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[发明专利]一种晶片表面的清洗方法-CN202311146485.0在审
发明人：高冰;金灵敏;吴鲁 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体表面净化技术领域，涉及一种晶片表面的清洗方法，包括依次使用碱性清洗液、酸性清洗液、SPM清洗液清洗、SC1清洗液、SC2清洗液、DHF清洗液、臭氧水、SC1清洗液、DHF清洗液进行清洗的步骤，在使用SPM清洗液清洗步骤中，使用兆声震荡和刷头刷洗。使用本发明的清洗方法清洗后的晶片，使用表面缺陷检测仪测定，≥0.3μm的颗粒较传统工艺平均降低至少50个以内/片，≥0.13μm颗粒一次去除率至少95％，钠离子、镁离子、铝离子、钾离子、钙离子、钛离子、钒离子、铬离子、锰离子、铁离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌离子、镓离子、银离子、锡离子、钨离子、铅离子残留量低至0.08×10¹⁰atoms/cm2。
一种晶片表面清洗方法

[发明专利]一种用于升华法生长晶体的坩埚装置-CN202211429850.4有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶制备技术领域，具体说一种用于升华法生长晶体的坩埚装置，包含坩埚主体和隔热层主体，在坩埚主体内特定部位内隔热层，以减小坩埚内晶体生长区域的温度差异。本发明装置能有效减少坩埚内晶体生长区域的温度差异，实现晶体的稳定生长，有利于提高晶体生长质量。
一种用于升华生长晶体坩埚装置

[发明专利]一种高粉源利用率PVT法生长碳化硅坩埚结构及其生长方法-CN202210774249.2在审
发明人：高冰 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高粉源利用率PVT法生长碳化硅坩埚结构，包括坩埚本体，坩埚本体内设有石墨管，石墨管置于碳化硅粉源内部，石墨管的管外壁开均匀的气体逸出孔。使用其坩埚结构的碳化硅生长方法为将碳化硅粉源放入坩埚结构内，预设温度，对坩埚结构进行加热，经退火处理得到碳化硅晶体。在原有坩埚基础上，本发明在坩埚中心处增加了石墨管，有利于高温升华后的碳化硅气流在中心处的对流，增加中心处碳化硅粉末的温度，提高中心处碳化硅的升华效率。同时，石墨管增加了碳化硅粉末与高温气流的接触面积，有利于碳化硅粉源内部的碳化硅气体逸出，进一步提高碳化硅的升华效率。
一种高粉源利用率 pvt 生长碳化硅坩埚结构及其方法

[发明专利]铲刀，及使用这种铲刀进行碳化硅晶片脱蜡的方法-CN202310540433.5在审
发明人：高冰;王辽阔;吴鲁;魏浙锋 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体晶圆加工技术领域，尤其涉及一种铲刀，及使用这种铲刀进行碳化硅晶片脱蜡的方法。铲刀包括:刀头，刀头由近端向远端逐渐变薄，能够弯曲并用于铲除碳化硅晶片附近的蜡；刀柄单元，设置在刀头的近端侧，用于操控刀头的移动过程；刀头远端形成用于铲除蜡的刃口；刃口设有适配于碳化硅晶片边缘弧度的刃口槽；刀头由聚甲醛树脂制备而成。铲刀的刀头能够弯曲，以在铲蜡的时候刀头的刃口始终贴在承装盘上，以最大程度减少铲除过程中刃口可能对晶片表面划伤的可能性；并且刃口处设有与晶片边缘弧度相适配的刃口槽，以保证铲片过程中晶片受力均匀；此外刀头组成材料为聚甲醛树脂，在能够弯曲的同时保证了足够的强度以铲除晶片周边的蜡。
铲刀使用这种进行碳化硅晶片方法

[发明专利]一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器-CN202211523798.9有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积方法及多热源水平壁热式反应器，所述方法包括以下步骤：（1）提供一个化学气相沉积室；（2）在化学气相沉积室外壁处设置若干加热器，以及贯穿加热器的前驱体气体入口；（3）在化学气相沉积室内内分别放置基底；（4）从化学气相沉积室一侧的还原气体入口通入还原气体；从前驱体气体入口通入前驱体气体，使得前驱体气体与还原气体在基底表面发生反应，沉积碳化硅薄膜；（5）反应尾气沿化学气相沉积室从气流出口排出。本发明在碳化硅沉积过程中通过改变反应气体的通入方式以及位置，能够有效调节基底表面的碳硅比，同时设置多组加热器能够有效提高控制基底生长温度的灵活性。
一种碳化硅化学沉积方法热源水平壁热式反应器

[发明专利]一种碳化硅化学气相沉积方法及反应器-CN202211523953.7有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种碳化硅化学气相沉积方法及反应器，本发明在化学气相沉积过程中采用反应气体入口分开布置的方式，Ar、H2由圆盘中心通入，CH3SiCl3反应气体由圆盘式反应器顶部通入，可以更好地通过控制反应气体流量的方式控制基底表面的碳硅比，调整晶体沉积质量。同时在碳化硅沉积过程中通过将基底设置在单独的反应腔之中，能够增加反应气体在基底表面停留时间的同时，提高气流分布均匀性，从而有效提高碳化硅沉积速率与均匀性。此外，本发明中的圆盘式反应器高度可以适当压缩，其结构更为紧凑占地面积更小，因而制造所需材料少，从而有效降低成本。
一种碳化硅化学沉积方法反应器

[发明专利]一种提高碳化硅沉积速率与均匀性的方法与反应器-CN202211523952.2有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料成型领域，尤其涉及一种提高碳化硅沉积速率与均匀性的方法与反应器，所述方法包括以下步骤：（1）提供一个化学气相沉积室；（2）在化学气相沉积室内部设置环形挡板，从而将化学气相沉积室沿纵向分隔成若干相互连通的反应腔；（3）在所述反应腔的中心处放置基底；（4）从化学气相沉积室底部注入含有氢气以及惰性气体的还原气体；从反应腔的侧壁位于每个基底的上游位置处通入前驱体气体，前驱体气体与氢气在反应腔中混合并发生反应，从而在基底的表面沉积碳化硅薄膜。本发明通过改变反应气体的通入方式以及位置，能够有效调节基底表面的碳硅比以及反应气体在基底表面停留时间，有效提高碳化硅沉积速率与均匀性。
一种提高碳化硅沉积速率均匀方法反应器

[发明专利]一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置-CN202211716479.X有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶制备技术领域，具体公开一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置，包括坩埚部件，旋转部件，多孔石墨部件和导流部件，坩埚内含收纳空间和导流空间。坩埚部件包含坩埚顶壁、坩埚侧壁、坩埚底壁和坩埚内壁。坩埚内壁和坩埚侧壁之间的空间为第一收纳空间，第一收纳空间内收纳碳化硅原料粉源；坩埚内壁下方布置有第二导流部件，其外壁之间构成扩口空间；第二导流部件下方布置第三导流部件，第三导流部件外壁之间构成导流空间，该导流空间顶部装置有多孔石墨部件，该导流空间的底部装置有籽晶。该坩埚装置能减小重力等因素对单晶生长的影响，能减少晶体生长过程中的碳包裹物，有利于提高晶体质量。
一种应用于升华生长碳化硅坩埚装置

[发明专利]一种碳化硅多线切割冷却系统、切割装置及方法-CN202211638100.8在审
发明人：高冰;吴鲁;穆栋梁 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种碳化硅多线切割冷却系统、切割装置及方法，所述冷却系统包括砂浆桶，其用于储存砂浆，所述砂浆桶上设置有用于向砂浆释放超声波的超声波发射器；还包括输送系统，包括一个用于泵送砂浆桶内部砂浆的砂浆泵以及输送管路，还包括与输送管路相连通用于对碳化硅切割面进行喷淋的喷嘴组件；切割室，其内部设置有用于切割碳化硅的切割腔，所述切割室与砂浆桶相连通，从而能够回收砂浆。本发明通过在砂浆桶上设置有超声波发射器，使得砂浆液中的固体研磨剂能够均匀分散于砂浆液中，防止其沉积在砂浆桶的底部以及造成管路堵塞，同时提升了对于切割过程中的冷却效果。
一种碳化硅切割冷却系统装置方法

[发明专利]用于外延生长碳化硅薄膜的化学气相沉积反应器及方法-CN202211528061.6有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及外延法制备碳化硅薄膜的领域，提供用于外延生长碳化硅薄膜的化学气相沉积反应器及方法，该反应器将热源部件设置为两个，其中第一热源部件呈四周环绕式，围成通过加热形成高温环境的反应空间，第二热源部件设置在反应空间内，将反应空间分隔为相互连通的第一气体通道和第二气体通道。该反应器有益于在采用化学气相沉积法生长碳化硅外延薄膜的过程中提高前驱气相物质在反应器中的分解率，同时有益于增加气相物质在反应器中分布的均匀性，有利于薄膜的均匀生长。
用于外延生长碳化硅薄膜化学沉积反应器方法

[发明专利]一种用于升华法生长碳化硅晶体的复合型坩埚-CN202211716808.0有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长设备技术领域，尤其涉及一种用于升华法生长碳化硅晶体的复合型坩埚，包括第一坩埚以及第二坩埚，所述第一坩埚倒扣在第二坩埚上端，使得第一坩埚与第二坩埚之间形成用于碳化硅晶体生长的内含空间，在碳化硅晶体生长的过程中第二坩埚的位置能够上下调节，所述第一坩埚与第二坩埚之间还设置有缓冲装置。本发明通过控制坩埚内的辅助热源装置，克服坩埚厚度、线圈安置位置差异性等因素的影响，调节坩埚内温度分布，保证长晶区域径向温度分布的均匀性，并且在第一坩埚和第二坩埚之间增设的缓冲层在一定程度上可以减少第二坩埚向下运动所造成的第一坩埚的振动所引起的晶体生长过程中的微管位错等缺陷的产生。
一种用于升华生长碳化硅晶体复合型坩埚

[发明专利]一种化学机械抛光装置及高硬度半导体材料抛光方法-CN202211638015.1在审
发明人：高冰;吴鲁;周頔 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光装置及高硬度半导体材料抛光方法，所述装置包括抛光平台，其上表面设置有抛光盘，所述抛光平台的外侧围绕抛光盘外周部设置有围挡装置，使得围挡装置内部空间形成用于蓄积抛光液的蓄液空间，所述抛光平台上设置有用于对蓄液空间内部产生超声波的超声波发生器。本发明通过在化学机械抛光装置中引入超声波发生器，从而在化学机械抛光过程中提升了抛光液中磨料的活性，提升了其机械能，使得磨料对待抛光部件的磨削能力进一步提升。使得对于高硬度半导体材料的抛光效率大幅提升，大大缩短了加工时间。
一种化学机械抛光装置硬度半导体材料抛光方法

[发明专利]一种优化热场的物理气相法碳化硅晶体生长用坩埚-CN202211239729.5有效
发明人：高冰 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶体生长领域，尤其涉及一种优化热场的物理气相法碳化硅晶体生长用坩埚，其包括坩埚主体以及设置在所述坩埚主体上方的坩埚顶盖；所述坩埚主体用于放置碳化硅粉源的粉源区以及用于碳化硅气体流通的自由气体域，所述粉源区内部设置有多孔结构的导热装置，可有效改善粉源内部的温度分布情况，提高粉源中心的温度，进而提升粉源中心的升华速率与效率。本发明在自由气体域内部设置有阻挡装置，可以有效增加粉源与籽晶之间的温度梯度，且可以改变碳化硅气体的流动分布情况，提高籽晶表面碳化硅气体分布均匀性与晶体生长效率。
一种优化物理气相法碳化硅晶体生长坩埚

[发明专利]一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚-CN202211417516.7有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的物理气相运输法坩埚结构，属于晶体生长中的热场设计技术领域。一种用于提高大尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀性的坩埚，包括坩埚本体和设置在所述坩埚本体顶部外表的石墨材质的环形散热片；所述的环形散热片至少具有一个，并且环形散热片的圆心位于所述坩埚本体的中心线。本发明提出的具有环形散热片的坩埚，在气相法生长碳化硅过程中，可以通过增强散热的方式，降低籽晶边缘处的温度，从而提高籽晶生长过程中的温度均匀性，为籽晶生长创造更好的温度条件。本发明设计的散热结构，不仅适用于碳化硅生长坩埚，同样适用于其他物理气相运输法生长的晶体。
一种用于提高尺寸碳化硅籽晶生长温度均匀坩埚

[发明专利]一种提高生长效率的大尺寸物理气相法碳化硅生长坩埚-CN202211523878.4有效
发明人：高冰;叶宏亮;李俊 -专利权人： 浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及物理气相法碳化硅生产领域，尤其涉及一种提高生长效率的大尺寸物理气相法碳化硅生长坩埚，其包括坩埚主体以及坩埚顶盖，坩埚主体从下至上依次包括粉源区以及籽晶生长区域，所述坩埚主体其底部中心处设置有一个向粉源区内部凸起的第一加热装置，同时在坩埚主体侧边设置有氩气入口以及氩气出口；所述坩埚顶盖朝向空腔的一侧放置有用于沉积碳化硅晶体的籽晶，坩埚顶盖的上方还设置有一个第二加热装置。本发明在坩埚主体底部增加了第一加热装置，提升了粉源中心温度，同时在坩埚主体侧边壁面增加了氩气入口，在氩气气流的作用下，靠近坩埚壁面的高温气流被输送至粉源中心，进一步提升了粉源中心温度，同时也提高了粉源内部温度分布的均匀。
一种提高生长效率尺寸物理气相法碳化硅坩埚

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