[发明专利]光伏组件的制备方法与光伏组件在审

申请号：	202110894797.4	申请日：	2021-08-05
公开（公告）号：	CN115706187A	公开（公告）日：	2023-02-17
发明（设计）人：	陈海燕;蒋方丹;吴坚	申请（专利权）人：	嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
主分类号：	H01L31/20	分类号：	H01L31/20;H01L31/05;H01L31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司：	苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235	代理人：	段友强
地址：	314000 浙江省嘉兴市秀***	国省代码：	浙江;33
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摘要：	本申请提供了一种光伏组件的制备方法与光伏组件，所述制备方法包括采用焊带将沿第一方向依次排布的若干异质结电池串联为一体，在连接有焊带的异质结电池表面制备纳米银线薄膜，得到电池串，所述纳米银线薄膜覆设在所述异质结电池表面及连接至该异质结电池表面的焊带上；再将电池串放置在两张封装胶膜之间；层压，使得所述电池串与封装胶膜结合为一体。所述纳米银线薄膜与异质结电池表面及相应的焊带相结合，提高电流收集与传输性能，降低异质结电池的银浆耗量与材料成本；也能减少电池表面的金属栅线，降低遮光损失，提升光伏组件的转换效率。
搜索关键词：	组件制备方法
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摘要：本申请提供了一种硅片的处理方法及太阳电池，硅片的处理方法包括如下步骤：提供硅片；采用含有H2O2和碱的第一溶液对硅片进行清洗处理；采用含有HF和HCl的第二溶液对清洗处理后的硅片进行表面饱和处理；对表面饱和处理后的硅片进行切割；采用制绒药液对切割后的硅片进行制绒。本申请的处理方法能够有效地提高切割之前硅片表面的洁净度，避免切割机的吸盘被污染，减少太阳电池片的吸盘印不良，从而提高太阳电池片的良率和光电转换效率。

异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池-202310710691.3
发明人：贺晨冉;彭振维;吴洪凡;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，属于太阳能电池制备领域。异质结太阳能电池的制备方法，包括：提供硅衬底；在第一沉积温度和第一沉积速率下，在硅衬底的第一表面沉积第一本征钝化层，在第二沉积温度和第二沉积速率下，在第一本征钝化层上沉积第二本征钝化层；然后，在第一沉积温度和第一沉积速率下，在硅衬底的第二表面沉积第三本征钝化层，再在第二沉积温度和第二沉积速率下，在第三本征钝化层上沉积第四本征钝化层；第一沉积温度小于第二沉积温度，且第一沉积速率大于第二沉积速率。本申请采用低温低速工艺沉积的第一本征钝化层和第三本征钝化层缺陷少，氢含量更高，膜质更好。

一种光伏HJT电池制备方法-202310732209.6
发明人：刘松民;赵俊霞;任丽丽 -专利权人：三江学院
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种光伏HJT电池制备方法，包括选取硅片制绒，采用磷扩散方法对硅片进行处理，采用HF酸酸洗湿法工艺去除硅片表面的PSG层，在硅片的表面镀非晶硅本征层、N型或P型非晶硅掺杂层、透明导电膜，对硅片表面进行金属化制作，对硅片进行分选测试；本发明所设计的方法提高了电子的横向传输能力，降低了硅片正面TCO的材料使用量，同时也降低硅片正面TCO材料的电学性能要求，保证硅片正面TCO实现较好的光学性能，提高了电池的性能。

一种钙钛矿-异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法-202111281489.0
发明人：刘晓瑞;王伟;吴仕梁;张凤鸣 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种钙钛矿‑异质结三端MWT结构叠层太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池制造领域。正面减少了阴影遮挡面积，使其具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量，减少组件功率损失。所述叠层太阳能电池包括层叠的钙钛矿电池以及MWT异质结硅基底电池；所述钙钛矿电池结构从上到下依次包括第一透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层；所述MWT异质结硅基底电池从上到下依次包括第二透明导电层、N型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅基底、本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、背面ITO导电层。突破了对钙钛矿顶电池材料的带隙限制，增大了对电池材料的选择范围，有利于电池效率的提升。

改善太阳电池电镀时渗镀的方法-202310596175.2
发明人：朱万宇 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供了一种改善太阳电池电镀时渗镀的方法，包括以下步骤：提供太阳电池前驱体，所述太阳电池前驱体上具有铜种子层，所述铜种子层的表面具有氧化铜层；去除所述氧化铜层；在去除所述氧化铜层后的所述铜种子层上制备感光胶层；对所述感光胶层依次进行曝光、显影，得到图形化感光胶层，其中，所述图形化感光胶层具有开槽，且部分所述铜种子层暴露于所述开槽，将暴露于所述开槽的所述铜种子层定义为第一铜种子部，并将未暴露于所述开槽的所述铜种子层定义为第二铜种子部；在所述第一铜种子部上电镀铜，得到铜栅线；以及去除所述图形化感光胶层和所述第二铜种子部。本发明能够提高太阳电池的转换效率和外观。

硅异质结电池铜栅线电极制备方法及其装置-202310706754.8
发明人：黎力;宿世超;田宏波;王伟;李世岚 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明涉及异质结太阳电池的栅线制备技术领域，尤其是涉及一种硅异质结电池铜栅线电极制备方法及其装置。包括将硅片放置于氢氧化钾溶液中进行反应，使硅片表面形成双面制绒结构，在形成双面制绒结构的硅片沉积非晶硅层、氧化铟锡层；然后采用真空溅射法制备一层金属种子层和一层牺牲层，用于增强硅异质结电池导电性和提高后续的栅线拉脱力；再对其分别涂覆一层油墨作为热固化掩膜后进行激光灼烧得到沟槽，用于形成铜栅线层；最后洗净掩膜、去除金属种子层和牺牲层，得到成品。通过在金属种子层上覆盖牺牲层，采用油墨做掩膜激光气化制备栅线图形开槽，并在其中电镀铜栅。相对于常规铜栅电极的制备，本发明在激光照射时不会损失电池表面。

一种钙钛矿-HBC叠层双面电池制备方法-202210597149.7
发明人：王伟;张凤鸣;路忠林;王浩 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公布了一种钙钛矿‑HBC叠层双面电池制备方法，在HBC电池结构背面叠加钙钛矿形成一种钙钛矿‑HBC叠层双面电池结构；该结构引入背接触技术使电池正面无任何遮光，同时背面叠加钙钛矿使正背两面均为受光面并将两面的电流均引到中间导电层以获得更高的叠加效率。另外，该电池主要使用金属氧化膜或铜、铝和锡等金属作为电池金属电极，完全去银化，结合无倒角、低成本的铸锭单晶可极大的降低生产成本。

一种太阳能电池切割方法-202210251463.X
发明人：张松;朱凡;陆红艳 -专利权人：武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种太阳能电池切割方法，所述的电池包括表面钝化层和晶硅层；本方法先采用第一激光对电池表面钝化层进行消融处理，得到开槽，然后再用第二激光在开槽区中进行切割操作，该切割操作可以是激光划线加掰片方式，或激光加工诱导槽后冷热应力裂片(无损切割)方式；采用本发明的切割方法，能够降低在钝化层切割过程中对硅本体表面损伤和热损失，进而降低效率损失。

异质结太阳能电池及其制造方法-202110916140.3
发明人：吴科俊;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗；然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X％-Y％的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层；接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y％-Z％的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层；然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜；最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。本发明有助于改善电池的内建电场、提高电池转换效率。

一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池-202310623520.7
发明人：王豫林;汤安民;闫凯;郭小勇;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池，方法包括：提供制绒清洗后的晶体硅衬底，晶体硅衬底包括N面和P面；于晶体硅衬底的N面制备若干本征非晶硅层，各本征非晶硅层内包括掺杂有二氧化碳的本征非晶硅层，并于N面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置N型掺杂非晶硅层；于晶体硅衬底的P面制备若干本征非晶硅层，并于P面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置P型掺杂非晶硅层。本发明采用CO2梯度分层掺杂工艺在保证钝化效果无较大损失的情况下，由于CO2的梯度分层掺入使得电池片非晶硅层的整体禁带宽度得到拓宽，能够吸收更多不同波段的光子，减少光学损失，提升成品电池片的短路电流和转化效率。

一种异质结电池生产用镀膜设备-202320669226.5
发明人：崔日 -专利权人：合肥智杰精密设备有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本实用新型公开了一种异质结电池生产用镀膜设备，涉及镀膜设备技术领域，包括镀膜设备本体，所述镀膜设备本体中设置有用于镀膜加工的镀膜腔。该异质结电池生产用镀膜设备，通过伺服电机和第一伞齿轮以及第二伞齿轮和偏转轴的配合使用，使得该异质结电池生产用镀膜设备在镀膜设备本体的输入端和输出端均设置有封闭门板对开口进行封闭，执行封闭操作的过程中，伺服电机的驱动轴带动第一伞齿轮旋转，继而通过第一伞齿轮、第二伞齿轮的传动带动偏转轴偏转，偏转轴偏转后带动连接座和封闭门板偏转，控制封闭门板的偏转活动，从而对镀膜设备本体的两端进行开闭，从而保证镀膜设备本体工作过程中的封闭，避免废料和气体逸散。

一种异质结电池片制备方法-202310623142.2
发明人：王豫林;汤安民;郭小勇;闫凯;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开了一种异质结电池片制备方法，所述异质结电池片生产方法包括如下步骤：S1：取硅片进行制绒并清洗；S2：对经过制绒和清洗的硅片进行非晶硅镀膜；S3：将镀膜后的硅片进行退火处理，以消除硅片PL水纹印；S4：将完成退火处理的硅片进行TCO薄膜制备和丝网印刷。本发明方法在传统的HJT工艺步骤的基础上在镀膜后针对硅片采用了一道退火处理步骤，使得镀膜后的硅片上PL水纹印的缺陷变淡甚至消失，其少子寿命测试数据有所提升更加接近无缺陷硅片，使得生产过程中能更好的监控镀膜情况，对镀膜的实际情况有一个更好的判断，有利于进行质量控制。

栅线电极制备方法及太阳能电池-202111604101.6
发明人：苏晓东;曾玉莲;邹帅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明揭示了一种栅线电极制备方法及太阳能电池，所述方法包括：S1、在电池前驱体上涂覆正性UV油墨层；S2、对正性UV油墨层进行加热固化；S3、按照预定栅线图案对正性UV油墨层进行激光曝光；S4、通过第一碱溶液对激光曝光后的正性UV油墨层进行显影，形成贯穿正性UV油墨层的栅线开口；S5、在栅线开口处形成栅线电极；S6、通过第二碱溶液去除正性UV油墨层。由于激光的方向性强、正性UV油墨解像力较高，本发明的栅线开口宽度可达到30μm以下，减少了栅线电极遮光面积，提高了电池的短路电流Isc；与激光烧灼掩膜版获得栅线开口相比，本发明使用激光进行曝光，激光功率较小，不会伤害到电池前驱体，避免了太阳能电池的开路电压Voc损失。

一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置-202310677409.6
发明人：陈庆敏;卓倩武;俞玉松;张旭冉;贾建英 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置，方法包括：步骤（1）：提供一个低压化学气相沉积室；低压化学气相沉积室内设有硅片载具、进气管和出气管，进气管位于硅片载具下方；进气管具有出气孔；步骤（2）：在靠近出气孔的硅片载具的底部与出气孔之间设置挡流板；步骤（3）：在硅片载具内放置硅片；抽真空至100 mtorr，并加热至600~650℃；通入氧气形成650torr的微负压，沉积隧穿氧化层；步骤（4）：再次抽真空至150mtorr，通入硅烷发生反应，沉积非晶硅薄膜。本发明通过采用微负压工艺及挡流板提高非晶硅薄膜的沉积均匀性，提高TOPCon电池的转换效率和外观良率。

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摘要：本发明公开了一种N型光伏电池的PVD掩膜方法，该方法在HJT太阳能电池的制备过程中，制备N/P型掺杂非晶硅层后先将硅片侧面涂覆氯化钠层，然后用从上向下的PVD磁控溅射工艺沉积TCO薄膜，再用水洗去氯化钠层；在TOPCON太阳能电池的制备过程中，制备PN结后先在硅片侧面涂覆氯化钠层，然后在硅片背面制备隧穿氧化层和用从上向下的PVD磁控溅射工艺沉积掺磷多晶硅层，再用水洗去氯化钠层。本发明的方法可实现硅片表面少甚至无掩膜，有效增加了硅片表面的受光和可利用的面积，明显提升了转换效率。

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申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本申请提供一种双面硅异质结电池及其制备方法，方法包括提供N型硅片衬底，清洗N型硅片衬底，分别在第一表面得到第一绒面结构、在第二表面得到第二绒面结构；在第一绒面结构上沉积第一复合钝化层，在第二绒面结构上沉积第二复合钝化层，依次在第一复合钝化层上制备P型复合掺杂层、第一复合导电膜、第一栅线电极，依次在第二复合钝化层上制备N型复合掺杂层、第二复合导电膜、第二栅线电极。制备得到的电池具有更高的透过率和更低的缺陷，光的利用率和电池的稳定性提高，提高电池的电压及转换效率，降低了体电阻及接触电阻。采用激光转印降低了碎片率，可获得更窄，高宽比更好的栅线结构，通过优化的栅线结构和尺寸，还可以降低电池成本。

硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法-202310443734.6
发明人：霍亭亭;杨广涛;陈达明;白焱辉;李宏伟;孟子博;殷志豪 -专利权人：天合光能股份有限公司
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摘要：本公开实施例中提供硅衬底制绒及异质结太阳能电池制备方法，通过对硅衬底进行双面制绒，并对制绒后的受光面进行吸杂以在受光面表面形成吸杂膜，以该吸杂膜进行保护，对制绒后的受光面进行平滑处理，之后去除吸杂膜。这样，硅衬底正、背面形成差异化绒面结构，受光面仍然保持陷光性较好的绒面结构，平滑处理后的另一面能够消除尖锐塔尖等区域，改善其本征非晶硅层沉积的均匀性，提高其钝化特性。因此，在本实施例中，一方面吸杂工艺有利于降低硅衬底中缺陷态，提高衬底体少子寿命，提升电池的电学性能，另一方面形成起到保护作用的吸杂膜，而无需引入新工艺步骤来形成对受光面的保护膜，节约了工艺步骤，易于实现，降低生产成本。

一种清洗器和提高异质结太阳电池转换效率的方法-202110943399.7
发明人：孙林;杜俊霖;陈功兵;张林;杨秀清;刘香飞;闫涛;潘登 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/20
摘要：一种清洗器和提高异质结太阳电池转换效率的方法，属于太阳电池领域。提高异质结太阳电池转换效率的方法包括于制作异质结太阳电池时，在对异质结太阳电池的单晶硅片制绒之后、以及制作非晶硅层之前，实施以下去有机物操作：使用紫外线照射，用以对制绒后的单晶硅片进行清洗的清洗液和/或清洗槽，以对应使清洗液和/或清洗槽中的有机物污染物通过光化学反应被分解而去除或减少。该方案可以提高异质结太阳电池的转换效率。

异质结太阳能电池的制备方法-202210180572.7
发明人：薛建锋;王永洁;余义;苏世杰 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法，该制备方法包括如下步骤：在晶硅衬底上制备非晶硅薄膜，采用短波激光对非晶硅薄膜进行第一光注入，短波激光的波长为250nm～650nm；在非晶硅薄膜上制备透明导电薄膜，采用长波激光对透明导电薄膜进行第二光注入，长波激光的波长为950nm～1250nm；在透明导电薄膜上表面制备电极，采用上述的短波激光和长波激光叠加的激光对非晶硅薄膜、透明导电薄膜和电极进行第三光注入。该制备方法能够及时修复异质结太阳能电池制程过程中出现的损伤，使电池片具有良好的钝化效果和膜层导电性，提高异质结太阳能电池的开路电压、填充因子和转换效率。

一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法-202310323681.4
发明人：温才;杨洪旺;刘德雄;戴祺又 -专利权人：西南科技大学;四川省普照光新能源有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供了一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：对晶体硅衬底进行湿法清洗制绒；在晶体硅衬底两侧表面沉积形成本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜远离晶体硅衬底的两侧的表面分别沉积形成P型与N型非晶硅薄膜；在P型非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜远离本征非晶硅薄膜的两侧表面形成P+型超掺杂硅薄膜和N+型超掺杂硅薄膜；使用丝网印刷机和低温Ag浆正、背面印刷Ag电极。所述超掺杂硅薄膜HJT电池采用上述制备方法制备得到。本发明的有益之处在于，电池加工步骤简单，电池光电转换效率高。

太阳电池及其制作方法-202310584216.6
发明人：薛建锋;廖劼;苏世杰 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明提供了太阳电池及其制作方法。制作太阳电池的方法包括：提供硅膜片；在硅膜片的正面涂覆正面非感光油墨，正面非感光油墨具有多个间隔设置的第一通孔，第一通孔暴露出硅膜片；在第一通孔中填充正面感光油墨，正面感光油墨包括相邻设置的第一限位部分和第一填充部分，第一限位部分设置且覆盖在第一通孔的侧壁上，第一限位部分限定出第一预定尺寸孔洞，第一填充部分位于第一预定尺寸孔洞内；对第一限位部分进行曝光；去除第一填充部分；在去除第一填充部分的位置处形成正面栅线；去除正面非感光油墨和第一限位部分。非栅线的至少部分区域通过非感光油墨层代替感光油墨，大大降低太阳电池的成本，同时保证正面栅线的尺寸精度。

一种背接触式硅异质结太阳能电池及其制备方法-202210016391.0
发明人：蔡永安 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明公开一种背接触式硅异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制造领域，用于解决太阳能电池制备工艺复杂的问题。该制备方法通过第一掩膜遮住第二区域和隔离区域，在第一区域上完成第一掺杂层和第一电极的制作；之后，将第一掩膜剥离，再通过第二掩膜遮住隔离区域和第一区域，在第二区域上连续完成第二掺杂层和第二电极的制作，之后，将第二掩膜剥离，隔离区域没有形成任何膜层。该制备方法能够自然形成P区和N区的隔离，不需要单独通过光刻工序、湿化学刻蚀工艺或激光刻蚀工艺将P区和N区隔离，大大简化了制备工艺。本发明提供的背接触式硅异质结太阳能电池采用本发明中的制备方法制备得到。

一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法及异质结电池-202310636875.X
发明人：王伟;黎力;田宏波;李世岚;宿世超 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/20
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种栅线制备方法、异质结电池的制备方法及异质结电池，包括制备异质结电池基底，并在异质结电池基底正背面沉积透明导电薄膜层；在沉积透明导电薄膜层表面沉积金属种子层；在正面金属种子层表面印刷感光油墨，采用投影扫描曝光电池正表面制备正面掩膜；采用显影液对第二电池片中间体正面未曝光的栅线显影出栅线图形；在电池片背面及侧面采用热熔蜡进行喷墨使在背面及侧面制备掩膜；并进行电镀使电池片正背面得到铜栅线；除去第三电池片中间体正背侧面掩膜，用氧化物及稀硫酸蚀刻电镀金属种子层，上述方法有效降低电池片生产成本，同时提高电池生产良率，工艺更加简单，异质结电池制备效率更高。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光伏组件的制备方法与光伏组件在审

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