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[实用新型]一种化学气相沉积设备-CN202121117558.X有效
发明人：肖晔林 -专利权人：江西环境工程职业学院
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学气相沉积设备，包括冷却底座、气相沉积罩仓和气体分流仓，所述冷却底座的顶部安装有气相沉积罩仓，且气相沉积罩仓的顶部安装有气体分流仓，所述冷却底座的顶部安装有衬底面板。本实用新型安装有L型喷气弯管、气体分流仓、第一喷气连通管、轴承和第二喷气连通管，使用时，气相化合物通过气体分流仓分流至第一喷气连通管和第二喷气连通管内，气相化合物通过L型喷气弯管吹出时，吹气产生的反作用力可使L型喷气弯管和第二喷气连通管转动，可将L型喷气弯管的管口转动至气相沉积罩仓内部不同位置处，从而可将气相化合物均匀吹至气相沉积罩仓内部不同位置处，使得形成的薄膜厚度及化学成分能够保持均匀。
一种化学沉积设备

[发明专利]化学气相沉积设备、泵浦衬套及化学气相沉积方法-CN202010908731.1在审
发明人：杨胜钧;林艺民;李志聪;邱云姿;万昭宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本揭露揭示一种化学气相沉积设备、泵浦衬套及化学气相沉积方法，用于使用在用于通过化学气相沉积将一材料沉积在一工件上的一设备中的泵浦衬套包括多个非均匀间隔的孔径。使用所揭示的泵浦衬套通过化学气相沉积沉积在一工件上的材料膜展现理想的性质诸如均匀厚度及光滑及均匀表面。
化学沉积设备衬套方法

[发明专利]一种厚氧化薄膜的制作方法-CN201110267088.X无效
发明人：成鑫华;陈立鸣;李琳松;姚嫦娲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚氧化薄膜的制作方法，该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米，该方法包括如下步骤：第一步，采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜；第二步，退火处理。本发明通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法的交替沉积，并辅助以退火处理调节两种膜质的刻蚀速率，实现了厚氧化膜的制作和满足器件要求的刻蚀形貌。
一种氧化薄膜制作方法

[发明专利]基座、化学气相沉积设备和基板加热方法-CN201110448650.9无效
发明人：李焘英;林珍永;韩尚宪;金起成;金荣善;金晟泰 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成
基座化学沉积设备加热方法

[发明专利]装饰性气相沉积片材-CN202180016452.7在审
发明人：三浦真智美;居伊·M·卡尔曼 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：目标：提供一种装饰性气相沉积片材，其可以减少或防止缺陷，诸如金属气相沉积层或整个片材的断裂，即使在应用于需要高温等的成型方法时也是如此。本公开的一个实施方案的装饰性气相沉积片材为以下装饰性气相沉积片材：其包括覆盖树脂层和金属气相沉积层，其中覆盖树脂层具有大约50微米或更大的厚度，金属气相沉积层表现出粒状结构，该装饰性气相沉积片材在20℃的断裂伸长率为约120％或更大，并且该装饰性气相沉积片材在160℃的断裂伸长率为约350％或更大。
装饰性气沉积

[实用新型]一种冷壁化学气相沉积装置-CN201920775701.0有效
发明人：孔伟成;赵勇杰 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本新型属于化学气相沉积设备领域，公开了一种冷壁化学气相沉积装置，所述冷壁化学气相沉积装置包括：设置有化学沉积反应区的主腔体，所述化学沉积反应区处设置有用于提供化学沉积反应所需温度的第一加热装置；气体源装置，设置在所述主腔体外部，用于向所述化学沉积反应区提供前驱体为气体的第一待反应气体；设置在所述主腔体内的副腔体，所述副腔体用于加热固态源以向所述化学沉积反应区提供前驱体为固体的第二待反应气体。本新型能够提高冷壁化学气相沉积装置的集成性。
一种化学沉积装置

[发明专利]一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器-CN202211523798.9有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器，所述方法包括以下步骤：（1）提供一个化学气相沉积室；（2）在化学气相沉积室外壁处设置若干加热器，以及贯穿加热器的前驱体气体入口；（3）在化学气相沉积室内内分别放置基底；（4）从化学气相沉积室一侧的还原气体入口通入还原气体；从前驱体气体入口通入前驱体气体，使得前驱体气体与还原气体在基底表面发生反应，沉积碳化硅薄膜；（5）反应尾气沿化学气相沉积室从气流出口排出本发明在碳化硅沉积过程中通过改变反应气体的通入方式以及位置，能够有效调节基底表面的碳硅比，同时设置多组加热器能够有效提高控制基底生长温度的灵活性。
一种碳化硅化学沉积方法热源水平壁热式反应器

[发明专利]一种渗剂发生器、化学气相沉积反应装置及气相沉积方法-CN202111331436.5有效
发明人：吴勇;段海涛;夏思瑶;夏春怀;孙清云;杨甫;陈辉 -专利权人：武汉材料保护研究所有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C16/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种渗剂发生器、化学气相沉积反应装置及气相沉积方法，本发明利用堆叠设置的底盖、多个托盘、顶盖和布气板形成渗剂发生器，托盘内可以盛装固态合金渗剂，将渗剂发生器安装在分段加热的气相沉积反应室内形成化学气相沉积反应装置，本发明将工件放置在气相沉积反应室内渗剂发生器上方，启动加热装置进行分段加热，然后通入工艺气体，工艺气体进入渗剂发生器内，并被加热，工艺气体与固态合金渗剂接触使其变成气态渗剂，并在气相沉积反应室内的工件表面制备改性铝化物涂层
一种发生器化学沉积反应装置方法

[发明专利]一种实时测量并控制增重速率的化学气相沉积装置及方法-CN200710135598.5无效
发明人：陈照峰;方聃;王亮兵;张颖;承涵;万水城;吴王平;严波;李聪 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学气相沉积装置及方法，尤其是涉及一种能够实时测量并控制多孔碳预制体增重率和增重速率的化学气相沉积装置及方法，适合于碳/碳复合材料或者碳/碳化硅复合材料在化学气相沉积过程的增重率和增重速率的检测，并可对沉积或渗透过程进行控制。其特征在于包括一套化学气相沉积炉、一套电子地中衡和一套工控机所构成的系统。本发明的优点在于：(1)能够实时测量增重率和增重速率；(2)能够自动识别沉积是否完成；(3)节约时间提高效率；(4)优化化学气相沉积工艺参数；(5)依据沉积速率的变化自动识别判断沉积过程发生的化学反应特征
一种实时测量控制增重速率化学沉积装置方法

[实用新型]热丝化学气相沉积用基片台及热丝化学气相沉积装置-CN201822113118.1有效
发明人：唐永炳;王星永;王陶;黄磊;李星星 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种热丝化学气相沉积用基片台及热丝化学气相沉积装置，涉及涂层沉积设备技术领域。该基片台上设置有用于承载基体的承载面，承载面为斜面且承载面距热丝之间的距离呈梯度变化；通过上述基片台特定结构的设置，使得置于基片台承载面上的基体在沉积过程中，基体表面能够得到形核密度呈梯度变化的薄膜或者涂层；且该基片台结构简单，使用便利，可满足不同梯度涂层的沉积需求。本实用新型还提供一种热丝化学气相沉积装置，包括上述热丝化学气相沉积用基片台。鉴于上述基片台所具有的优势，使得包含上述基片台的热丝化学气相沉积装置也具有同样的优势，为基体上薄膜或者涂层的梯度沉积提供了工业基础。
热丝化学气相沉积基片台承载面沉积本实用新型梯度变化设备技术领域承载基体工业基础基体表面梯度涂层涂层沉积上薄膜热丝形核薄膜承载便利

[实用新型]一种用于石墨烯化学加工用气相沉积炉-CN202220301533.3有效
发明人：陈伟元;杨凯 -专利权人：东莞市赛姆烯金科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于石墨烯化学加工用气相沉积炉，包括稳固座，所述稳固座的下端四角均固定连接有支撑脚，所述稳固座的上端左部与上端右部均开有凹槽，所述稳固座的前端中部开有安装槽，所述安装槽的上槽壁固定连接有驱动装置，所述气相沉积炉主体的外表面左部固定连接有进料管，所述气相沉积炉主体的上端穿插固定连接有排气装置，所述气相沉积炉主体的外表面右部固定连接有排料管。本实用新型所述的一种用于石墨烯化学加工用气相沉积炉，通过在整个装置上设置驱动装置与排气装置，从而使得气相沉积炉主体内气场变的均匀，增加炉内气场的均匀性，保证石墨烯材料等多个产品同时加工的一致性，且提高沉积效率
一种用于石墨化学工用沉积

[实用新型]偶联剂蒸发装置及气相沉积系统-CN202020935295.2有效
发明人：张建飞;宋文庆;王凯;吴兴华 -专利权人：立讯电子科技（昆山）有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开一种偶联剂蒸发装置及气相沉积系统，涉及气相沉积技术领域，用于对工件进行气相沉积操作。其中，偶联剂蒸发装置包括：多个偶联剂容纳部；支撑部，具有至少一个定位件，多个所述偶联剂容纳部等间距设置于所述支撑部的一侧，所述支撑部通过所述定位件固定在沉积室内壁上。本实用新型公开实施例通过在沉积室内壁上等间距设置多个用于蒸发偶联剂的偶联剂容纳部，可有效改善化学气相沉积过程中工件表面沉积的偶联剂的均匀度，进而提高气相沉积后的工件的质量。
偶联剂蒸发装置沉积系统

[发明专利]直列式化学气相沉积系统-CN201510393924.7有效
发明人：朴根鲁;李文镜 -专利权人：奈恩泰克有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本文公开的是一种能够精确地使沉积对象保持在某一加工温度并且同时进行水平运动以便适合于该直列式化学气相沉积方法的结构的直列式化学气相沉积系统。根据本发明的一种直列式化学气相沉积系统包括布置在中心并在腔室内在水平方向上移动沉积对象的同时在沉积对象的表面上实施薄膜的化学气相沉积的加工腔室；设置在加工腔室的一侧并提供沉积对象进入该加工腔室的装载腔室；以及设置在装载腔室的相对侧并从该加工腔室接收沉积对象以便将沉积对象排出到外部的卸载腔室。
线型化学沉积系统

[发明专利]制造图案化气相沉积膜的方法-CN200810003314.1无效
发明人：河村幸则;寺本亮平;川口刚司 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2008-01-16 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：一种在不使用难以实现高分辨率的金属掩模或昂贵的激光扫描设备的情况下制造具有高分辨率图案的气相沉积膜的方法。图案化气相沉积膜通过一种方法来制造，该方法包括以下步骤：制备包括衬底、多个加热元件以及形成于多个加热元件上的沉积材料层的沉积面板，该沉积材料层形成最外面的表面；布置沉积面板和器件衬底使得沉积材料层面向器件衬底；以及使多个加热元件中的至少某些生成热，选择地蒸发设置在已生成热的加热元件上的沉积材料层，在器件衬底的表面上气相沉积以形成气相沉积膜。
制造图案化气相沉积方法

[发明专利]一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备-CN202110137753.7在审
发明人：言伟雄;袁建陵 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备，负极材料包括基材和混合沉积在基材表面的纳米硅和纳米碳，所述基材为碳材料，所述纳米硅和纳米碳通过等离子增强化学气相沉积工艺混合沉积在基材表面，所述等离子增强化学气相沉积工艺过程中，基材在沉积区为流态化运动状态，所述等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行，所述流态化等离子气相沉积炉内设有正极板和负极板，所述正极板和负极板之间为沉积区，所述负极板具有振动输料功能，所述基材在负极板的振动作用下在沉积区作流态化运动。本发明通过在基材表面混合沉积纳米碳和纳米硅，在纳米硅表面形成碳包覆层，提升了硅碳负极材料的性能。
一种锂离子电池负极材料及其制备工艺设备

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