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[发明专利]用于形成三维光场分布的光学器件-CN201980011194.6在审
发明人： X·罗滕伯格;K·洛德威克斯 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种用于形成三维光场分布的光学器件，包括：可单独寻址的单位晶格的阵列；该单位晶格的阵列中的每一个单位晶格包括堆叠，该堆叠包括：至少一个电极；以及共振限定层，包括至少相变材料(PCM)层，其中该共振限定层被图案化以限定几何结构，该几何结构被确定尺寸以限定电磁波的依赖于波长的面内共振；其中该至少一个电极基于接收到用于改变共振限定层中的共振的波长依赖性的控制信号来导致相变材料的相变用以控制单位晶格的光学特性；其中该单位晶格阵列中的各单位晶格被隔开以使得一单位晶格的PCM层与相邻单位晶格中的PCM层隔开。
用于形成三维分布光学器件

[发明专利]GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310223423.9在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;陈鲲;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周包裹住超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层；每层GaN/AlN超晶格结构对应形成一导电沟道，进而提高GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属可以从四周完全关断若干层超晶格结构对应的所有导电沟道，提高了GaN HEMT器件的栅控能力以及开关性能，从而实现了提高GaN HEMT器件性能的效果。
gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]在计算机辅助设计应用中生成晶格建议的方法和系统-CN201780034840.1有效
发明人： K.M.K.班达拉;H.夏雅尼 -专利权人：欧特克公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：用于设计三维晶格结构的方法、系统和装置，包括中间编码的计算机程序产品，在一个方面，方法包括：获得包括对象的3D模型的机械问题定义；使用一个或多个加载情况和标识为设计空间的基线材料模型的一个或多个各向同性实体材料生成对于该对象的3D模型的数值模拟模型；在该数值模拟模型中使用晶格结构行为模型代替该基线材料模型，预测设计空间中不同方位的不同晶格设置的性能；以及基于预测的不同方位的不同晶格设置的性能，呈现对于设计空间的一组晶格提议；其中，已经对不同的晶格设置预先计算了该晶格结构行为模型，这些晶格设置可由3D建模程序生成。
计算机辅助设计应用生成晶格建议方法系统

[发明专利]一种α型晶格百菌清的制备方法-CN201010295671.7无效
发明人：蒙健 -专利权人：蒙健
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C07C255/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种α型晶格百菌清的制备方法，该产品属于农用杀菌剂制造领域。百菌清是一种高效、安全的广谱杀菌剂，其晶格有三种分布，通常称为α型、β型、γ型，由于目前生产工艺的原因，工业品得到的百菌清中α型晶格较少，β型晶格的最多，γ型晶格极少，其中α型晶格百菌清在常温下最为稳定本发明是将混合晶格百菌清颗粒粉碎送入仓库、密封加热至80℃-120℃度之间，保温6-10天后一次性大批量制取α型晶格百菌清的方法，该方法具有零排放，无污染，一次转化数量大，不需加入晶种等优点。
一种晶格百菌清制备方法

[实用新型]一种可重构超材料结构-CN201720088138.0有效
发明人：张岭;陈志勇 -专利权人：武汉灵动时代智能技术股份有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可重构超材料结构，其特征在于包括天线罩，所述天线罩由介质层、超材料层和泡沫填充层构成；所述的介质层位于超材料层两侧，其将超材料层包裹在内；所述的超材料层由多个单元晶格构成铜层，单元晶格分为单元晶格A和单元晶格B，其单元晶格A位于单元晶格B两侧，在单元晶格A与单元晶格B之间填充有泡沫。
一种可重构超材料结构

[实用新型]一种防尘抗压反光晶格片-CN201821636255.7有效
发明人：陆孙华 -专利权人：苏州英尔捷微电子股份有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G02B5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防尘抗压反光晶格片，包括晶格片本体，所述晶格片本体下端粘接固定氧化锡层，所述晶格片本体的上端粘接固定有碳纤维层，所述碳纤维层上端粘接固定有防粘纸，所述防粘纸的上端固定连接有保护套，所述晶格片本体的四个边角均粘贴固定有边角贴纸，所述晶格片本体上表面设置有尼龙线，且尼龙线设置有三条，所述尼龙线上设置有反光鳞片。本实用新型通过设置保护套和碳纤维层，解决了反光晶格片不具有良好的防尘效果与不具有良好的防滑效果与反光晶格体不具有良好的抗压能力的问题。
晶格反光晶格片碳纤维层粘接固定尼龙线本实用新型防尘上端防粘纸边角抗压反光晶格反光鳞片防尘效果防滑效果抗压能力上端固定氧化锡层粘贴固定上表面贴纸下端

[发明专利]在存在势垒的情况下具有高交叉平面电导率的热电材料-CN201380015322.7在审
发明人： P.麦肯 -专利权人：俄克拉何马大学董事会
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：所述屏障层是包括多个超晶格层的短周期超晶格结构。每个超晶格层具有高能量子带和低能量子带。对于每个超晶格层，所述超晶格层的高能量子带的能级与相邻超晶格层的低能量子带的能级共振，和/或所述超晶格层的低能量子带的能级与相邻超晶格层的高能量子带的能级共振。
存在情况具有交叉平面电导率热电材料

[发明专利]半导电石墨烯结构、形成此类结构的方法及包含此类结构的半导体装置-CN201480042945.8在审
发明人：罗伊·E·米迪;苏密特·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导电石墨烯结构，其可包含石墨烯材料及所述石墨烯材料的至少一部分上方的石墨烯晶格匹配材料，其中所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。本发明还揭示一种对石墨烯材料的能量带隙进行改质的方法，其可包含在石墨烯材料的至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。
导电石墨结构形成方法包含半导体装置

[发明专利]具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED-CN200680011162.9有效
发明人： M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;F·M·斯特兰卡 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：为了将AlInGaP LED层的晶格常数增加到大于GaAs的晶格常数，以用来降低温度灵敏性，在衬底上形成设计的生长层，其中该生长层具有等于或者几乎等于所需AlInGaP层的晶格常数的晶格常数。在层生长过程中增加铟的量，使得最终的晶格常数等于所需的AlInGaP有源层的晶格常数。然后从GaAs分离InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层，并松弛，使得薄层的晶格常数增加到所需覆盖AlInGaP LED层的晶格常数。
具有减小温度依赖性 alingap led

[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法-CN201410777943.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：聚灿光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，该GaN基LED外延结构依次包括：衬底；GaN成核层；超晶格缓冲层；非掺杂GaN层；N型GaN层；多量子阱发光层；P型GaN层，其中，超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构。本发明可缓解蓝宝石衬底和GaN晶格不匹配造成的晶格失配问题，大大降低外延片在整个高温生长过程中的翘曲，提升外延片波长集中性及良率，同时有效提升GaN晶格质量，减少晶格位错密度，使器件光电特性更为稳定。
一种 gan led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器及其制备方法-CN201611160619.4有效
发明人：黄勇;熊敏;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种红外探测器，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。本发明使用无Al的InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs W型超晶格作为势垒层，材料容易外延生长，并且长期稳定性和可靠型较高。
超晶格红外探测器上接触层下接触层势垒层上端半导体技术领域长期稳定性外延生长吸收层下电极电极衬底制备

[发明专利]利用纤锌矿粉末的氮化物基发光器件及其制造方法-CN201110169497.6无效
发明人：陈周;朴健 -专利权人：半材料株式会社;朴健
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：公开一种利用诸如ZnO粉末的具有纤锌矿晶格结构的材料的粉末的氮化物基发光器件。该氮化物基发光器件包括：生长基板；形成于生长基板上的晶格缓冲层；和形成于晶格缓冲层上且其中具有叠置的多层氮化物层的发光结构，其中，晶格缓冲层由具有纤锌矿晶格结构的材料的粉末形成。晶格缓冲层由ZnO粉末形成，由此最小化在氮化物层生长期间由于氮化物层与生长基板之间的晶格常数差导致的位错发生。还提供一种制造该氮化物基发光器件的方法。
利用锌矿粉末氮化物发光器件及其制造方法

[实用新型]3D晶格画-CN201320268701.4有效
发明人：钟建荣 -专利权人：东莞市嘉虹实业有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： B44D2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3D晶格画，包括晶格座和填充于晶格座的晶格内的雪花泥，所述晶格座内的晶格布局为预定的图形，所述雪花泥为由颗粒状泡沫塑料与色浆及胶水混合而成的可以风干硬化的软胶团。本实用新型采用晶格座与雪花泥作为益智绘画工具，不仅方便使用、卫生清洁，而且可以反复使用，节约成本，同时做出的立体画美观，有立体感，具有3D效果，可给儿童益智活动带来浓厚的兴趣,启迪儿童创造智慧,增强儿童动手能力
晶格

[发明专利]制作包括能带工程超晶格的半导体装置的方法-CN200480018053.0有效
发明人：罗伯特·J.·梅尔斯;吉恩·A.·C·S·F·伊普彤;迈尔柯·伊萨;斯科特·A.·柯瑞普斯;伊利佳·杜库夫斯基 -专利权人： RJ梅尔斯有限公司
申请日： 2004-06-28 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种用于通过形成超晶格而制造半导体装置的方法，该超晶格包括多个堆叠层组。所述方法也可包括形成用于引起载流子在相对堆叠层组平行的方向上输运通过超晶格的区域。超晶格的每个组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其限制在邻近基半导体部分的晶格内，以便超晶格在平行方向上载流子可具有比其它情形下高的迁移率。该超晶格也可具有公共能带结构。
制作包括能带工程晶格半导体装置方法

[发明专利]干法刻蚀损伤的修复方法及栅极的制备方法-CN202310578402.9在审
发明人：张立星;郁发新;莫炯炯;吕贝贝 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种干法刻蚀损伤的修复方法及栅极的制备方法，本发明将具有栅极干法刻蚀损伤的氮化镓外延衬底先通过湿法腐蚀降低干法刻蚀物理轰击造成的表面粗糙度和表面粗糙引起的表面缺陷，再通过表面离子处理来修复干法刻蚀对氮化镓外延层造成的晶格缺陷
刻蚀损伤修复方法栅极制备