[发明专利]基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器有效
| 申请号： | 201811094137.2 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109390702B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01Q19/10 | 分类号： | H01Q19/10;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管，所述锗硅异质结双极晶体管的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线，所述锗硅异质结双极晶体管的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线和直流偏置电压，以及构成输出端。本发明的基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，提高片上集成天线的增益和效率，减小接直流偏置的封装线引入的寄生效应。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 集成 波导 天线 锗硅异质结 双极晶体管 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管(B)，其特征在于，所述锗硅异质结双极晶体管(B)的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线(1)，所述锗硅异质结双极晶体管(B)的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管(B)的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线(W2)和直流偏置电压(V)，以及构成输出端(S)。
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