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- [发明专利]气体供给装置、气体供给方法-CN201710757592.5有效
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高梨启一;石桥昌幸
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胜高股份有限公司
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2017-08-29
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2020-10-13
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C23C16/455
- 本发明提供一种能够轻松地且低成本地将气相生长用气体设定为所希望的浓度的气体供给装置及气体供给方法。运算部具备如下控制程序,即至少参考从所述气相生长装置输出的所述混合气体的流量设定值信号,以被导入到所述气相生长装置的所述原料气体的质量变得恒定的方式根据所述混合气体的浓度而运算导入到所述气相生长装置的所述混合气体的流量来获取第1运算结果,并根据该第1运算结果控制所述第1质量流量控制器,在控制所述第1质量流量控制器之后,以所述混合气体流量及所述稀释气体流量的合计流量变得恒定的方式从所述第1运算结果运算所述稀释气体的流量来获取第
- 气体供给装置方法
- [发明专利]气体供给装置和气体供给方法-CN201980075623.6在审
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林裕之;太田龙作
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东京毅力科创株式会社
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2019-11-13
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2021-06-29
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H05H1/46
- 【技术问题】在使气体供给通路的下游侧分支来对处理容器供给气体时,能够以简单结构防止气体从气体供给通路泄露。【技术手段】一种气体供给装置,其包括:对处理容器内进行排气来形成真空气氛的排气机构;气体供给通路,其包括从气体供给源供给气体的上游侧流路和该上游侧流路的下游侧分支为多个而形成的分别连接到处理容器的多个分支通路;第1阀,其开度可变但不能全闭,为了将供给到上游侧流路的气体向多个分支通路分流而分别设置于该分支通路;第2阀,其设置于上游侧流路,向下游侧供给气体或停止气体供给;检测处理容器内的压力的压力传感器;和异常检测部,其基于检测出的处理容器内的压力,来检测气体供给通路中的第2阀的下游侧的异常。
- 气体供给装置方法
- [发明专利]气体供给装置和气体供给方法-CN201710655290.7有效
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大仓成幸;布重裕
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东京毅力科创株式会社
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2017-08-03
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2020-04-07
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C23C16/455
- 本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时,提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括:分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61);与原料气体流路和反应气体流路分别连接的第一载气流路(51)和第二载气流路(71);置换气体流路(45),其经由与设置在第一载气流路和第二载气流路中的载气的供给控制装置不同的另外的供给控制装置,对处理容器内供给置换气体;设置在置换气体流路(45、65)中,储存置换气体的储气部(46、66);在置换气体流路中设置于储气部的下游侧的阀
- 气体供给装置方法
- [发明专利]气体供给方法和气体供给装置-CN200880009952.2无效
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原正道;五味淳;横山敦;田中利昌;前川伸次;多贺敏
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东京毅力科创株式会社
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2008-03-26
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2010-02-10
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C23C16/455
- 本发明提供一种气体供给方法,其用于将原料气体供给至消耗区域,该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到,该气体供给方法的特征在于,包括:工序(a),使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通,同时测定该处理气体供给路内的气体压力;工序(b),对上述原料容器内的固体原料进行加热,产生原料气体;工序(c),将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内,使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通,同时测定该处理气体供给路内的气体压力;和工序(d),根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量,计算上述原料气体的流量。
- 气体供给方法装置
- [发明专利]基板处理装置-CN201310152919.8有效
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益田法生
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东京毅力科创株式会社
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2008-10-29
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2013-09-25
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H01J37/32
- 其采用简单的配管结构,有效地进行基板的最外周的特性修正。其具备气体供给装置,气体供给装置具备:喷淋头、向喷淋头供给处理气体的处理气体供给部、流通来自处理气体供给部的处理气体的处理气体供给流路、从处理气体供给流路分支向喷淋头供给处理气体的分支流路及、向喷淋头供给附加气体的附加气体供给部、和使来自附加气体供给部的附加气体流到喷淋头的附加气体供给流路。喷淋头具有向晶片的配置区域供给气体的第一、第二气体导入部、,和向晶片外缘的外侧供给气体的第三气体导入部。分支流路、与第一、第二气体导入部、连接,附加气体供给流路与第三气体导入部连接。
- 处理装置
- [发明专利]气体供给装置、基板处理装置和基板处理方法-CN200810173055.7有效
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益田法生
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东京毅力科创株式会社
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2008-10-29
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2009-05-06
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H01L21/00
- 本发明提供一种气体供给装置、基板处理装置和基板处理方法。其采用简单的配管结构,有效地进行基板的最外周的特性修正。气体供给装置(60)具备:喷淋头(16)、向喷淋头(16)供给处理气体的处理气体供给部(66)、流通来自处理气体供给部(66)的处理气体的处理气体供给流路(64)、从处理气体供给流路(64)分支向喷淋头(16)供给处理气体的分支流路(64a)及(64b)、向喷淋头(16)供给附加气体的附加气体供给部(75)、和使来自附加气体供给部(75)的附加气体流到喷淋头(16)的附加气体供给流路(76)。喷淋头(16)具有向晶片(W)的配置区域供给气体的第一、第二气体导入部(51)、(52),和向晶片(W)外缘的外侧供给气体的第三气体导入部(53)。分支流路(64a)、(64b)与第一、第二气体导入部(51)、(52)连接,附加气体供给流路(76)与第三气体导入部(53)连接。
- 气体供给装置处理方法
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