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[发明专利]制造系统以及发光元件的制作方法-CN03822329.5有效
发明人：山崎舜平;桑原秀明;村上雅一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种气相沉积方法和薄膜形成系统的气相沉积系统，通过该气相沉积方法和气相沉积系统可以更有效地利用EL材料，并且以高的生产率形成具有良好均匀性的EL材料。根据本发明，在薄膜形成室内，其中密封含有蒸发材料的多个容器的矩形蒸发源支架相对于衬底以一定间距移动，并且蒸发材料被气相沉积在衬底上。另外，优选的是在气相沉积期间，在形成TFT时蒸发源支架的移动方向与激光束的扫描方向不同。
制造系统以及发光元件制作方法

[发明专利]钨膜的沉积方法-CN201510383665.X有效
发明人：周君 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨膜的沉积方法，包括以下步骤：提供基底；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的第一硅原子层；以钨的气态化合物和硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的钨核膜；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在钨核膜上的第二硅原子层；以钨的气态化合物和氢气作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的钨膜。上述钨膜的沉积方法，在钨核膜上形成第二硅原子层，使钨的气态化合物到达基底表面时和第二硅原子层的硅发生反应，从而阻挡钨的气态化合物向下扩散与钛发生化学反应生成气态物质，减少了钨膜沉积形成火山喷发状。
沉积方法

[发明专利]气相沉积的铝表面的不含铬的钝化方法-CN201180010315.9无效
发明人：雅各布·G·怀尔斯;约翰·R·科奇拉 -专利权人：埃托特克德国有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C22/34 文献下载
摘要：用于钝化基材上气相沉积的铝层的方法，包括：提供基材，其表面上包含气相沉积的铝；用包含六氟锆酸盐的、水性的、基本不含铬的组合物处理所述基材的表面；以及用水淋洗所述处理的表面。用于钝化基材上气相沉积的铝层的方法，包括：在基材上气相沉积铝层；用包含六氟锆酸盐的、水性的、基本不含铬的组合物处理具有气相沉积的铝的基材；以及用水淋洗所述处理的基材。
沉积表面不含铬钝化方法

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置-CN201210483923.8有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
等离子体增强化学沉积极板装置方法

[发明专利]硅前体和使用其制造含硅薄膜的方法-CN202110501185.4在审
发明人：安宰奭;金瑩恩;昔壮衒;朴正佑 -专利权人：韩松化学株式会社
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本公开涉及可通过气相沉积被沉积作为薄膜的气相沉积化合物，并且具体地，涉及适用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)且可以以高速沉积，特别地通过高温ALD的硅前体以及使用其制造含硅薄膜的方法。
硅前体使用制造薄膜方法

[实用新型]一种用于真空化学气相沉积炉的配气装置-CN202220594159.0有效
发明人：薛雁凯;王吉祥;吕雷英 -专利权人：山东伟基炭科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于真空化学气相沉积炉的配气装置，包括进气管，所述进气管包括上进气管和下进气管，所述上进气管和下进气管之间通过配气盒连接，多根上进气管的上端通过载板固定，所述载板上设有与上进气管连通的预热腔气体经过配气装置实现了温度的提升，提高了气体利用率，确保了真空化学气相沉积炉内沉积区的气体均匀性和化学气相沉积工艺的稳定性，提高了化学气相沉积产品的质量。
一种用于真空化学沉积装置

[发明专利]用于化学气相沉积工艺的喷淋头-CN201210019415.4无效
发明人：梁秉文;陈勇;叶芷飞 -专利权人：光达光电设备科技（嘉兴）有限公司
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在衬底上进行化学气相沉积工艺的喷淋头，包括：金属主体层，在进行化学沉积工艺时的温度低于300摄氏度；外表面层，位于所述金属主体层的靠近衬底一侧的表面，所述外表面层在进行化学气相沉积工艺时的温度高于所述金属主体层的温度本发明提高了化学气相沉积工艺形成的外延材料层的质量，也提高了化学气相沉积设备的产能和效率。
用于化学沉积工艺喷淋

[发明专利]形成具有降低的金属杂质的介电层的方法-CN96198872.X无效
发明人：赫尔德·R·卡瓦尔海拉 -专利权人：西利康瓦利集团热量系统公司
申请日： 1996-12-11 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种用化学气相沉积系统形成具有低金属原子浓度的介电层的方法。化学气相沉积系统包括臭氧装置和化学气相沉积反应器。氧气和无氮稀释气体引入臭氧装置，产生包括臭氧的气流。通过金属管路将气流送至化学气相沉积反应器，从而基本上不形成腐蚀管路的腐蚀蒸汽，从而提供基本上不含金属杂质的气流，其反应沉积具有减少金属杂质的层。
形成具有降低金属杂质介电层方法

[发明专利]连续进给化学气相沉积系统-CN202210515308.4在审
发明人： E·门托维奇;Y·罗特姆;Y·格里蒂什;D·纳韦;C·斯特恩;Y·本-纳伊姆;A·伊斯马赫;E·巴尔-拉比;T·考夫曼 -专利权人：迈络思科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：提供了一种连续进给化学气相沉积系统和相关方法。该连续进给化学气相沉积系统的示例包括被配置用于接收衬底的第一腔室。该连续进给化学气相沉积系统包括位于第一腔室下游并被配置用于接收来自该第一腔室的衬底的第二腔室。该第二腔室被配置为对该衬底执行学气相沉积处理。该连续进给化学气相沉积系统包括位于所述第二腔室下游的第三腔室，其被配置用于在化学气相沉积处理完成时接收来自第二腔室的衬底。该第二腔室可以与所述第一腔室和所述第三腔室在环境上隔离。该第一腔室还被配置为当所述化学气相沉积处理在所述第二腔室中发生时，接收后续衬底。
连续进给化学沉积系统

[发明专利]一种具有保护层结构的碳层材料的制备方法-CN201210468257.0有效
发明人：马宇尘 -专利权人：常州碳元科技发展有限公司
申请日： 2011-10-23 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：该方法包括有如下步骤：将碳层材料整体进行聚合物气相沉积的镀膜操作；将聚合物气相沉积处理后的材料切割成分体结构；对应着分体结构设置尺度内缩的内缩型层片，将该内缩型层片以尺寸内缩的方式加置于叠放的分体结构之间，再次进行聚合物气相沉积，其聚合物气相沉积镀膜的厚度在0.05-15微米之间；完成聚合物气相沉积之后，将邻近的内缩型层片和分体结构之间进行分离，完成对分体结构切割后的暴露边缘的聚合物气相沉积镀膜操作。利用本发明，在碳层材料外围通过聚合物气相沉积的方式生成镀膜，将现有的碳层材料的保护层的厚度大幅度降低。
一种具有保护层结构材料制备方法

[发明专利]基于气相动力学平衡的石墨烯化学气相沉积法制备方法-CN201510165661.4有效
发明人：何军;李家贵;陆曼婵;张培;陆钊;李超建;杨彤;陆家源;陆曼莎;陆宇秋;刘春玲 -专利权人：玉林师范学院
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于气相动力学平衡的石墨烯化学气相沉积法制备方法，该法采用易于气相动力学平衡的球形炉体的石墨烯化学气相法制备炉体装置，按化学气相沉积法制备石墨烯，并通过计算机设置和控制气相动力学参数实现精确控制石墨烯生长衬底材料表面的气相动力学平衡，以达到控制碳原子在石墨烯生长衬底材料表面的均衡沉积从而制备高质量石墨烯的目的。本发明解决石墨烯化学气相沉积法制备过程中由于衬底材料表面气相动力学不平衡而影响石墨烯的质量的难题，从而实现可控制、高质量地制备石墨烯，获得的石墨烯生长均匀、缺陷少、质量高。
基于动力学平衡石墨化学沉积法制方法

[发明专利]一种采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法-CN202110443007.0有效
发明人：言伟雄;袁建陵 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，涂层粉体包括基材和沉积在基材表面的一种或多种涂层材料，涂层粉体的制备方法为：采用等离子增强化学气相沉积工艺在基材颗粒表面沉积一种或多种涂层材料；等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行。本发明中的基材粉体在气相沉积过程中流态化运动，涂层材料以纳米颗粒形式相对均匀的分布在沉积后的复合粉体中，涂层材料快速在基材颗粒表面生成致密的堆积层，使基材与涂层牢固结合在一起，且复合粉体颗粒之间没有相互粘结现象
一种采用等离子沉积工艺制备涂层方法

[发明专利]一种采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法-CN202110442683.6有效
发明人：言伟雄;袁建陵 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，涂层粉体包括基材和沉积在基材表面的一种或多种涂层材料，涂层粉体的制备方法为：采用等离子增强化学气相沉积工艺在基材颗粒表面沉积一种或多种涂层材料；等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行。本发明中的基材粉体在气相沉积过程中流态化循环运动，涂层材料以纳米颗粒形式相对均匀的分布在沉积后的复合粉体中，涂层材料快速在基材颗粒表面生成致密的堆积层，使基材与涂层牢固结合在一起，且复合粉体颗粒之间没有相互粘结现象
一种采用等离子沉积工艺制备涂层方法

[发明专利]一种脉冲化学气相沉积Al2-CN202111660082.9有效
发明人：钟山;杨柯;黄先良;唐思扬;岳海荣;马奎;刘长军;宋磊;梁斌 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲化学气相沉积Al2O3膜层的方法。本发明沉积温度比化学气相沉积和金属有机化学气相沉积的反应温度更低，条件更加温和，且过程更加安全可控。本发明提供的沉积方法操作简单，Al2O3膜层厚度可控，所得膜层非常均匀致密。沉积温度比化学气相沉积和金属有机化学气相沉积的反应温度更低，条件更加温和。
一种脉冲化学沉积 al base sub

[发明专利]含氟热化学气相沉积方法和制品-CN201711405563.9在审
发明人： D·A·史密斯 -专利权人：西尔科特克公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明公开了热化学气相沉积处理。具体而言，热化学气相沉积处理的制品包括基材和所述基材上的疏油处理层，所述疏油处理层具有氧、碳、硅、氟和氢。所述疏油处理层的处理厚度小于600nm并具有不均匀的润湿机制。所述热化学气相沉积方法包括将制品放置在热化学气相沉积室内，使二甲基硅烷热反应以产生层，氧化所述层以产生氧化层，并对该氧化层进行氟官能化以产生经氧化然后氟官能化的二甲基硅烷化学气相沉积处理层。所述经氧化然后氟官能化的二甲基硅烷化学气相沉积处理层的处理厚度小于600nm并具有不均匀的润湿机制。
热化学气相沉积二甲基硅烷氟官能化疏油处理润湿化学气相沉积不均匀处理层氧化层基材产生层热反应含氟室内