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[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用-CN202310918941.2有效
发明人：郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用。本发明属于光电子器件新材料领域。本发明为解决现有钙钛矿异质结制备方法复杂，不利于大规模生产以及所得钙钛矿异质结光电性能不高的技术问题。本发明分别对底层和上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂进行选取，以过饱和的乙氰和甲胺的乙醇溶液构成的混合溶液作为上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂，既保持顶层钙钛矿的结晶浓度，又保持底层不被其溶解；此外，通过设计垂直钙钛矿异质结薄膜各层厚度，构建出一种上层钙钛矿薄膜厚度远超底层钙钛矿薄膜厚度的垂直钙钛矿薄膜异质结，本发明的方法更加的简便快速，易于大面积制备，便于工业化生产。
垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法应用

[发明专利]用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结及其构筑方法-CN202310632395.6在审
发明人：张龙振;贺宁芳;吴小超;李庆奎;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
用于直接射线探测器钙钛矿异质结及其构筑方法

[发明专利]一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器-CN201911089437.6在审
发明人：徐建龙;张景越;陈彤;王穗东;高旭 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜、电极层以及封装层；其中，所述钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管本发明的基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性，将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围，同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率，克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈本发明所述的钙钛矿‑碳纳米管体异质结结构可显著增加用于电荷分离的界面面积，使得光响应度得到了大幅度提升。
碳纳米管钙钛矿体异质结载流子迁移率宽谱钙钛矿薄膜光电探测器薄膜半导体性碳纳米管溶液法制备电荷分离关键应用光响应度界面修饰吸收光谱吸收特性依次层叠栅介质层电极层封装层衬底多晶瓶颈吸收

[发明专利]一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用-CN202210350539.4在审
发明人：王亚飞;邹涛;邹天成 -专利权人：王亚飞;邹涛;邹天成
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用，包括：钙钛矿薄膜和钙钛矿衬底；使用溶剂溶解第一钙钛矿，制备钙钛矿溶液；通过气相沉积或气相辅助沉积的方法，将第二钙钛矿制备成钙钛矿衬底；将钙钛矿溶液通过溶液法沉积在第二钙钛矿衬底上，形成钙钛矿薄膜后，制备成钙钛矿双层异质结；钙钛矿薄膜由以范德华键为主要化学构成的由相比较第二钙钛矿包含范德华键至少1.2倍的第一钙钛矿制备而成；钙钛矿衬底由以离子键和/或共价键为主要化学构成的第二钙钛矿制备而成；钙钛矿双层异质结用于制备太阳能电池、光电探测器、发光二极管、发光三极管等，本发明提到的双层异质结提高了光电器件的性能，以及降低了钙钛矿双层异质结的制备成本。
一种钙钛矿双层异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种有机体异质结掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201911152074.6在审
发明人：钟建;董怀远;何伊玫;刘洁尘;刘泽宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机体异质结掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于电子元器件中有机光电器件技术领域，由下至上依次包括衬底、第一电极层、功能层和第二电极层，其特征在于：所述功能层包括至少一层掺杂有机给受体体异质结的钙钛矿活性层，所述有机给受体体异质结包含两种有机物组分，分别为电子给体材料和电子受体材料，每种有机物组分至少包含一种聚合物和一种小分子材料；所述有机体异质结通过溶解入溶剂中掺杂在钙钛矿前驱体溶液中，通过旋涂制备掺杂有机体异质结的钙钛矿活性层将有机体异质结引入钙钛矿活性层中，有效的拓宽了光谱，获取了不同于钙钛矿吸收波段的其他波段光生电流，并提升了器件的填充因子，有效地提升电池效率。
一种有机体异质结掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种体相异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202011579531.2有效
发明人：兰章;吴季怀 -专利权人：华侨大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开一种体相异质结钙钛矿太阳能电池，在电池骨架内形成有填充孔道，该填充孔道通过高温热分解包裹在各功能层(电子传输层、绝缘隔离层和空穴传输层)对应的纳米晶材料表面的聚多巴胺层而形成，各填充孔道里填充有机‑无机杂化或全无机钙钛矿光吸收材料，形成钙钛矿光吸收层贯穿于各功能层间(电子传输层、绝缘隔离层和空穴传输层)的体相异质结，在保持钙钛矿光吸收层厚度不变的情况下，含铅钙钛矿光吸收层材料的用量能降低到传统介观和平面异质结钙钛矿太阳能电池用量的10～30％，同时形成的体相异质结具有良好的界面接触状态，可保证太阳能电池的高光电转换效率。本发明还公开了一种体相异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法。
一种相异质结钙钛矿太阳能电池制备方法

[实用新型]一种体相异质结型钙钛矿光电探测器-CN201720803487.6有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南湘标新材料科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种体相异质结型钙钛矿光电探测器，包括基底(1)、体相异质结型活性层(2)和电极(3)，所述体相异质结型活性层(2)复合于所述基底(1)的上表面，所述电极(3)复合于体相异质结型活性层(2)的上表面，所述体相异质结型活性层(2)为内部分散有有机无机杂化钙钛矿粉体(21)的有机半导体薄膜。该体相异质结型钙钛矿光电探测器光电探测性能优秀、空气稳定性好。
一种相异质结型钙钛矿光电探测器

[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法-CN202310642501.9在审
发明人：王权;程培宇;陈明明 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明属于光电通信和光电器件技术领域，公开了一种钙钛矿/硅异质结光电探测器及其制备方法。包括：导电硅基底，钙钛矿层和电极。钙钛矿层由钙钛矿本体和沸石咪唑酯骨架结构材料ZIF‑67组成。步骤为：将ZIF‑67粉末与钙钛矿前驱体溶质混合，加入溶剂搅拌得到均质的钙钛矿前驱液，然后采用抗溶剂旋涂法在处理过的导电硅基底上制备钙钛矿薄膜，经过梯度热退火得到高质量的钙钛矿层，构建钙钛矿/硅异质结，最后在钙钛矿层表面制备电极，得到钙钛矿/硅异质结光电探测器。ZIF‑67对钙钛矿进行n型掺杂，并与p型低阻硅构建异质结，利用其内建电场加速载流子的分离。此外，ZIF‑67可调控薄膜生长，减少晶界及缺陷态，降低器件的非辐射复合损耗，提升器件性能及稳定性。
一种钙钛矿硅异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于2D/3D异质结蓝光钙钛矿薄膜、制备方法及发光二极管器件-CN202210096221.8在审
发明人：江乃忠;刘萌珑;王志斌;陈大钦 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开基于2D/3D异质结蓝光钙钛矿薄膜，包括位于下层的主体3D蓝光钙钛矿层以及在3D蓝光钙钛矿层表面旋涂有机离子卤化物溶液形成的2D钙钛矿表面覆盖层；基于2D/3D异质结蓝光钙钛矿薄膜的制备方法，于，包括以下步骤：将制得的钙钛矿前驱体溶液旋涂到基板上制备出稳定的3D蓝光钙钛矿薄膜；以3D蓝光钙钛矿薄膜为主体，使用含有至少一种阳离子的有机离子卤化物溶液在其表面再次旋涂形成2D钙钛矿表面覆盖层，最终形成的2D/3D异质结蓝光钙钛矿薄膜。
基于异质结蓝光钙钛矿薄膜制备方法发光二极管器件

[发明专利]一种基于spiro-OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110587818.8有效
发明人：于军胜;李嘉文;王瑞;王子君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于spiro‑OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，由下至上依次为透明衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿活性层、体异质结掺杂的空穴传输层以及金属阳极，且上述各层按序依次制备；其中，体异质结掺杂的空穴传输层采用空穴传输材料spiro‑OMeTAD，并掺入体异质结；体异质结包括并不限于IEICO‑4F：PCE10，薄膜厚度为300nm；掺杂的体异质结选用具有近红外吸收的给体/受体材料并选用与之搭配的受体/给体，spiro‑OMeTAD中掺入体异质结后，在提升器件短路电流的同时保持了器件的开路电压，从而提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
一种基于 spiro ometad 掺杂体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结锡基钙钛矿薄膜的制备方法和产品-CN202110713882.6在审
发明人：陈宇晖;曹昆;程阳凤;陈淑芬 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结锡基钙钛矿薄膜的制备方法和产品，包括，配制锡基钙钛矿前驱体混合溶液：分别配制含有A和B不同组分的锡基钙钛矿前驱体溶液，待上述溶液完全溶解后，再将其按照一定的比例混合，得到包含两种不同组分(A/B)的钙钛矿前驱体溶液，称之为钙钛矿前驱体混合溶液；将钙钛矿前驱体混合溶液滴涂在衬底1上，利用一步旋涂法制膜，退火后即得到具有异质结结构的锡基钙钛矿薄膜2。本发明制备的异质结钙钛矿薄膜，能有效提升薄膜的结晶性，且晶粒尺寸更大。该方法简单实用，成本低，易推广，能够有效改善锡基钙钛矿光电器件性能。
一种异质结锡基钙钛矿薄膜制备方法产品

[发明专利]一种忆阻器及其制作方法、电器件-CN202211508570.2在审
发明人：姬超;张璐 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请涉及忆阻器领域，公开了一种忆阻器及其制作方法、电器件，包括：获得忆阻器预制结构体，所述忆阻器预制结构体包括3D钙钛矿薄膜；在所述3D钙钛矿薄膜的表面制作2D钙钛矿薄膜，所述2D钙钛矿薄膜与所述3D钙钛矿薄膜形成钙钛矿异质结薄膜，得到忆阻器。本申请中的制作方法通过在3D钙钛矿薄膜的表面形成2D钙钛矿薄膜，并且2D钙钛矿薄膜与3D钙钛矿薄膜两者之间形成钙钛矿异质结薄膜，2D钙钛矿薄膜起到界面钝化层的作用，可以有效的改善钙钛矿异质结薄膜的疏水性，从而延长忆阻器的使用寿命；同时，2D钙钛矿薄膜还可以改善3D钙钛矿薄膜的表面形貌，提升覆盖均匀度，使制得忆阻器具有优异的开关性能。
一种忆阻器及其制作方法器件

[发明专利]一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510283480.1有效
发明人：沈辉;吴伟梁;包杰;邱开富 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基钙钛矿异质结太阳电池，该太阳电池的结构从上至下为铝电极、金导电膜、钙钛矿、氧化铝、n型硅片和银电极，其中钙钛矿为CH3NH3PbI3。本发明硅基钙钛矿异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池材料相比具有更优越的电学与光学性能，作为钙钛矿/硅异质结太阳电池的发射极，可实现对光谱的分段吸收，钙钛矿吸收可见光部分，硅吸收红外部分，使得太阳光的利用更加充分本发明还公开了上述硅基钙钛矿异质结太阳电池的制备方法。
一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

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