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[发明专利]具有太阳能LED指示灯功能的太阳能集热浮标-CN201880087259.0在审
发明人： 金起成 -专利权人： 金起成
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B63B22/00 文献下载
摘要：本发明提供一种将泡沫聚苯乙烯漂浮部进一步填充在内部空的浮标主体的内部，使得即使浮标主体因水中的水压或如台风等自然灾害的物理力而破裂，也能够防止浮标被下沉的具有太阳能LED指示灯功能的太阳能集热浮标，其特征在于，包括：浮标主体，内部是空的，并由具有平底，宽底，窄顶和平顶的多边形锥形管或圆形锥形管组成；泡沫聚苯乙烯漂浮部，具有填充在所述浮标主体的内部的浮力。
具有太阳能 led 指示灯功能浮标

[外观设计]浮标-CN201830347487.X有效
发明人： 金起成 -专利权人：上海倚帜自动化设备有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： 10-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：浮标。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于设置在大海、江河以及湖水、游泳池等水面上，起到各种渔具的上浮、航线指示与景观照明灯等的作用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.后视图与主视图相同，省略后视图;右视图与左视图相同，省略右视图。6.本外观设计产品在其上面结合太阳光LED 安全指示灯，在底面两侧形成两个水槽，通过水的流动保持平衡并漂浮在水面上。
外观设计右视图浮标省略水槽安全指示灯景观照明灯水面太阳光左视图渔具游泳池底面上浮漂浮湖水航线大海平衡流动图片

[外观设计]浮标-CN201830347126.5有效
发明人： 金起成 -专利权人：上海倚帜自动化设备有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： 10-06 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：浮标。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于设置在大海、江河以及湖水、游泳池等水面上，起到各种渔具的上浮、航线指示与景观照明灯等的作用。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。5．省略视图：主视图和后视图相同故省略后视图；左视图和右视图相同故省略右视图。6．本外观设计产品的材质是木材以及合成树脂、金属。本外观设计产品是将用压缩泡沫塑料制成的漂浮材料填充于塑料袋等空间内，在上面结合太阳光LED安全指示灯，在底面两侧形成两个水槽，通过水的流动保持平衡并漂浮在水面上。
外观设计省略右视图浮标泡沫塑料合成树脂水槽安全指示灯景观照明灯水面漂浮材料塑料袋太阳光左视图游泳池渔具底面上浮填充湖水漂浮航线金属木材大海压缩流动平衡图片

[外观设计]浮标-CN201830346771.5有效
发明人： 金起成 -专利权人：上海倚帜自动化设备有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： 10-06 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：浮标。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于设置在大海、江河以及湖水、游泳池等水面上，起到各种渔具的上浮、航线指示与景观照明灯等的作用。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。5．省略视图：主视图和后视图相同故省略后视图；左视图和右视图相同故省略右视图。6．本外观设计产品的材质是木材以及合成树脂、金属。本外观设计产品是将用压缩泡沫塑料制成的漂浮材料填充于塑料袋等空间内，在上面结合太阳光LED安全指示灯，在底面两侧形成两个水槽，通过水的流动保持平衡并漂浮在水面上。
外观设计省略右视图浮标泡沫塑料合成树脂水槽安全指示灯景观照明灯水面漂浮材料塑料袋太阳光左视图游泳池渔具底面上浮填充湖水漂浮航线金属木材大海压缩流动平衡图片

[发明专利]制造半导体发光装置的方法-CN201210203592.8有效
发明人：孟钟先;朴基镐;金范埈;柳贤锡;李正贤;金柄均;金起成;尹皙胡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。
制造半导体发光装置方法

[发明专利]高级计量架构系统的综合终端及控制方法-CN201280054086.5无效
发明人：申福德;柳鼎熙;朴容禛;禹成济;金起成;朴相禹 -专利权人：尤庵有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于智能电网的基于家庭网络的高级计量架构(AMI)系统用综合终端，其在高级计量架构(AMI)系统的上位系统(10)和电力用户内的多个家用电器(36)之间，分别用规定通信方式进行连接，并且包括：发挥用于与上位系统(10)进行通信的接口的功能的上位系统间通信模块；发挥用于与上述多个家用电器进行通信的接口的功能的家用电器间通信模块；显示通过上述上位系统间通信模块从上述上位系统收到的信息，同时显示通过上述家用电器间通信模块从各个家用电器收到的信息的显示装置。
高级计量架构系统综合终端控制方法

[发明专利]金属有机物化学气相沉积设备-CN201180072057.7无效
发明人：李寿英;金荣善;金晟泰;韩尚宪;金起成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备。根据本发明的MOCVD设备包括：反应腔室，其包括限定具有一定体积的内部空间的腔室主体和密闭地密封所述腔室主体以保持气密性的腔室盖；基座，其可旋转地设置在所述腔室主体内并且在上表面中具有用于容纳晶片的至少一个凹处；盖元件，其可拆卸地设置在所述腔室盖的内表面上，从而限定所述基座和所述盖元件之间的反应空间，并且所述盖元件由彼此耦接的多个分段元件形成；以及气体供应单元，其将反应气体提供至所述反应空间，使得所述反应气体在所述基座和所述盖元件之间流动。
金属有机物化学沉积设备

[发明专利]制造半导体发光装置的方法-CN201310196886.7在审
发明人：朴基镐;金起成;金喆敏;尹皙胡;李泰泫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。
制造半导体发光装置方法

[发明专利]具有基座的化学气相沉积装置和半导体制造装置-CN201310100939.0无效
发明人：司空坦;李焘英;金起成;尹皙胡;金荣善;金晟泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供了化学气相沉积（CVD）装置和半导体制造装置。该化学气相沉积（CVD）装置包括腔室、在腔室中的基座以及加热单元。基座包括转子、耦接到转子的下部的旋转轴、耦接到旋转轴的驱动器件、以及限定在转子的上表面处的至少一个凹坑。驱动器件可旋转地驱动旋转轴。至少一个凹坑包括配置为在其上接收衬底的安装部分以及从至少一个凹坑的底表面突出的突出部分（例如，凸出部分），使得突出部分位于对应于旋转轴的区域处。加热单元围绕旋转轴并配置为加热衬底。
具有基座化学沉积装置半导体制造

[发明专利]含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法-CN201210412020.0无效
发明人：李宗炫;李正贤;金起成;尹皙胡;金荣善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。
氧化锌透明导电薄膜半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201210400802.2无效
发明人：金范埈;金晟泰;金荣善;尹皙胡;金起成;李浩喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括n型氮化物半导体层、设置在n型氮化物半导体层上的活性层和设置在活性层上的p型氮化物半导体层。一个或多个电流扩散层设置在n型氮化物半导体层的表面上。电流扩散层包括带隙能比形成n型氮化物半导体层的材料的带隙能大的材料，以在与形成n型氮化物半导体层的材料的界面处形成二维电子气层。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]化学气相沉积方法及利用其制造发光器件的方法-CN201210210547.5无效
发明人：金范埈;金起成;金荣善;高德吉;林珍永;郑义俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积方法和一种利用该化学气相沉积方法制造发光器件的方法。化学气相沉积(CVD)方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成第一半导体层；在第二工艺温度下在第一半导体层上形成第二半导体层。另外，制造发光器件(LED)的方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成量子势阱层；在第二工艺温度下在量子势阱层上形成量子势垒层。
化学沉积方法利用制造发光器件

[发明专利]半导体外延薄膜生长方法及用其制半导体发光器件的方法-CN201210241696.8无效
发明人：孟钟先;金范埈;柳贤锡;李正贤;金起成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了半导体外延薄膜生长方法以及用其制造半导体发光器件的方法。该半导体外延薄膜生长方法包括：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
半导体外延薄膜生长方法发光器件

[发明专利]基座、化学气相沉积设备和基板加热方法-CN201110448650.9无效
发明人：李焘英;林珍永;韩尚宪;金起成;金荣善;金晟泰 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。
基座化学沉积设备加热方法

[发明专利]制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件-CN201110185733.3有效
发明人：金台勋;金起范;许元九;金荣善;金起成 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件。本方法包括：提供具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的基板，并在第一主表面中形成第一不平坦结构；在基板的第一主表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有开口区域的掩模，从而使牺牲层的上表面的一部分暴露；通过经由开口区域蚀刻牺牲层和基板而在基板上形成第二不平坦结构；从基板上去除牺牲层和掩模；以及在基板的第一不平坦结构和第二不平坦结构上形成发光堆。
制造半导体发光器件方法

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