专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果26个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种基于扫描式曝光机的动态照明方法-CN202110718865.1有效
  • 卞玉洋;赖璐璐;郭晓波;张聪 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-06-28 - 2023-09-19 - G03F7/20
  • 本发明提供一种基于扫描式曝光机的动态照明方法,提供用于曝光的光罩以及与光罩对应的GDS文件;根据GDS文件中的数据将光罩上的图形信息沿曝光时光罩移动的方向分为宽度相同的n个区域,对n个区域内的图形信息进行SMO计算,生成与n个区域分别对应的n个SMO文件;将n个SMO文件进行组合优化得到DSMO文件;根据DSMO文件、关照及晶圆的移动速度生成光源反射镜阵列的驱动程序,通过调用光源反射镜阵列的驱动程序控制曝光机反射镜阵列实现照明。本发明的DSMO方式精确到每个曝光狭缝区域内,使针对图形的照明优化进一步提高,可增大光刻工艺窗口,降低光刻成本。DSMO通过提升光刻工艺窗口的方式甚至有可能会降低光罩数量。
  • 一种基于扫描曝光动态照明方法
  • [发明专利]一种鳍式场效应晶体管中扩散中断结构的形成方法-CN202210185332.6在审
  • 郭晓波;张瑜;钱睿;赖璐璐 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-28 - 2023-09-05 - H01L21/336
  • 本发明提供一种鳍式场效应晶体管中扩散中断结构的形成方法,在衬底上进行光刻工艺,形成单扩散中断结构的光刻图形;刻蚀衬底,形成刻蚀后的单扩散中断结构;进行外延生长工艺,在衬底表面、刻蚀后的单扩散中断结构表面形成外延层,从而形成外延后的单扩散中断结构;在单扩散中断结构处刻蚀外延层和衬底,形成多个间隔排布的鳍片;在鳍片之间形成隔离层,且鳍片的顶部高于隔离层的顶部;在单扩散中断结构处的隔离层的顶部以及鳍片的侧壁和顶部分别形成相互间隔的栅极。提高光刻工艺窗口,从而避免使用更昂贵的极紫外光刻工艺;二是减小单扩散中断结构光刻图形的桥接缺陷,从而解决传统工艺中鳍片无法完全切断的问题,进而提高产品良率。
  • 一种场效应晶体管扩散中断结构形成方法
  • [发明专利]光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法-CN202010878459.7有效
  • 钱睿;赖璐璐 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-08-27 - 2022-10-21 - H01L21/00
  • 本发明提供一种光刻热板动态温度控制光刻胶膜厚的方法,利用设有同心圆电阻丝的热板加热晶圆上的光刻胶,量测加热后晶圆各半径处的光刻胶膜厚,得到晶圆半径与其对应的膜厚的集合;根据集合与热板电压与温度的关系得到不同半径的电阻丝对应的电压的集合;用数据反馈系统将量测的膜厚反馈至热板;热板电压调节系统根据反馈至热板的集合中的晶圆半径调节热板不同半径对应的电压,使得热板对后续晶圆上的光刻胶加热后,晶圆不同半径处的光刻胶膜厚趋于均匀。本发明通过调节热板不同半径的电阻丝的电压,对热板不同区域实现独立的温度控制,对旋涂效应产生的膜厚差异分布进行补偿,从而改善光刻胶的不均匀性,并通过膜厚数据实时反馈动态调整温度。
  • 光刻动态温度控制胶膜方法
  • [发明专利]自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法-CN202210170172.8在审
  • 钱睿;赖璐璐;刘必秋;张聪 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-07-01 - H01L21/336
  • 本发明提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法,设计测试图形,主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X,Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的周期一致。将该测试图形转移至光罩上,经过一系列光刻和刻蚀等工艺后,利用大场检测工具进行检测,通过正好被完全剪切掉的fin结构和刚刚被剪切到的fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界。本发明准确地确定剪切层AEI CD的边界,从而确定刻蚀偏差,为光学临近效应校正/光刻/刻蚀工艺的调整提供参考,提高工艺修正和调整的准确性,减少缺陷的产生。
  • 对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差测量方法
  • [发明专利]一种增大集成电路中旋转工艺窗口的装置及方法-CN202210185239.5在审
  • 钱睿;赖璐璐;郭晓波;张聪 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-28 - 2022-07-01 - H01L21/67
  • 本发明提供一种增大集成电路中旋转工艺窗口的装置及方法,转台上设有由多个密集排布且能独立升降的顶针,其中每个顶针均设有传感器;传感器用于探测顶针的顶端与晶圆背面的距离,并基于探测到的距离自动调节所述顶针的高度,使得顶针顶端与晶圆背面紧密贴合。本发明通过将光刻制程晶圆清洗单元中和晶圆接触的转台设计成多个有一定半径、密集排布、能独立升降且带有传感器的顶针,利用传感器探测各个顶针与晶圆之间的距离,并调节顶针的高度使每个顶针都能与晶圆背面紧密贴合,以得到优良的真空吸附效果,减少因晶圆背面污染或晶圆翘曲造成转台与晶圆之间接触不良,无法有效吸附而在旋转作业中发生掉/退片,最终提高生产效率。
  • 一种增大集成电路旋转工艺窗口装置方法
  • [发明专利]表征套刻精度量测方法准确性的方法-CN202210097317.6在审
  • 钱睿;赖璐璐;刘硕;张聪 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-04-08 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种表征套刻精度量测方法准确性的方法中,包括:步骤一、对具有前层套刻精度标识的晶圆并进行第一次曝光,进行第一次测量收集整片晶圆的套刻精度数据,得到最佳补值并将晶圆返工。步骤二、选择性地在N个shot上添加固定偏移量并上传到光刻机。步骤三、结合最佳补值和固定偏移量对晶圆进行第二次曝光;进行第二次测量收集整片晶圆的套刻精度数据。步骤四、利用各未选定shot的套刻精度量测值进行模拟计算得到各选定shot的套刻精度模拟值。步骤五、将各选定shot的套刻精度量测值减去套刻精度模拟值得到各选定shot的偏差值,通过各选定shot的固定偏移量和偏差值进行点对点比较判断套刻精度量测方法的准确性。本发明能简化工艺方法并提高测试速度。
  • 表征精度方法准确性
  • [发明专利]一种提高套刻精度的对准标识设计方法-CN201910529975.6有效
  • 赖璐璐;钱睿 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2019-06-19 - 2021-12-07 - G03F9/00
  • 本发明提供一种提高套刻精度的对准标识设计方法,包括:前一层光刻层的对准标识放置于第一位置;当层曝光时,将对准标识放置于第二位置,同时将第一位置曝开,之后将曝开的第一位置填充金属;第三层曝光时,将对准标识放回所述第一位置,同时将第二位置曝开,之后将曝开的第二位置填充金属;后续层曝光时的对准标识位置设计依次类推。本发明的对准标识的位置摆放及前后层堆叠的设计可以有效减少对准标识的摆放空间,同时使对准标识底层薄膜更加稳定,因此可以提高套刻精度的稳定性,有利于日常跑货的维护及套刻精度的提高。此外,本发明的对准标识设计还有利于对套刻精度进行预测,节省新产品试跑时间,提高生产能力。
  • 一种提高精度对准标识设计方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top