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[发明专利]一种络合吸收同步电解还原的烟气污染物协同去除工艺-CN201510755976.4在审
发明人：向晓东;吴高明;幸福堂;陈旺生;卫书杰 -专利权人：武汉科技大学;武汉悟拓科技有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：技术方案包括烟气增压后送入浓缩塔反应，出浓缩塔的烟气送入吸收塔与从塔上部喷淋层喷出的循环吸收液逆向接触反应后由吸收塔顶部排出；浓缩塔塔底部分浓缩液经除铁后送入硫酸铵结晶系统；由喷淋层喷出的循环吸收液向下与烟气逆向接触反应后经烟气入口下方的电解再生层进入吸收塔底部，所述电解再生层由上至下依次为阴极层、阳极层和阴极层；所述电极层为导电材料制成的网状结构，相邻两个电极层间相互绝缘；所述电解再生层通过安装在塔壁上的接线柱与电源相接。
一种络合吸收同步电解还原烟气污染物协同去除工艺

[发明专利]太阳能电池、其模组及其制造方法-CN201510211843.0在审
发明人：赖光杰 -专利权人：茂迪股份有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池、其模组及其制造方法，该太阳能电池包含：一具有一正面与一背面的基板、位于该背面处的一第一掺杂区与多个第二掺杂区、一位于该背面上的缓冲层、一位于该缓冲层上的介电层、一位于该背面上并接触该第一掺杂区的第一金属层、一位于该背面上并接触该多个第二掺杂区的第二金属层、一连接该第一金属层的第一电极、及一连接该第二金属层的第二电极。通过在该基板与该介电层间增加该缓冲层，可多一层体阻挡在该基板之前，可于激光开口制程中先吸收激光能量，避免激光能量影响到该基板，从而确保元件品质，提升光电转换效率。
太阳能电池模组及其制造方法

[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法-CN201610974932.5在审
发明人：陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极，其中，所述量子点发光层至少有一面设置有成周期排布的多个凹槽本发明通过在发光层中设置成周期排布的凹槽，增加载流子传输层与量子点发光层材料之间的接触面积，从而提高载流子注入量子点发光层的效率；还可减少载流子在量子点之间传输的阻隔，使更多的激子可通过载流子直接注入或较短的量子点之间迁移形成
一种量子发光二极管器件及其制备方法

[发明专利]双面钝化异质结太阳能电池及其制备方法-CN201611003166.4在审
发明人：麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;李红亮;许颖;陈剑辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：所述双面钝化异质结太阳能电池的结构是：在n型硅衬底的正面制有第一钝化层，在n型硅衬底的背面制有第二钝化层，第一钝化层为PSS薄膜或掺杂PEDOT的PSS薄膜，第二钝化层为PSS薄膜或掺杂PEDOT的PSS薄膜；在第一钝化层上制有发射极，在发射极上制有正面电极；在n型硅衬底的背面制有穿过第二钝化层的背面栅型线电极。第一钝化层上的发射极同时兼为减反射层，因此无需使用昂贵的ITO材料。且第一钝化层、第二钝化层以及发射极均可采用非真空工艺制备，可大大降低太阳能电池的制备成本。
双面钝化异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种光伏组件-CN201610119158.X在审
发明人：姜京勤 -专利权人：苏州升奥新能源有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏组件，包括面板玻璃、背板玻璃、支撑柱、太阳能电池，其特征在于包括衬芯、薄膜电池层和位于衬芯与薄膜电池层之间且将薄膜电池层封装在衬芯上的封装材料；所述薄膜电池层包括由内至外依次覆盖设置的背电极层、发电层、透明导电层和透明的柔性衬底；所述封装材料套于衬芯外部，二者为形状一致的非平板的立体结构；所述背电极层、发电层和透明导电层上分别错落蚀刻有第三绝缘槽、第二绝缘槽和第一绝缘槽；其中，所述面板玻璃与所述背板玻璃的边缘封边处理
一种组件

[发明专利]LED芯片及其制作方法-CN201710750865.3在审
发明人：刘佳擎;李庆;陈立人 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片，包括衬底；成形在衬底上、且由N型半导体层、发光层和P型半导体层组成的外延层；分别与N型半导体层和P型半导体层电连接的N型电极和P型电极；所述LED芯片还包括在LED芯片背面位于所述衬底表面的光致发光膜层和/或滤光膜层，所述LED芯片与PCB基板电气连接能够实现光子从所述衬底端经由所述光致发光膜层和/或滤光膜层出射发光。本发明通过在LED芯片背面的衬底表面设置光致发光膜层，LED芯片发出的光通过衬底经由光致发光膜出射发光，在LED所发出的波长在蓝绿色区的光的激发下发射出波长更加集中的单色绿色、蓝色的光，从而单色出光效率更高
led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种基于氟化物光纤-黑磷的中红外光调制器-CN201610339639.1在审
发明人：陆荣国;田朝辉;叶胜威;刘天良;陈德军;张尚剑;刘永 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明包括基座，所述基座上设置有卡槽，所述卡槽中套设有氟化物单模光纤，所述氟化物单模光纤包括光纤芯层和包覆在光纤芯层外围的光纤包层，所述氟化物单模光纤上开设有使光纤芯层裸露的凹槽，裸露的光纤芯层的上方从下至上依次覆盖有第一隔离介质层、第一黒磷层、第二隔离介质层和第二黒磷层，所述第一黒磷层和第二黒磷层分别从两侧延伸出来并连接有第一电极和第二电极。
一种基于氟化物光纤黑磷红外光调制器

[发明专利]一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片-CN201810015110.3在审
发明人：赵东艳;王峥;庞振江;郭彦;王海宝;李胜芳;徐绥召;詹姆斯·G·迪克;林秀龙 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;江苏多维科技有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提出了一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；聚磁层，用于使TMR磁电阻的灵敏方向垂直于TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；所述ASIC芯片与所述
磁电阻电流传感器全集成芯片封装聚磁桥臂底部电极层顶部电极层被钉扎层键合引线灵敏方向外围器件引线框架装配效率保护层钉扎层封装体隔离层偏置层体内部种子层自由层减小串联垂直体内

[发明专利]电容器-CN201711464230.3在审
发明人：张宁;叶立 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器，所述电容器包括：衬底；至少一层电极层，位于所述衬底上，所述电极层包括：第一极板和第二极板，所述第一极板和所述第二极板均呈叉指结构且相对交错排布，所述第一极板用于连接共模电压，所述第二极板用于连接参考电压；导电层，位于所述衬底上，所述导电层能够与所述第一极板产生寄生电容，且所述导电层与所述第二极板连接。本发明通过增加导电层，所述导电层能与第一极板产生寄生电容，阻断原第一极板和相邻层之间产生的寄生电容；将导电层与第二极板连接，将寄生电容引到第二极板上，最终减小了第一极板的寄生电容，提高了包括电容器的ADC
极板导电层寄生电容电容器衬底极板连接电极层模数转换器参考电压叉指结构共模电压交错排布线性度相邻层减小

[发明专利]一种发光二极管及其制备方法-CN201810126562.9在审
发明人：杜石磊;李洪雨;韩效亚;伏兵 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管的制备方法在制备发光二极管的过程中，在外延结构的欧姆接触层和第一型粗化层之间制备了DBR层，并且在第二型扩展欧姆层背离第一衬底一侧还形成了ODR层，使得所述发光二极管中由于第一电极层遮挡而无法出射的光可以经由DBR层和ODR层的多次反射，达到改变出光角度及位置的目的，从而提升了发光二极管的发光效率。并且，在第一电极层两侧的第一型粗化层表面还形成有粗化表面，可以避免对出射光线形成全反射的概率，进一步提升了所述发光二极管的发光效率。
发光二极管制备第一电极发光效率粗化层欧姆接触层出射光线粗化表面多次反射外延结构欧姆层全反射衬底出射遮挡背离概率申请

[发明专利]一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201711171768.5在审
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，位于衬底的第一表面上，其中，外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结势垒区，从外延层的远离衬底的表面延伸进入外延层，结势垒区包括多个第二导电类型的环状或者条状结构；第二导电类型的SiC结终端扩展区，自结势垒区的结终端向远离结势垒区的两侧延伸设置，掺杂浓度自结势垒的结终端向两侧逐渐减小；介质层，设置在外延层的远离衬底的表面上，介质层具有斜坡结构，在与结势垒区对应的部分形成开口；第一电极层，设置在衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖开口的肖特基接触区和延伸到介质层上的场板结构。
一种 sic 结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种新型电容式六维力传感器-CN201910064729.8在审
发明人：蒲明辉;王奉阳;潘海鸿;胡世通;赵倩倩;陈琳;余蔚;梁旭斌 -专利权人：广西大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型电容式六维力传感器，其包括变形层、测量层、PCB板、过载保护部分。测量层固定于变形层内圈上，PCB板固定于变形层外圈。测量层上的动电极部分与PCB板上的静电极部分组成8个电容器，其中4个为具有边缘效应的垂直型电容器，4个为平行板电容器。变形层内圈受空间力使变形层的蛇形梁发生变形，从而电容器两极板极距发生改变，对应的电容量也发生改变，通过检测电路采集电容量的改变值，进行解耦计算，求出对应力的六维数值。本发明采用测量层与变形层分层的设计方法降低制作难度，同时采用蛇形梁使传感器满量程时各维度的刚度相似，以达到传感器宽量程和高灵敏度的要求。
变形层测量层电容器六维力传感器新型电容电容量蛇形梁传感器内圈平行板电容器电容器两极边缘效应高灵敏度过载保护检测电路解耦计算垂直型动电极静电极空间力宽量程满量程板极分层六维维度变形采集制作

[发明专利]触控面板的制造方法、触控面板、触摸屏及电子装置-CN201710983407.4在审
发明人：毕凯歌;黄梅峰;陈庆中;黄德跃 -专利权人：南昌欧菲光科技有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开的触控面板的制造方法包括步骤：提供一个盖板；在所述盖板的表面形成粘合层；在所述粘合层的表面形成第一金属涂层，所述盖板和所述第一金属涂层由所述粘合层间隔；加工所述第一金属涂层为网格状以形成第一金属网格层；在所述第一金属网格层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层的表面形成第二金属涂层，所述第二金属涂层和所述第一金属网格层由所述第一绝缘层间隔；加工所述第二金属涂层为网格状以形成第二金属网格层。本发明实施方式触控面板的制造方法中，将电极和电极与周围走线采用一道工序一次性实现，减少制作工序，避免出现位差等问题。本发明还公开了一种触控面板、触摸屏和电子装置。
金属涂层触控面板金属网格层表面形成粘合层盖板绝缘层电子装置触摸屏网格状电极制造绝缘层间隔一次性位差走线加工制作

[发明专利]一种孔隙结构可调的膜电极及其制备方法-CN201811640836.2在审
发明人：章俊良;程晓静;闫晓晖;沈水云;夏国锋;殷洁炜;王超;朱凤鹃 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种孔隙结构可调的膜电极及其制备方法，所述膜电极包括：阳极催化层和多孔的阴极催化层置于质子交换膜上；所述阳极催化层由阳极催化剂浆料制成，阴极催化层由阴极催化剂浆料制成。所述阴极催化层和阳极催化层均包括催化剂和离子树脂组成的固相成分，和形状不规则的孔隙结构；所述孔隙结构包括：固相成分团聚堆积形成的原生孔隙和造孔剂去除后留下的次生孔隙。本发明针对质子交换膜燃料电池阴极氧气传质困难的问题，使用纳米氧化物在阴极催化层中造孔，大幅增加了阴极催化层的孔隙率，同时改变了催化层内部的孔径分布，明显降低了阴极催化层内的气体扩散阻力，大大提高了电池在大电流密度下的性能
阴极催化层孔隙结构阳极催化层膜电极可调的制备质子交换膜燃料电池阳极催化剂浆料阴极催化剂浆料阴极气体扩散阻力纳米氧化物质子交换膜次生孔隙孔径分布离子树脂氧气传质原生孔隙不规则催化层孔隙率造孔剂造孔催化剂去除堆积团聚电池

[发明专利]一种加入有机胺诱导钙钛矿吸光层结晶取向的无铅钙钛矿太阳能电池制备方法-CN201910622719.1在审
发明人：曾文进;于晓;闵永刚;李英豪;唐亚楠;李志 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种加入有机胺诱导钙钛矿吸光层结晶取向的无铅钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括步骤：将透明电极衬底进行超声波清洗后再通过臭氧等离子体清洗；然后依次采用不同的旋涂速度制备空穴传输层和钙钛矿吸光层薄膜；在钙钛矿吸光层上按预设的旋涂速度旋涂制备电子传输层材料的溶液，形成薄膜后放置在设定温度的热台上进行退火处理；在形成的电子传输层上旋涂设定量的极性溶剂，在真空蒸镀仓镀腔中，通过热蒸发的方式在经极性溶剂修饰处理后的电子传输层上沉积空穴阻挡层传输层和顶电极，本发明通过在钙钛矿吸光层加入一种有机胺PEAI，促进载流子迁移率，短路电流密度提高，稳定性提高的同时提升了电池性能。
钙钛矿吸光层有机胺旋涂制备电子传输层极性溶剂结晶取向无铅薄膜诱导电子传输层材料太阳能电池制备臭氧等离子体载流子迁移率超声波清洗空穴传输层空穴阻挡层太阳能电池电池性能透明电极退火处理真空蒸镀传输层顶电极热蒸发短路沉积衬底镀腔上旋修饰预设清洗