“晶格损伤”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果327234个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于三维闭孔晶格结构的传热结构及其制备方法-CN202210342963.4在审
发明人：王春阳;郑兴华;张挺;杨啸;申亚南;陈海生 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本发明涉及电池相变冷却技术领域，提供了一种基于三维闭孔晶格结构的传热结构及其制备方法，该传热结构，包括：本体，具有中空的内腔，所述内腔中设置有若干互不连通的晶格单元；相变材料，填充在所述晶格单元中。该传热结构，每个晶格单元均为封闭结构，晶格的各个侧壁都为高导热材料壁面，从而增大了接触熔化区域的面积，有利于提高换热效率。而且，晶格单元之间彼此互不连通，熔化后的相变材料无法流入其它晶格单元内，且流动速度较小，有效减小了自然对流导致的温度分布不均匀的影响，使传热结构顶部和底部温度分布更均匀，提高电池的均温性；同时，三维闭孔晶格结构的稳固性高
一种基于三维晶格结构传热及其制备方法

[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法-CN201110219051.X有效
发明人：吴志浩;林桂江;宋明辉;方妍妍;戴江南;陈长清;余金中;林志东 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：高效四强太阳能电池包括：InP生长衬底；具有第一能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池；具有比第一能带隙大的第二能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池；具有比第二能带隙大的第三能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第三子电池；形成于第三子电池上，且具有比第三能带隙大的第四能带隙的组分渐变层；形成于组分渐变层上，且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙，晶格常数与衬底晶格失配的第四子电池。
一种高效太阳能电池及其制作方法

[发明专利]红外光探测器及其制作方法-CN201811061275.0有效
发明人：黄勇;赵宇;吴启花;熊敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、N型衬底以及依序叠层于N型衬底的第一表面上的N型超晶格吸收层、N型超晶格势垒层和N型超晶格接触层，N型超晶格接触层中形成有多个P型超晶格接触部，多个P型超晶格接触部彼此独立，第一电极设置于N型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个P型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。
红外光探测器及其制作方法

[发明专利]晶格结构的模型生成方法和装置-CN202011138248.6有效
发明人：肖文磊;王世平;姜川;陈树林;赵罡;魏巍 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请提供一种晶格结构的模型生成方法和装置，该方法包括：接收模型生成指令，模型生成指令包括目标对象的尺寸，根据目标对象的尺寸，生成目标对象的晶格线框模型，晶格线框模型包括多个节点和与每个节点连接的多个边，针对晶格线框模型中每个节点，根据节点，将与节点连接的每个边作为法矢量，分别建立圆轮廓，根据节点对应建立的各圆轮廓，采用点集三角剖分方式，在节点生成节点的凸胞网格，针对晶格线框模型中每个边，根据边对应建立的两个圆轮廓，采用点集三角剖分方式，在边生成边的杆包围网格，以获得目标对象的晶格结构实体模型，晶格结构实体模型用于目标对象的增材制造。本申请的方法能够提高生成晶格结构实体模型的效率。
晶格结构模型生成方法装置

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201110042078.6无效
发明人：清水顺;好田慎一;山田康博;胁田尚英;石田昌宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：变形抑制层(110)具有：第1分隔层(111)、在第1分隔层上相接形成的第2分隔层(112)、在第2分隔层上相接形成的超晶格层(113)。第1分隔层的晶格常数比第2分隔层大。超晶格层中交替层叠了第1层(113A)以及晶格常数比第1层小的第2层(113B)。超晶格层的平均晶格常数比第1分隔层的晶格常数小，并且比第2分隔层的晶格常数大。
氮化物半导体元件

[实用新型]一种抗拉强度高的反光晶格片-CN201820194436.2有效
发明人：蔡为勤 -专利权人：石狮市冠鑫反光材料有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G02B5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗拉强度高的反光晶格片，包括反光晶格片本体，所述反光晶格片本体的内部设置有反光条，所述反光条的外表面设置有反光鳞片，所述反光晶格片本体的内层设置有布料层，所述PVC层的内侧设置有色带层本实用新型设置了反光鳞片，能具有强力醒目的好处，避免了反光效果不明显而引发事故的问题，设置了HDPE土工膜，具有良好的耐热、耐寒、抗张力强度性，解决了反光晶格片本体不具有抗老化的问题，设置了尼龙竖线和尼龙横线，能加强反光晶格片本体的抗拉强度，解决了反光晶格片本体抗拉性差的问题，设置了纳米涂层，大大的增强了反光晶格片本体的反光效果。
反光晶格片尼龙本实用新型反光鳞片反光效果横线反光条竖线色带纳米涂层内部设置布料层抗拉性抗老化强度性耐寒耐热节扣内层醒目

[实用新型]一种引向器及一种OBU装置-CN202021575125.4有效
发明人：林勇;游代波;武菲菲;阴倩倩 -专利权人：福耀玻璃工业集团股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01Q1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种引向器，包括由超材料制成的基板，所述基板包括多组依次排列晶格区和多个金属微结构，所述晶格区由多组阵列分布的晶格构成，所述晶格内设置有所述金属微结构，所述同一晶格区内的多组阵列分布的晶格的K值相等，所述不同晶格区内的晶格的K值不同；所述K值为等效介电常数与等效磁导率的乘积；还公开了一种OBU装置，包括OBU控制装置、馈电元件和设置在车辆玻璃上的OBU天线，所述车辆玻璃为夹层玻璃，包括层叠的内层
一种引向 obu 装置

[实用新型]一种一体式晶格结构透气软性3D打印鞋-CN202320011829.6有效
发明人：鲁彬 -专利权人：浙江光度创智科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： A43B7/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一体式晶格结构透气软性3D打印鞋，包括鞋面、鞋垫、晶格鞋底和鞋底包面，所述鞋面、鞋垫、晶格鞋底和鞋底包面采用3D打印一体成型，所述鞋面和晶格鞋底之间设置有鞋垫，所述晶格鞋底的底部设置有鞋底包面，所述鞋面、鞋垫、晶格鞋底和鞋底包面均采用PU软性材料制成，所述晶格鞋底包括横向单元和纵向单元，所述横向单元和所述纵向单元端口相连，所述横向单元和纵向单元对角处设置斜杆形成三角形，所述鞋面、晶格鞋底和鞋底包面均采用通体式局部开孔
一种体式晶格结构透气软性打印

[实用新型]电池组和电动车辆-CN202222338856.2有效
发明人：加藤诚司;稻泉英树;北冈惇 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M10/615 文献下载
摘要：所述外周构件包括晶格结构，在晶格结构中，在晶格结构的更靠近所述芯包的内表面和晶格结构的更远离所述芯包的外表面之间布置有大量的晶格。所述内表面包括至少一个内孔，内部布置有所述芯包的空间与所述晶格结构通过内孔互相连通。所述外表面允许流体从所述空间经由所述内孔和所述晶格结构流至外部，并且所述外表面包括外孔部分，外孔部分调节流体从所述外部至所述晶格结构的流入。
电池组电动车辆

[发明专利]砷化镓太阳电池及其制造方法-CN202010093535.3有效
发明人：吴真龙;张策;朱鸿根;郭文辉;李俊承 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓太阳电池，包含底电池、至少一个子电池以及顶电池，其中：顶电池的窗口层全部或部分采用AlGaInP/AlInP超晶格。其优点是：AlGaInP/AlInP超晶格中AlGaInP可以通过提高Al组分来减小晶格常数和提高带隙，减少AlGaInP的吸光。而AlInP保持与GaInP子电池晶格匹配，利用AlGaInP/AlInP超晶格的应变生长可以提高窗口层带隙，减少吸光。
砷化镓太阳电池及其制造方法

[发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202011345739.8在审
发明人：张立群;黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器，其P型超晶格势垒层(14)为P型InPSb/GaSb超晶格。本发明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成电子势垒层，其势垒高度高于传统的InAs/GaSb超晶格电子势垒，从而改善电子阻挡效果。本发明还公开了一种红外探测器，其N型超晶格势垒层(12)为N型InPSb/GaSb超晶格。本发明采用InPSb/GaSb超晶格制作形成空穴势垒层，由于不含有Al，因此避免了含Al材料的氧化，降低了材料生长和加工的难度，提升了器件稳定性和可靠性。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法。
红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于MATLAB的超材料点阵结构力学性能分析方法-CN202210856582.8在审
发明人：郭帅 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：所述方法包括：输入超材料晶格结构的制作参数，如长、宽、高，并通过横截面积按钮和晶格体积按钮计算出晶格结构的横截面积和体积；在力‑位移栏中输入晶格结构的相关数据，计算出晶格结构的应力‑应变数据和能量吸收数据，并且可以将数据导出至Excel；点击应力‑应变曲线绘制按钮可以快速绘制出晶格结构的应力‑应变曲线；通过能量吸收曲线绘制功能可以快速得到晶格结构的能量吸收曲线图。
一种基于 matlab 材料点阵结构力学性能分析方法

[发明专利]具有超晶格结构有源层的发光器件-CN201010219112.8有效
发明人：苏喜林;谢春林;胡红坡;张旺 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有超晶格结构有源层的发光器件。该具有超晶格结构有源层的发光器件，包括基体和形成于所述基体上的多层Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体结构，所述半导体结构包括依次形成于所述基体上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层包括超晶格量子阱层，所述超晶格量子阱层包括势垒层和超晶格势阱层。超晶格结构可以降低有源层的晶体缺陷密度和有源层由于晶格不匹配而产生的压电极化效应，提高有源层的晶体质量和发光效率，也提高了发光器件的稳定性和可靠性。
具有晶格结构有源发光器件

[发明专利]降低硅衬底LED外延应力的方法以及结构-CN201010137778.9无效
发明人：汤英文;江风益;方文卿;王立 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明包括：在硅衬底上生长晶格失配层，晶格失配层为发光材料不会在其上成核、生长或相对缓冲层生长得更慢，且不与反应物中的气体物质发生反应的材料；对晶格失配层构图；在晶格失配层构图后的互补区域生长缓冲层；在缓冲层和晶格失配层上生长发光材料层，生长过程中，在晶格失配层上方形成空洞；将外延层转移到新的支撑衬底上，去除生长衬底，以及去除晶格失配层。
降低衬底 led 外延应力方法以及结构

[发明专利]包括具有能带工程超晶格的MOSFET的半导体器件-CN200480018093.5有效
发明人：罗伯特·J·梅尔斯;吉恩·A.·C·S·F·伊普彤;迈尔柯·伊萨;斯科特·A.·柯瑞普斯;伊利佳·杜库夫斯基 -专利权人： RJ梅尔斯有限公司
申请日： 2004-06-28 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：MOSFET包括又包括多个堆叠的层组的超晶格沟道。MOSFET也可包括侧面与所述超晶格沟道相邻的源和漏区，以及重叠在超晶格沟道上面的栅极，用于使载流子在相对于堆叠层组平行的方向上通过超晶格输送。每组超晶格沟道可以包括多个堆叠的基本半导体单层，其定义了基本半导体部分，以及其上面的能带修改层。能带修改层可以包括至少一个限制在相邻基本半导体部分的晶格内的非半导体单层，从而超晶格沟道在平行的方向上比其它情况具有更高的载流子迁移率。
包括具有能带工程晶格 mosfet 半导体器件