“晶圆片测厚”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2661915个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种晶圆片厚度测试机-CN202222067773.4有效
发明人：张志伟;常华东 -专利权人：埃美特（厦门）科技有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆片厚度测试机，该种晶圆片厚度测试机，通过将载台放置在放置台上，再将待测晶圆片放置在载台上，放置完毕后，通过送料机构将载台输送至工作台上，再通过调节厚度测试机构的第一升降机构，调节连接件向下移动，连接件带动测厚镜头向下移动，使测厚镜头与载台顶面和待测晶圆片顶面均接触，通过厚度测试机构的接触式传感来对多个晶圆片的厚度进行检测，从而可以完成对多个晶圆片的自动同时测试，相对于现有的人工单一检测效率更高
一种晶圆片厚度测试

[发明专利]快速选择最佳光刻胶膜厚的方法-CN202210817437.9在审
发明人：钱睿;郭晓波;张聪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明提供一种快速选择最佳光刻胶膜厚的方法，提供设于加热装置上的晶圆，晶圆上形成有光刻胶层，利用加热装置设置梯度差的温度，使得晶圆上的光刻胶层的厚度为梯度分布；根据厚度为梯度分布的光刻胶层设计光罩，光罩对应每个厚度的光刻胶层均依次设有多个不同关键尺寸的量测图形以及膜厚量测图形；光刻将光罩的量测图形和膜厚量测图形转移至光刻胶层上，分别得到线宽量测结构和膜厚量测结构，之后根据每个线宽量测结构得到线宽，根据每个膜厚量测结构得到光刻胶层的厚度。本发明制备光刻胶膜厚梯度分布晶圆和特殊设计的光罩，可以只使用一片晶圆来得到不同的光刻胶厚度，节约成本和时间的同时，可以大幅增加取样点。
快速选择最佳光刻胶膜方法

[发明专利]一种大尺寸晶圆片减薄工艺-CN202110015809.1有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄工艺，包括：执行对晶圆片的厚度进行单面减薄；减薄时，用于减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放接触，以设定减薄后厚度目标值分阶段地对晶圆片逐层进行减薄，并实时采用测厚针与晶圆片表面连续接触以监测晶圆片减薄后的厚度值；当减薄后厚度目标值与厚度最终值的差值为2‑5μm时，测厚针远离晶圆片直至减薄结束；同时，在设定转速情况下磨盘仍以前一阶段的进给速度一旋转若干圈，再向远离晶圆片一侧移动一定距离，停止旋转；再在同一设定转速条件下，以进给速度二向靠近晶圆片一侧的方向移动，并以进给速度二对晶圆片厚度进行减薄，直至减薄结束。本发明晶圆片平坦度在1μm内，破片率降低0.009％，单面减薄时间提高17％。
一种尺寸晶圆片减薄工艺

[发明专利]一种单片晶圆测试多台设备的方法-CN201910849155.5有效
发明人：吴恋伟;林元鼎;邓丹丹;郭文海;翁佩雪;赵玉会;林锦伟 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片晶圆测试多台设备的方法，包括以下步骤：应力测试仪对裸硅晶圆进行应力前置测试，获取前置应力值；将裸硅晶圆置入化学气相沉积设备中，对应力测试后的裸硅晶圆沉积氮化硅，膜厚测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行膜厚和折射率测试，获取氮化硅膜厚和折射率作为化学气相沉积设备测机参数，以及应力测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行后置应力测试，获取第一后置应力值。本方案省去多道传统检测工艺步骤，简化测机工艺流程，缩短了检测周期，减少测机片的使用，提高检测效率。
一种单片测试设备方法

[发明专利]基于光纤式差分的晶圆片快速测厚系统及方法-CN202210581161.9在审
发明人：胡春光;王子政;孙新磊;翟聪;刘亦辰;袁禹聪;姚程源 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于光纤式差分的晶圆片快速测厚系统，包括光源模块、分束模块、测量路、参考路、探测器模块和主控模块，其中：光源模块，用于产生近红外光束并输出；测量路，用于将测量光束汇聚入射至待测晶圆片样品上形成小光斑，并使待测晶圆片反射的反射光返回至分束模块后进入探测器模块，在测量路上设置有测量路快门；参考路，用于将参考光束汇聚入射至参考样品上形成小光斑，并使被参考样品反射的反射光返回至分束模块后进入探测器模块，在参考路上设置有参考路快门本发明同时提供一种采用上述系统的晶圆片快速测厚方法。
基于光纤式差分晶圆片快速系统方法

[实用新型]一种激光减薄晶圆厚度测量装置-CN202021865406.3有效
发明人：陶为银;巩铁建 -专利权人：河南通用智能装备有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光减薄晶圆厚度测量装置，包括测厚装置，测厚装置内部设置信号转换器，信号转换器上连接激光探测头，测厚装置底部设置底座滑轨，测厚装置上设置导线，导线连接控制器，测厚装置左侧设置载物台，该激光减薄晶圆厚度测量装置，结构设置合理，将晶圆放置在载物台内，测厚装置的左右移动以及支撑滑块的前后移动，测厚装置内的激光探测头将探测到的晶圆厚度信息通过信号转换器传输至控制器的显示屏上，有人员通过操作装置将信息经过精确计算得出晶圆厚度，如此便能够更好的保证晶圆的高效生产，促进晶圆行业的发展。
一种激光减薄晶圆厚度测量装置

[发明专利]晶圆测厚装置及晶圆测厚系统-CN201910077439.7有效
发明人：王勇威;范文斌;周立庆;李家明;温涛 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆测厚装置及晶圆测厚系统，涉及电子测量设备技术领域，以缓解现有技术中存在的晶圆良品率较低的技术问题。该晶圆测厚装置包括底板、测量机构和回转机构；测量机构包括支撑架、安装座和测距传感器；支撑架设置于底板；安装座连接于支撑架的远离底板的一端，且安装座开设测量槽口；两个测距传感器连接于安装座，且相向伸入测量槽口本发明提供的技术方案提高了晶圆良品率。
晶圆测厚装置系统

[实用新型]一种陶瓷盘晶圆片自动检测装置-CN202122383619.3有效
发明人：王育平;陈贻达;林志阳 -专利权人：厦门特仪科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷盘晶圆片自动检测装置，包括机架，机架内设有厚度检测机构，厚度检测机构包括大理石气浮平台、晶圆片承载机构、X轴调节机构、Y轴调节机构、Z轴调节机构、测厚镜头机构；大理石气浮平台设于机架上；晶圆片承载机构用于放置待检测的晶圆片；测厚镜头机构分别通过X轴调节机构、Y轴调节机构和Z轴调节机构实现X轴、Y轴和Z轴方向上的调节；X轴调节机构、Y轴调节机构和Z轴调节机构均配备相应的直线电机，并由控制系统根据系统软件自动控制
一种陶瓷盘晶圆片自动检测装置

[发明专利]晶圆检测方法及晶圆检测模组-CN202010510195.X在审
发明人：刘昊岩 -专利权人：刘昊岩
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭露一种晶圆检测方法，该方法包括:提供一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；在此待测晶圆片的背面，对选定的若干个区域逐个进行照光；在此待测晶圆片的正面，侦测光线透射所选定区域后的影像；分析该些影像以判断此待测晶圆片是否符合规范以及可用于前述晶圆检测的晶圆检测模组，其包括:一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；光源装置，设于待测晶圆片的背面，用于为待测晶圆片提供光源或照光；及感测机构，设于待测晶圆片的正面，用于对经所述光源装置光照后的区域拍摄影像由此，通过前述晶圆检测模组及晶圆检测方法可在封装前对晶圆的合规性进行检测，方便快捷。
检测方法模组

[发明专利]半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法-CN201310695221.0有效
发明人：刘媛娜;尹正朝;周欣洁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法，所述校准标准片包括晶圆基片以及位于所述晶圆基片表面的至少2个不同膜厚等级的图案区域。本发明由于在同一片标准片上形成多个厚度等级的图案区域，进而可以采用同一片标准片对多个厚度等级进行校准。与现有技术相比，本发明可节省购买标准片的开支，提高了薄膜厚度量测机台对产品的量测利用率和操作人员的工作效率，同时也降低了标准片晶圆的破片机率和管控的效率。
半导体厚度校准标准及其制造方法

[发明专利]晶圆片定位及测厚装置-CN201310665971.3有效
发明人：牛进毅;张峰;苗岱;贾娟芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第二研究所
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片定位及测厚装置，解决了现有的倒角设备是通过无识别的粗略定位进行倒角所造成的倒角后晶圆片外形尺寸同一性差的问题。
晶圆片定位装置

[发明专利]一种金属膜厚的实时测量方法-CN202211230651.0在审
发明人：白琨;李嘉浪;张康;贾若雨;孟晓云;周庆亚 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开一种金属膜厚的实时测量方法，包括：提供第一标定晶圆至第N标定晶圆，任意第n标定晶圆的表面具有第n金属膜；获取第一金属膜的第一温度补偿标定系数至第N金属膜的第N温度补偿标定系数；拟合出膜厚预测函数；提供待测晶圆，待测晶圆的表面具有待测金属膜；对待测金属膜进行抛光处理，获取待测金属膜的温度变化量；获得对应温度变化量的初始测试涡流信号；获取第n标定预测涡流信号；获取温度补偿预测函数；获取初始测试涡流信号在温度补偿预测函数中对应的温度补偿预测系数；获取补偿涡流信号；获取补偿涡流信号在膜厚预测函数中对应的待测金属膜的测试厚度。上述金属膜厚的实时测量方法，提高了金属膜厚实时测量的准确性。
一种金属膜实时测量方法

[发明专利]光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法-CN202010878459.7有效
发明人：钱睿;赖璐璐 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法，利用设有同心圆电阻丝的热板加热晶圆上的光刻胶，量测加热后晶圆各半径处的光刻胶膜厚，得到晶圆半径与其对应的膜厚的集合；根据集合与热板电压与温度的关系得到不同半径的电阻丝对应的电压的集合；用数据反馈系统将量测的膜厚反馈至热板；热板电压调节系统根据反馈至热板的集合中的晶圆半径调节热板不同半径对应的电压，使得热板对后续晶圆上的光刻胶加热后，晶圆不同半径处的光刻胶膜厚趋于均匀。本发明通过调节热板不同半径的电阻丝的电压，对热板不同区域实现独立的温度控制，对旋涂效应产生的膜厚差异分布进行补偿，从而改善光刻胶的不均匀性，并通过膜厚数据实时反馈动态调整温度。
光刻动态温度控制胶膜方法

[发明专利]一种半导体晶片测厚设备-CN202210025646.X有效
发明人：张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;龙安泽;曹金星;杜陈;应艳阳 -专利权人：江苏卓远半导体有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及检测设备技术领域，具体涉及一种半导体晶片测厚设备，包括循环检测机构，所述循环检测机构包括检测箱，所述检测箱上固定设置有两个用于吸取晶片的吸持机构。本发明中，通过于半导体晶片测厚设备中的盒体两端均设置有吸持机构，使得两个夹持板能闭合，从而能通过两个夹持板夹持住半导体晶片或者晶圆进行夹持，从而能对半导体晶片或者晶圆对定位，确保晶片能在两个夹持板的中心位置处，这样能便于对晶片的中心点进行测厚，并且通过朝下吸持晶片能防止灰尘落到晶片或者晶圆的表面，从而能提高设备测厚的准确率，通过于半导体晶片测厚设备中设置有循环检测机构，形成一套循环的流程，这样能提高设备对多个晶片或者晶圆的检测效率
一种半导体晶片设备

[实用新型]晶圆测厚装置-CN201621415345.4有效
发明人：吴俊;熊强 -专利权人：珠海市中芯集成电路有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种测厚装置，包括基座、调节机构和连杆，基座为大理石平台并用于放置晶圆，调节机构设有丝杆，丝杆竖直安装在基座上，连杆的第一端与丝杆连接，测厚装置还包括压力表，压力表位于连杆的第二端，压力表的下方设置有探针，探针用于与晶圆抵接，连杆可在丝杆上竖直移动并绕丝杆水平旋转。大理石平台结构精密，均匀稳定性好，强度大、硬度高，提高晶圆的厚度测量精度。连杆可在丝杆上竖直移动并绕丝杆水平旋转，可测量不同厚度的晶圆以及不同位置的晶圆。探针对晶圆的厚度进行测量，根据压力表预设的压力值进行判断晶圆的合格品和不良品，结构简单，根据晶圆不同参数能快速调节，提高生产效率。
晶圆测厚装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条