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[发明专利]液晶彩色晶格的制造方法-CN03101678.2无效
发明人：河原胜 -专利权人：协真工程株式会社
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明涉及液晶彩色晶格的制造方法，其课题是，由于省略了退火处理工序，空晶格与液晶的磨合不良，存在经常在晶格内产生真空气泡的危险。另外，有机气体作为气泡残留在空晶格内部，使制品的成品率不良。还有需要分别设置具有单一功能的密封材料硬化作业装、脱泡装置、再次定向装置等的装置，还需要伴随于此的装置设置空间、设备费用等，再有，需要反复进行向各装置的腔内的晶格的导入导出，而且需要用于这些的搬运装置、移动作业空间，另外，在进行这样的搬运作业时，会存在经常发生制品损伤的问题。本发明将对晶格的密封材料进行硬化、脱泡、退火处理、对晶格内的液晶再次定向的工序在同一装置内实施。
液晶彩色晶格制造方法

[发明专利]有源区的形成方法-CN201810379107.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种有源区的形成方法，包括以下步骤1）提供一半导体衬底；2）以至少包含刻蚀半导体衬底的方式，形成浅沟槽于半导体衬底内，浅沟槽于半导体衬底内隔离出若干个间隔排布的有源区，有源区的侧壁内存在有刻蚀引起的晶格损伤；3）沉积形成含硅材料层于浅沟槽的底部及有源区的侧壁上；4）形成氧化硅层于有源区的侧壁上，以修复有源区的侧壁内的晶格损伤，氧化硅层的形成方法包括对含硅材料层进行热氧化处理。本发明在可以有效修复有源区内存在的晶格损伤的同时，并不对有源区造成任何消耗，从而最大限度地保留了用于形成半导体器件的有源区，有效提高了半导体衬底的使用效率，显著节约了成本。
源区衬底侧壁半导体晶格损伤浅沟槽含硅材料层氧化硅层半导体器件刻蚀半导体热氧化处理修复间隔排布使用效率沉积刻蚀隔离消耗节约保留

[发明专利]图像传感器的形成方法-CN202111415078.6在审
发明人：李金鹏;张栋;郑晓辉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在所述像素区内形成若干光电区；在所述逻辑区内形成若干有源区，相邻的所述有源区之间具有沟槽；在所述沟槽内形成隔离层，在形成所述隔离层的过程中具有热处理工艺，所述热处理工艺用于修复在注入所述第一离子时对所述衬底造成的晶格损伤通过先对像素区注入第一离子，在像素区内形成若干光电区；再利用形成隔离层的过程中具有的热处理工艺，热处理工艺用于修复在注入第一离子时对衬底造成的晶格损伤，进而减少白噪声的产生，以提高图像质量。另外，晶格损伤修复所采用的热处理工艺均是常规制程的工艺，能够有效减少制程，降低生产成本。
图像传感器形成方法

[发明专利]一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺-CN201510518123.9有效
发明人：黄升晖;苏冠创 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：对碳化硅晶圆工件需掺杂的位置进行注入离子，把SiC晶格内的原子打走，制造晶格空缺。在晶格没有形成非晶化结构层前，停止离子注入。然后，对衬底加温，注入掺杂离子，让注入掺杂的离子可马上填入晶格空缺，并把注入所引起的晶格损伤复原。采用本方法令SiC晶格内的空缺增加，当注入掺杂离子时，掺杂离子会跑到晶格空缺，得到激活。这样可以使现有退火激活热处理工序所需的温度大大降低，甚至取消这项工序。
一种碳化硅半导体器件掺杂制造工艺

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410184449.8在审
发明人：丁士成;沈忆华;余云初 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；刻蚀去除所述栅极结构两侧部分厚度的衬底形成凹槽；对所述凹槽表面进行氧化处理形成氧化膜，修复凹槽表面的晶格损伤；去除所述氧化膜，暴露出凹槽表面本发明在形成应力层之前，对凹槽表面进行氧化处理，将凹槽表面具有晶格损伤的材料转化为氧化膜材料后，去除氧化膜使得暴露出来的凹槽表面的晶格质量高，从而有利于形成质量高缺陷少的应力层，使得应力层作用在沟道区的应力作用较大
半导体器件形成方法

[发明专利]一种抗辐射的SOI材料的制备方法-CN202010578947.6在审
发明人：毕大炜;胡志远;张正选;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明顶层硅离子注入损伤小，局域性离子注入，其它部分不被注入，顶层硅晶格结构完整，成为后续退火修复的籽晶区域，退火后顶层硅晶格质量完整，均匀性好。
一种辐射 soi 材料制备方法

[发明专利]一种改善晶格损伤的方法-CN202011104593.8在审
发明人：孟凡顺;陈耀祖;陈忠奎;易芳;刘志攀 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶格损伤的方法，将晶圆放置在卡盘上，所述晶圆已完成等离子体刻蚀工艺，所述卡盘包括电极，所述晶圆与所述卡盘的电极接触；对所述晶圆进行第一次释放静电处理，以释放所述晶圆上的部分电荷；对所述晶圆进行第二次释放静电处理通过对释放静电处理工艺优化，减少因电荷聚集造成的接触孔蚀刻工艺中对晶格的损伤，提高产品成像的质量。
一种改善晶格损伤方法

[发明专利]用于晶圆的快速退火工艺-CN202110133828.4在审
发明人：丁文波;叶甜春;罗军;赵杰;王云 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：重参杂离子造成晶格损伤，在离子布植接面形成非晶与单晶的界面，通过中低温短时间回火，界面下方的单晶体可作为非晶层再结晶的籽晶而完成固相外延流程，砷造成的晶格损伤会随着结晶大幅修复，同时因为此过程温度不会太高且时间相对较短因此，本发明提供的工艺无需额外制程，成本投入，在已有工艺制程中引入新的方案，既能实现对重参杂离子造成的高晶格损坏修复，同时能兼顾保证所有离子高活化率以及形成浅接面。
用于快速退火工艺

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN202310931594.7在审
发明人：吴晓鹏;汪宏迪;刘成法;陈红 -专利权人：天合光能（宿迁）光电有限公司;天合光能股份有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：：对硅基底进行清洗制绒，在硅基底的表面制备绒面结构；采用激光掺杂对清洗制绒后的硅基底进行硼掺杂；对硼掺杂后的硅基底依次进行再次制绒和退火修复，再次制绒用于对绒面结构进行修复，退火修复用于对所述硅基底的晶格缺陷进行修复本申请通过再次制绒和退火修复，修复激光掺杂对基底造成的激光损伤造成的晶格缺陷和晶格畸变。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]3D打印缓震结构以及应用该结构的鞋底-CN201810565579.4在审
发明人：崔亚光;许志华;黄征;张省;崔强;渠慎涛 -专利权人：福建泉州匹克体育用品有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： A43B13/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D打印缓震结构以及应用该结构的鞋底，3D打印缓震结构由多个3D打印的镂空晶格结构单元填充而成。镂空晶格结构单元由多个形似鸟类骨骼骨的小梁相连组成均匀多孔的蜂巢状规则结构，小梁粗细为2～4mm，镂空晶格结构单元的直径为5～15mm。鞋底的空腔内由多个镂空晶格结构单元填充。多个镂空晶格结构单元连接成立体形状的圆角长方体网格，圆角长方体网格周期性排列成连续网格结构，形成三维连续体结构。具有能够吸收冲击能量并减轻冲击负载的功能，并基于足底压力分布将该结构应用于鞋底，而且还可实现支撑、透气、适足、轻量化等不同功能，可为不同体育项目、不同运动特点的使用者提供最合理的力学反馈，作为缓震和回弹的晶格支持使用者完成技术动作，为人体运动提供支持并保护运动爱好者免于运动损伤。
晶格结构镂空缓震打印圆角长方体单元填充网格小梁连续体结构使用者提供周期性排列冲击负载单元连接规则结构结构应用立体形状连续网格人体运动体育项目吸收冲击运动损伤运动特点足底压力蜂巢状轻量化回弹晶格空腔透气骨骼力学三维应用鸟类反馈支撑

[发明专利]腐蚀液及从二类超晶格外延薄膜层去除锑化镓衬底的方法-CN201910560445.8在审
发明人：李春领;肖钰;程雨;谭振;温涛;邢伟荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C09K13/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种腐蚀液及从二类超晶格外延薄膜层上去除锑化镓衬底的方法，腐蚀液用于去除二类超晶格外延薄膜层上的锑化镓衬底，腐蚀液包括：原料，至少包括以下之一：氢氟酸、磷酸；缓冲剂，至少包括以下之一：柠檬酸采用本发明，通过选择对锑化镓腐蚀能力较小的主料，并配以缓冲剂和添加剂，用于去除二类超晶格外延薄膜层上的锑化镓衬底，可以避免现有技术中在去除锑化镓的过程中造成二类超晶格外延薄膜层被腐蚀去除的情况，实现了二类超晶格外延薄膜层的表面无损伤，成功地还原了二类超晶格外延薄膜层的表面状态。
外延薄膜超晶格锑化镓去除腐蚀液衬底缓冲剂离子重铬酸根添加剂高锰酸根离子腐蚀柠檬酸表面状态混合物酒石酸锰酸根氢氟酸无损伤磷酸除锑乳酸主料还原成功

[发明专利]一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法-CN201110419356.5有效
发明人：薛忠营;张苗;狄增峰;魏星;陈达 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Si层，形成Si1-xGex/Si双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si双层薄膜，在所述Si衬底上制备出超晶格，形成包括至少一种所述超晶格的超晶格层组，接着在所述超晶格层组上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层并使所述Si1-yGey层弛豫以形成弛豫Si1-yGey层，由所述超晶格层组和弛豫Si1-yGey层构成虚衬底，最后在所述弛豫Si1-yGey层上外延一Si层，以完成应变Si的制备。本发明通过降低制备应变Si所需的虚衬底厚度，大大节省了外延所需要的时间，不仅降低了外延所需要的成本，而且减少了由于长时间不间断进行外延而对外延设备造成的损伤。
一种嵌入晶格制备应变 si 方法

[发明专利]制冷红外探测器及其制备方法-CN202210918121.9在审
发明人：杨天伦;毛建宏;杜宇;鲁琳;王慧 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种制冷红外探测器及其制备方法，所述制备方法包括：提供碲镉汞衬底，碲镉汞衬底的表面覆盖有晶格过渡层在晶格过渡层上依次形成绝缘保护层及牺牲层；利用图形化的掩模层执行离子注入工艺，在碲镉汞衬底中形成离子注入区；去除图形化的掩模层及牺牲层；在离子注入区上方形成金属电极，金属电极贯穿绝缘保护层及晶格过渡层，且金属电极电性引出离子注入区。本发明中，利用晶格过渡层保护碲镉汞衬底表面的初始的界面态，以牺牲层减小离子注入工艺对碲镉汞衬底的不良影响，并在后续的工艺中利用绝缘保护层保护晶格过渡层，提高制造良率，并降低因碲镉汞衬底的界面态沾污或损伤产生的漏电风险
制冷红外探测器及其制备方法

[发明专利]避免硅衬底表面损伤的方法-CN201310165076.5有效
发明人：王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：避免硅衬底表面损伤的方法。本发明涉及一种半导体离子注入工艺领域，具体涉及一种修复晶圆表面损伤的方法。通过在一定的温度条件下，通入一定量的含氧反应气体可保护在进行离子注入工艺时对衬底表面的牺牲氧化层造成的损伤，进而造成衬底表面的晶格损伤，以表面在后续的工艺中出现难以修复的缺陷，提升了器件性能和产品良率。
避免衬底表面损伤方法

[实用新型]一种硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置-CN201320871301.2有效
发明人：李战国;史舸;陈卫群 -专利权人：洛阳单晶硅有限责任公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置，适用于半导体硅抛光片制造过程中损伤层的去除工艺。本实用新型可以安装在离腐蚀机台很近且只有一墙之隔的房间内，减少了混酸存放在生产现场对人身及环境的危害，本实用新型具有结构简单、使用方便、安全可靠优点，可以在硅晶表面晶格结构损伤处理中广泛使用。
一种晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置