专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]气体供给系统及气体供给方法-CN202310986755.2在审
  • 泽地淳;纲仓纪彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-11-01 - 2023-10-24 - H01L21/67
  • 提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接,且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。多个第1气体排出孔连通第1流路与处理空间。第2流路与第2气体的第2气源连接,且形成于顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。第2气体排出孔连通第2流路与处理空间。各第1隔膜阀在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地设置。
  • 气体供给系统方法
  • [发明专利]气体供给系统及气体供给方法-CN201811294307.1有效
  • 泽地淳;纲仓纪彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2018-11-01 - 2023-08-29 - H01L21/67
  • 提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接,且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。多个第1气体排出孔连通第1流路与处理空间。第2流路与第2气体的第2气源连接,且形成于顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。第2气体排出孔连通第2流路与处理空间。各第1隔膜阀在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地设置。
  • 气体供给系统方法
  • [发明专利]气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法-CN202310013724.9在审
  • 泽地淳 - 东京毅力科创株式会社
  • 2023-01-05 - 2023-07-21 - H01J37/32
  • 本发明涉及一种气体供给系统、等离子体处理装置及气体供给方法。气体供给系统具备的控制部执行以下控制:计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中流动的主气体的流量;获取在添加气体流路中流动且与在各个气体供给流路中流动的主气体进行混合的添加气体的流量;在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算主气体的流量与添加气体的流量之和即合计流量;使用在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的合计流量、以及主气体及添加气体的预先获取到的流量与压力之间的关系,来计算多个气体供给流路各自的内部压力;计算在多个气体供给流路的各气体供给流路中计算出的内部压力之比;以及基于内部压力之比来对多个流量控制阀的开度进行比例控制。
  • 气体供给系统等离子体处理装置方法
  • [发明专利]处理装置和处理方法-CN202111289390.5在审
  • 泽地淳;小笠原幸辅 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-11-02 - 2022-05-10 - H01L21/67
  • 本发明提供一种处理装置和处理方法,用于削减在搬送室的周围设置有多个气体处理室的基板的处理装置中的向所述气体处理室供给处理气体的气体箱的设置数量。对基板进行处理的处理装置具有:多个处理室,在所述多个处理室中在期望的处理气体的气氛下对所述基板进行处理;多个罐单元,所述多个罐单元与多个所述处理室分别对应地设置,所述罐单元具备用于临时储存所述处理气体的多个罐;以及气体箱,其经由所述罐单元向所述处理室供给处理气体。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基片处理装置、基片处理系统和维护方法-CN202111194945.8在审
  • 泽地淳;广瀬润;西嶋拓哉;曾根一朗;佐藤优 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-10-13 - 2022-04-22 - H01J37/32
  • 本发明提供一种基片处理装置、基片处理系统和维护方法,能够易于对形成在其中对基片进行处理的处理空间的腔室进行维护。本发明的基片处理装置包括:第1腔室和第2腔室、基片支承器、升降机构、夹具和解除机构。第1腔室包括提供开口的侧壁以及可动部。升降机构使可动部向上方和下方移动。基片支承器配置在第1腔室内。第2腔室配置在第1腔室内,与基片支承器一同形成空间。第2腔室能够经由开口在第1腔室的内部空间与第1腔室的外部之间进行搬送。夹具将第2腔室按照可解除的方式固定在可动部上。解除机构用来解除夹具对第2腔室的固定。
  • 处理装置系统维护方法
  • [发明专利]基片处理装置-CN202110665753.4在审
  • 泽地淳;广瀬润;西嶋拓哉;曾根一朗;佐藤优 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-06-16 - 2021-12-24 - H01L21/67
  • 本发明提供一种能够容易地维护腔室的基片处理装置,该腔室规定在其中进行对基片的处理的基片处理空间。本发明的基片处理装置包括第一腔室、基片支承器、致动器、第二腔室和至少一个固定器具。基片支承器和第二腔室配置在第一腔室的内部空间内。致动器使基片支承器在第一位置与第二位置之间移动。在基片支承器处于第一位置时,第二腔室与基片支承器一起规定基片处理空间。在基片支承器处于第二位置时,能够经由第一腔室的开口在第一腔室的内部空间与外部之间运送第二腔室。至少一个固定器具在第一腔室的内部空间中将第二腔室可解除地固定在第一腔室。
  • 处理装置
  • [发明专利]部件更换系统和部件更换装置-CN202110429608.6在审
  • 泽地淳;曾根一朗;佐藤优;西嶋拓哉 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-04-21 - 2021-11-02 - H01L21/677
  • 本发明提供能够削减半导体装置的制造中的系统的设置面积的部件更换系统和部件更换装置。进行消耗部件的更换的部件更换系统包括部件收纳装置和部件更换装置。部件收纳装置收纳使用前的消耗部件。部件更换装置与处理装置和部件收纳装置连接,能够将安装于该处理装置内的使用后的消耗部件与收纳于部件收纳装置内的使用前的消耗部件进行更换。此外,部件更换装置能够移动至安装有作为更换对象的消耗部件的处理装置的位置,与该处理装置连接。此外,部件收纳装置能够移动至与安装有作为更换对象的消耗部件的处理装置连接的部件更换装置的位置,与该部件更换装置连接。
  • 部件更换系统装置
  • [发明专利]等离子体处理装置的应用方法-CN201910738671.0有效
  • 泽地淳;佐佐木则和;山岛淳;佐藤好保;野上健一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2015-08-06 - 2021-08-24 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子体处理装置的应用方法。一个实施方式的等离子体处理装置中的气体供给系统包括第一~第三机构。第一机构的多个整合部构成为对来自一个以上的气源的气体进行选择并输出所选择的气体。第二机构构成为对来自多个整合部的多个气体进行分配,对所分配的气体的流量进行调节并将其输出。第三机构构成为将气体供给系统内的气体排出至排气装置。所述应用方法包括:使多个流量控制单元停止的步骤;关闭机构中的多个第一阀、第二阀和第三阀的步骤;打开多个第四阀的步骤;和利用压力计对排气管的压力进行计测的步骤。由此,能够检测气体供给系统所具有的多个第一阀的泄漏。
  • 等离子体处理装置应用方法
  • [发明专利]计测装置、计测方法和真空处理装置-CN202011351752.4在审
  • 泽地淳;曾根一朗;西嶋拓哉;佐藤优 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-11-26 - 2021-06-08 - H01J37/32
  • 本发明提供不进行大气开放而高精度地计测处理容器内的状态的计测装置、计测方法和真空处理装置。计测装置包括:壳体,其形成有具有与真空处理装置的第二出入口对应的尺寸的开口部,能够在第二出入口气密地安装开口部,其中,真空处理装置在处理容器设置有用于送入送出基片的第一出入口和与第一出入口不同的第二出入口;对壳体内部进行减压的减压机构;以及收纳于壳体内部的计测机构,其在由减压机构对壳体内部进行了减压的状态下,经由开口部计测处理容器内的状态。
  • 装置方法真空处理
  • [发明专利]气体供给系统、基板处理装置和气体供给系统的控制方法-CN202011144922.1在审
  • 泽地淳;网仓纪彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-10-23 - 2021-05-11 - H01J37/32
  • 本发明提供一种气体供给系统、基板处理装置和气体供给系统的控制方法,抑制吹扫气体向配管的上游侧的逆流。气体供给系统具有:配管,其供基板处理所使用的处理气体流通;吹扫气体导入管,其与配管连接并且向配管导入吹扫气体;第1阀,其设于配管的比与吹扫气体导入管连接的连接点靠上游侧的位置;第2阀,其设于配管的比第1阀靠上游侧的位置;以及控制部,其在使处理气体向配管流通的情况下,将第1阀以及第2阀维持为开状态,并且在将在配管内流通的气体自处理气体向吹扫气体切换的情况下,将第1阀以及第2阀自开状态向闭状态切换。
  • 气体供给系统处理装置控制方法
  • [发明专利]气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法-CN202011142969.4在审
  • 泽地淳;纲仓纪彦;西野功二;泽田洋平;岸田好晴 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-07-10 - 2021-01-29 - G05D7/06
  • 本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法,为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统,具备:第1流路,连接第1气体的第1气源与腔室;第2流路,连接第2气体的第2气源与第1流路;控制阀,设置于第2流路,并将第2气体的流量控制为规定量;节流孔,设置于控制阀的下游且为第2流路的末端;开闭阀,设置于第1流路与第2流路的末端的连接部位,并控制从节流孔的出口向第1流路供给的第2气体的供给定时;排气机构,连接于第2流路中控制阀与节流孔之间的流路,并排出第2气体;及控制器,使控制阀、开闭阀及排气机构动作。
  • 气体供给系统处理方法
  • [发明专利]性能计算方法和处理装置-CN202010636740.X在审
  • 泽地淳;网仓纪彦 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-07-03 - 2021-01-12 - H01J37/32
  • 本发明提供一种能够计算处理装置的与流量控制器有关的性能的性能计算方法和处理装置。性能计算方法获取多个流量控制器的出厂检查数据。性能计算方法基于获取到的出厂检查数据和表示流量控制器的性能的每个项目的第一系数,来计算通过偏差值表示每个流量控制器的性能的第一性能值。性能计算方法基于计算出的第一性能值和表示使用流量控制器的处理装置的性能的每个项目的第二系数,来计算通过偏差值表示处理装置的性能的第二性能值。
  • 性能计算方法处理装置
  • [发明专利]气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法-CN201710555971.6有效
  • 泽地淳;纲仓纪彦;西野功二;泽田洋平;岸田好晴 - 东京毅力科创株式会社
  • 2017-07-10 - 2020-11-13 - G05D7/06
  • 本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法,为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统,具备:第1流路,连接第1气体的第1气源与腔室;第2流路,连接第2气体的第2气源与第1流路;控制阀,设置于第2流路,并将第2气体的流量控制为规定量;节流孔,设置于控制阀的下游且为第2流路的末端;开闭阀,设置于第1流路与第2流路的末端的连接部位,并控制从节流孔的出口向第1流路供给的第2气体的供给定时;排气机构,连接于第2流路中控制阀与节流孔之间的流路,并排出第2气体;及控制器,使控制阀、开闭阀及排气机构动作。
  • 气体供给系统处理方法

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