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[发明专利]一种晶圆硅片机械减薄装置-CN202210929906.6在审
发明人：何建军;沈桂英;赵有文 -专利权人：南通富电半导体材料科技有限公司;如皋市化合物半导体产业研究所
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆硅片加工技术领域，具体涉及一种晶圆硅片机械减薄装置。提供一种便于调整晶圆硅片减薄的位置，且可防止晶圆硅片产生翘曲的晶圆硅片机械减薄装置。一种晶圆硅片机械减薄装置，包括有固定机构和限位机构，操作架上部设有用于对晶圆硅片进行固定的固定机构，操作架左部设有用于对第一滑动架进行限位的限位机构，底座内部设有用于夹取晶圆硅片的取料机构。通过两个不同高度的研磨轮分别与晶圆硅片的内圈和外圈研磨，进而使晶圆硅片外圈经研磨后会形成一圈太鼓环，能够防止晶圆硅片在减薄的过程中发生翘曲的情况；通过控制操作架转动能够调整对晶圆硅片减薄的位置时，进而使研磨轮达到对晶圆硅片精准减薄的效果
一种硅片机械装置

[发明专利]一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法-CN201510383646.7有效
发明人：王强;涂招莲;王磊;朱琳 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，并取下所述晶圆。本发明实施例提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法能够在不影响晶圆表面电极形貌和正向电压参数及不破坏晶圆正面芯片图形的前提下，将晶圆卸下。
一种完成表面工艺硅片进行方法

[发明专利]一种半导体晶圆硅片分片装置-CN202211081961.0在审
发明人：张陈军;陈福文;张焜鸣 -专利权人：江苏嘉洛精仪智能科技有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆硅片分片装置，涉及半导体晶圆硅片技术领域；改善需要两个单独的装置进行分片和清洗，使用较为不便的问题，而本发明包括装置箱和设置在装置箱正面的密封门，装置箱内表面的一侧固定连接有放置板，装置箱内表面的一侧且位于放置板的上方固定连接有滑槽板；本发明通过联动板和限位挡板的设置，将晶圆硅片进行夹持，保证晶圆硅片的稳定，通过第一螺纹套的设置，使联动板移动推动晶圆硅片移动，通过拨动机构的设置，对晶圆硅片进行拨动，将晶圆硅片分离，通过清理机构的设置，对分离后的晶圆硅片进行清理，分片与清理自动化设置，不需要人工进行操作，简单方便，从而节省一定量的劳动力。
一种半导体硅片分片装置

[实用新型]传送不同污染程度硅片的导片机-CN201821832634.3有效
发明人：顾丹霞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种传送不同污染程度硅片的导片机，不同污染程度的硅片装在相对应的晶圆盒中，每个晶圆盒具有一个ID信息，所述ID信息包括晶圆盒的污染类型，所述导片机包括控制单元、晶圆盒识别单元、多个硅片传送手臂，其中晶圆盒识别单元和硅片传送手臂均与控制单元电性连接，晶圆盒识别单元通过晶圆盒的ID信息判断晶圆盒的污染程度并传输至控制单元中，每个硅片传送手臂可滑动地安装在一个传送手臂导轨上。本实用新型可以根据传片任务及自动识别的晶圆盒污染类型调用相应污染程度的硅片传送手臂，实现一台机器完成不同污染程度的硅片传送动作，提高了导片机的利用率，避免了误操作，而且每次传片完成后可以对动作的硅片传送手臂进行自清洁
晶圆盒硅片传送手臂导片机污染硅片本实用新型污染类型传送电性连接硅片传送可滑动地自动识别误操作自清洁导轨调用手臂传输

[发明专利]一种半导体晶圆硅片自旋转式高效抛光设备-CN202110757975.9在审
发明人：周勤 -专利权人：周勤
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明属于硅片生产制备技术领域，具体的说是一种半导体晶圆硅片自旋转式高效抛光设备，包括外壳、转盘、放料部件、电机、主动轮、从动轮、一号齿轮、二号齿轮、安装架、支架、限位轮和打磨部件；本发明中通过电机转动带动转盘转动，进而使得转盘带动上部的晶圆硅片和放料部件移动，随后在两个限位轮的支撑和摩擦力的作用下，进而使得晶圆硅片能够旋转，在抛光的过程中，晶圆硅片能够自转，进而在增加了晶圆硅片上各点在抛光过程中相对打磨部件移动的距离，进而提高了打磨的效率；同时由于晶圆硅片的自转，在转盘转动一周后，晶圆硅片上各点相对打磨部件的位置改变，进而防止出现晶圆硅片局部打磨不到的情况，进而提高了抛光的均匀性。
一种半导体硅片旋转高效抛光设备

[实用新型]一种用于硅片卸料升降的装置-CN201922496271.1有效
发明人：杨兆明;颜凯;中原司 -专利权人：浙江芯晖装备技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于硅片卸料升降的装置，包括，晶圆盒，顶部开口且能升降地设置于卸料工位，晶圆盒能接载且存储硅片；水箱，顶部开口且固定设置于晶圆盒的下方，水箱用于储水且所述水箱内水呈循环流动状态，晶圆盒能下降浸入水箱内浸润存储硅片且能自水箱内上升；升降结构，连接于晶圆盒上，用于升降晶圆盒；旋转结构，连接于升降结构上，用于转动上升后的晶圆盒以倾倒盒内残存水；控制部，升降结构和旋转结构均与控制部电连接。该装置卸料稳定，且能时刻保持硅片湿润存储，保证抛光后储存过程中硅片的表面质量，操作简单，方便使用。
一种用于硅片卸料升降装置

[发明专利]一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构-CN201210157816.6无效
发明人：蔡恩静 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括：一硅片，所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆本发明将待曝光的硅片中的晶圆分为两个区域，并且该两个区域为螺旋扫描工作路径结构，以确保硅片的绝大部分位置免受particles影响，以达到曝光质量从而提升产品良率。
一种提供浸没光刻扫描路径工作结构

[发明专利]基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置-CN202210930111.7在审
发明人：邓春星;由佰玲;周迎朝;原宇乐;武卫;刘建伟;刘园;孙晨光;王彦君;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明提供一种基于晶圆解理装置的晶圆体金属检测方法及晶圆解理装置，包括：通过所述解理装置对所述晶圆进行解理；用雾化的氢氟酸处理所述晶圆的解理面；收集所述解理面上的金属离子；通过ICP‑MS检测出所述晶圆中金属的含量；一种晶圆解理装置，包括：刻刀、机械钳和第一载台，所述第一载台被设置于放置晶圆；所述机械钳被设置于所述晶圆的侧面，用于夹取所述晶圆；所述刻刀被设置于所述晶圆的上方，用于切割所述晶圆。本发明的有益效果是通过自动化解理过程，实现对晶圆的机械化解理，用硅片解理的机械方法，使得硅片的内部表面暴露出来，再结合ICP‑MS，使得硅片中的金属元素的含量能够进行表征，从而更加容易地分析与控制硅片中金属元素的含量
基于解理装置晶圆体金属检测方法

[发明专利]110偏晶向硅片的制备工艺-CN202111560346.3在审
发明人：宫龙飞;曹育红;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种110偏晶向硅片的制备工艺，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：选择晶向为100的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转45°，再将单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，θ角大于0°小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为本发明能制备晶向偏离110一定角度的偏晶向硅片，且降低了偏晶向硅片的工艺难度，提升了硅棒的利用率，还降低了偏晶向硅片的制造成本。
110 硅片制备工艺

[实用新型]一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构-CN201220510663.4有效
发明人：蔡恩静 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构，包括：一硅片，所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方，其特征在于，所述硅片包括多个晶圆，所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶；所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆本实用新型将待曝光的硅片中的晶圆分为两个区域，并且该两个区域为螺旋扫描工作路径结构，以确保硅片的绝大部分位置免受particles影响，以达到曝光质量从而提升产品良率。
一种提供浸没光刻扫描路径工作结构

[发明专利]选择性晶体硅刻蚀液、晶圆硅片的刻蚀方法及其应用-CN201210335557.1在审
发明人：史爽;常延武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：同时提供一种晶圆硅片的刻蚀方法，包括：提供所述的选择性晶体硅刻蚀液；将若干晶圆硅片置于所述选择性晶体硅刻蚀液中；在密闭环境下，将包含若干晶圆硅片的选择性晶体硅刻蚀液加温至25℃～50℃，并在此温度下保持10sec～1800sec使所述若干晶圆硅片的表面得到刻蚀。该晶圆硅片的刻蚀方法可以用于晶圆背面的硅刻蚀。用该选择性晶体硅刻蚀液的晶圆硅片的刻蚀方法，解决了现有的晶圆背面的晶体硅的刻蚀的均一性和粗糙度差的问题。
选择性晶体刻蚀硅片方法及其应用

[发明专利]一种去除晶圆背面氮化硅薄膜的方法-CN201910530015.1在审
发明人：刘哲郡;黄然;徐莹;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除晶圆背面氮化硅薄膜的方法，包括：提供硅片，在所述硅片正面生长栅氧层；在所述栅氧层上沉积多晶硅栅；在所述硅片正面和背面同时生长氮化硅薄膜，所述硅片正面的氮化硅薄膜覆盖所述栅氧层和所述多晶硅栅的侧壁，以及覆盖所述多晶硅栅的顶部；在所述硅片正面沉积APF薄膜，覆盖所述多晶硅栅和所述栅氧层；去除硅片背面的氮化硅薄膜；去除硅片正面的APF薄膜。本发明在不损伤晶圆正面图形的情况下去除晶背氮化硅薄膜，从而避免晶背氮化硅膜对快速热退火工艺中测温和热处理过程的影响，有效降低晶圆内和晶圆间的不均匀性。
氮化硅薄膜硅片正面多晶硅栅栅氧层去除晶圆背面硅片晶背晶圆沉积薄膜覆盖快速热退火温和热处理不均匀性氮化硅膜晶圆正面生长侧壁背面损伤

[发明专利]提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法-CN201910402705.9在审
发明人：何昆哲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种提高晶圆抛光平坦度的方法及硅片加工方法，提高晶圆抛光平坦度的方法包括：提供若干个来料晶圆；对来料晶圆按照预设参数进行分组，以形成若干个预设抛光组，各预设抛光组中的各个来料晶圆的预设参数的数值的差异在预设波动范围之内；分别对每一组预设抛光组中的来料晶圆进行抛光。本发明在抛光加工前对来料进行一定规则的分选分组分档，控制一起抛光加工的硅片，使得其差异性较低，使得加工时对硅片影响小，可以获得更好的硅片平坦度，实现硅片与抛光加工更好的匹配，分组分档的预设参数可以基于几何测量获得，可以是硅片加工过程中的几何测量步骤，获取方式简便，可以简便有效的提高晶圆抛光平坦度，节约成本及工艺周期。
平坦度晶圆抛光硅片晶圆预设硅片加工抛光加工预设参数抛光组几何测量分组分档工艺周期获取方式抛光差异性分选匹配节约加工

[发明专利]100偏晶向硅片的制备方法-CN202111560348.2在审
发明人：宫龙飞;曹育红;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种100偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：选择晶向为100的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，θ角大于0°小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为本发明能制备晶向偏离100一定角度的偏晶向硅片，且降低了偏晶向硅片的工艺难度，提升了硅棒的利用率，还降低了偏晶向硅片的制造成本。
100 硅片制备方法

[发明专利]一种晶圆盒运输装置-CN202111435675.5在审
发明人：杜宬;高博扬 -专利权人：北京知形科技有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆盒运输装置，涉及运输晶圆的载具技术领域，包括罩子本体、减震器和内部储存有硅片的晶圆盒，罩子本体内部设有晶圆盒和减震器，减震器位于晶圆盒和罩子本体之间。晶圆盒通过减震器支撑设置在罩子本体的内部，并且晶圆盒与罩子本体之间通过减震器进行隔离，减缓AGV机器人在移动过程中产生的震动通过罩子本体传导到晶圆盒，保护晶圆盒内的硅片，避免造成硅片损坏的情况，晶圆盒位于罩子本体内部，防尘性好，机器人通过视觉判断晶元盒轮廓，确定晶元盒的位置和姿态，提高抓取定位精度，适合机械臂取放。
一种晶圆盒运输装置

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