提高与暴露至空气/湿气相关的稳定性。该具有多层结构的金属氮化物膜的淀积速率满足这样的关系，即，第二淀积速率≥第一淀积速率≥第三淀积速率。
用于具有多层结构 tin 薄膜方法

[发明专利]化合物半导体装置及其制造方法-CN200980163021.2有效
发明人：美浓浦优一;吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：设置有：第一导电型的第一氮化物半导体层（1）；在第一氮化物半导体层（1）上形成产与第一氮化物半导体层（1）相接的第一导电型的第二氮化物半导体层（5）；与第二氮化物半导体层（5）相接的第二导电型的第三氮化物半导体层（4）；与第三氮化物半导体层（4）相接的第一导电型的第四氮化物半导体层（3）；使第一氮化物半导体层（1）和第四氮化物半导体层（3）绝缘分离的绝缘膜（2）。俯视时，源电极（8）位于绝缘膜（2）的外缘的内侧。
化合物半导体装置及其制造方法

[发明专利]提高高熵氮化物膜膜基结合强度的梯度过渡层及制备方法-CN202210285916.0在审
发明人：邵文婷;曹丽娜;陈建;杨巍;李仲硕;何佳华;卢帅丹 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高高熵氮化物膜膜基结合强度的梯度过渡层及制备方法，对刀具基体依次进行超声清洗和等离子清洗；采用磁控溅射方法在等离子清洗后的刀具基体上沉积金属层；在金属层上沉积金属氮化物连接层；在金属氮化物连接层上沉积氮化物薄膜层；本发明通过在刀具基体和氮化物薄膜层之间采用磁控溅射方法依次沉积金属层和金属氮化物连接层，且金属氮化物连接层中组分呈连续梯度变化，能够缓和薄膜内应力，提高氮化物薄膜层与刀具基体之间的膜基结合强度，进而可以提高刀具的使用寿命
提高氮化物膜膜基结合强度梯度过渡制备方法

[发明专利]半导体装置-CN202110878873.2在审
发明人：矶部康裕;洪洪;吉冈启;杉山亨;小野村正明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，与第一氮化物半导体层相比带隙大；第一电极及第二电极，设置于第二氮化物半导体层的上方；第一绝缘膜，设置于第二氮化物半导体层的上方的、第一电极与第二电极之间，与第二氮化物半导体层接触，并包含第一绝缘材料；第二绝缘膜，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二氮化物半导体层的上方、第一绝缘膜的上方及第一绝缘膜与第二电极之间的第二氮化物半导体层的上方，并包含第二绝缘材料；第三电极，设置于第一电极与第一绝缘膜之间的第二绝缘膜的上方；以及第四电极，具有第一电极部和第二电极部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410400103.7在审
发明人：藤本英俊 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备：n型的氮化物半导体层；绝缘层，选择性地设置在氮化物半导体层上；n型的第一氮化物半导体区域，设置在氮化物半导体层上及绝缘层上；n型的第二氮化物半导体区域，设置在绝缘层上；p型的第三氮化物半导体区域，设置在第一氮化物半导体区域和第二氮化物半导体区域之间；栅极绝缘膜，设置在第三氮化物半导体区域上；栅电极，设置在栅极绝缘膜上；第一电极，与第二氮化物半导体区域电连接；以及第二电极，设置在氮化物半导体层的绝缘层相反侧，与氮化物半导体层电连接。
半导体装置

[发明专利]STI的形成方法-CN200910056730.2有效
发明人：代培刚;冯永刚;张永兴;宋化龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种STI的形成方法，包括步骤：提供半导体基底；在半导体基底上利用原子层沉积的方法形成氮化物层；在所述氮化物层上形成硬掩膜层，所述氮化物层和硬掩膜层构成刻蚀阻挡层；对所述硬掩膜层、氮化物层以及半导体基底进行刻蚀，从而在硬掩膜层、氮化物层以及半导体基底内形成沟槽；沉积绝缘介质，所述绝缘介质覆盖所述沟槽的侧壁和底部以及硬掩膜层；对所述绝缘介质进行平坦化；去除所述氮化物层和硬掩膜层，该方法减小了刻蚀过程中的刻蚀阻挡层容易脱落的可能
sti 形成方法

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