“周庆亚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种晶圆姿态检测装置及方法-CN202310927605.4在审
发明人： 周庆亚;田洪涛;刘福强 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种晶圆姿态检测装置及方法。其中，晶圆姿态检测装置通过将第一激光测距仪安装于多个工位中的第一工位，将第一挡板安装于第二工位，光发射器将光线射向挡板，在夹持件夹持晶圆后，驱动结构驱动夹持件沿着竖直方向移动的过程中，控制器可以采集光线射向晶圆表面时的距离信号，并将这些距离信号换算为距离值，经汇总后拟合形成波形图，与晶圆移动时为理想姿态时拟合的波形图对比，即可判断出晶圆实际移动时的姿态是否存在异常，为后续是否对晶圆的姿态进行矫正提供数据参考，进而避免现有方案中晶圆以异常的姿态进入下一工艺单元时破损的现象发生，提升了晶圆姿态检测装置的实用性。
一种姿态检测装置方法

[发明专利]一种基板传送方法及装置-CN202311092261.6在审
发明人： 周庆亚;张为强;杨元元;王嘉琪;田洪涛 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B65G47/24 文献下载
摘要：本申请涉及基板传送技术领域，具体涉及一种基板传送方法及装置，包括：获取基板的当前运动状态以及该基板在当前运动状态下的变速；根据该基板的倾斜角度和该基板的变速二者之间的比例关系，获取该基板在当前运动状态下的变速所对应的倾斜角度，并控制该基板以该倾斜角度进行传送；该比例关系为当变速越大时，倾斜角度越大；当变速越小时，倾斜角度越小；上述方案根据基板在各个运动状态下的变速，把基板的倾斜角度和基板的变速二者之间建立比例关系，通过调节基板的倾斜角度，实现基板的快速传送，进而提高传送效率。
一种传送方法装置

[发明专利]一种防碰撞控制方法-CN202210322608.0有效
发明人：吴燕林;周庆亚;李嘉浪;张康;刘福强 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工设备技术领域，其目的是提供一种防碰撞控制方法，监测扫描配方安全性时可靠性强、准确性高。上述的防碰撞控制方法包括：获取t0+i×Δt时刻第一运动件预计位置SAi和第二运动件预计位置SBi；并计算二者之间的距离Q；若距离Q小于或等于碰撞距离ΔQ，则对两者运动方向进行判断，若两者为相向运动则t0+i×Δt时刻两者可能会碰撞，需进行避让，若两者不是相向运动则说明t0+i×Δt时刻两者不会碰撞；若距离Q大于碰撞距离ΔQ，则说明两者不会碰撞，并按上述步骤对总执行时间T内每过Δt时刻两者是否碰撞进行判断。本发明解决了现有人为监测扫描配方安全性的方法可靠性差且易损坏设备的问题。
一种碰撞控制方法

[发明专利]一种化学机械研磨方法-CN202310189935.8在审
发明人：白琨;李嘉浪;周庆亚;贾若雨 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：一种化学机械研磨方法，包括：获取对当前第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨时间的设置值；获取第一片晶圆至第n‑1片晶圆的研磨液实际流量；根据采用自回归模型以及第一片晶圆至第n‑1片晶圆的研磨液实际流量获取第n片晶圆的研磨液预测流量，自回归模型为；若第n片晶圆的研磨液预测流量大于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，设置第n片晶圆的研磨液预测时间小于第n片晶圆的研磨时间的设置值；若第n片晶圆的研磨液预测流量小于第n片晶圆的研磨液流量的设置值，设置第n片晶圆的研磨液预测时间大于第n片晶圆的研磨时间的设置值；根据第n片晶圆的研磨液流量的设置值和第n片晶圆的研磨液预测时间对第n片晶圆进行研磨。
一种化学机械研磨方法

[发明专利]一种金属膜厚的实时测量方法-CN202211230651.0在审
发明人：白琨;李嘉浪;张康;贾若雨;孟晓云;周庆亚 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开一种金属膜厚的实时测量方法，包括：提供第一标定晶圆至第N标定晶圆，任意第n标定晶圆的表面具有第n金属膜；获取第一金属膜的第一温度补偿标定系数至第N金属膜的第N温度补偿标定系数；拟合出膜厚预测函数；提供待测晶圆，待测晶圆的表面具有待测金属膜；对待测金属膜进行抛光处理，获取待测金属膜的温度变化量；获得对应温度变化量的初始测试涡流信号；获取第n标定预测涡流信号；获取温度补偿预测函数；获取初始测试涡流信号在温度补偿预测函数中对应的温度补偿预测系数；获取补偿涡流信号；获取补偿涡流信号在膜厚预测函数中对应的待测金属膜的测试厚度。上述金属膜厚的实时测量方法，提高了金属膜厚实时测量的准确性。
一种金属膜实时测量方法

[发明专利]一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质-CN202210462765.1有效
发明人：刘志伟;周庆亚;李久芳;贾若雨;吴燕林 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆抛光的保护方法、装置、设备及介质，该方法包括：获取设置的第一工艺参数；将所述第一工艺参数分别保存在第一存储位置和第二存储位置；判断保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数是否相同，当不同时，拒绝加工。通过将保存在所述第一存储位置的所述第一工艺参数和保存在所述第二存储位置的第一工艺参数进行对比，当两个数值不一样时，拒绝加工。当两个数值不一样时，可能是由于其中一个数值被主动更改或内存地址错位导致，对比两个参数是否相同可以发现参数异常，减少因失误操作或内存地址偏差造成的工艺参数异常，造成计算时间的误差，从而减少晶圆被异常抛光的可能性。
一种抛光保护方法装置设备介质

[发明专利]一种晶圆化学机械平坦化方法-CN202211530887.6在审
发明人：李嘉浪;贾若雨;白琨;吴燕林;周庆亚;孟晓云 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆化学机械平坦化方法，包括以下步骤：提供多个待抛光的晶圆；依据设定制程参数，对晶圆依序进行晶圆抛光步骤；在晶圆抛光过程中，获取晶圆的当前数据；提供晶圆抛光步骤的历史数据；根据当前晶圆的当前数据，结合历史数据，修正设定制程参数，获得修正抛光厚度和修正抛光时间；依据修正抛光厚度和修正抛光时间，对下一晶圆进行抛光步骤；在晶圆抛光过程中，进行多次获取晶圆的当前数据的步骤，每获得一次当前数据，则获得一次修正抛光厚度和修正抛光时间，依据新的修正抛光厚度和新的修正抛光时间，对下一晶圆进行抛光步骤。本发明的晶圆化学机械平坦化方法，统一批次晶圆的抛光研磨结果之间方差小。
一种化学机械平坦方法

[发明专利]一种通过多级联合流程分选提纯锆英砂的方法-CN202310151245.3在审
发明人：周奎;周飞;邹德文;赵国先;周庆亚;周庆卫 -专利权人：山东域潇锆钛矿业股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B03B9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种通过多级联合流程分选提纯锆英砂的方法，涉及矿物浮选技术领域。该种通过多级联合流程分选提纯锆英砂的方法，包括以下具体步骤：S1、毛矿处理：将锆英砂毛矿石利用破碎机破碎至直径为5mm以下的颗粒，再利用研磨机将矿石颗粒研磨成细砂；S2、湿式磁选：利用湿式磁选机对S1中制得的细砂料进行磁选，得到锆中矿；S3、摇床初选：将上述得到的锆中矿利用摇床进行初选，得到锆精矿，并对制得的锆精矿进行纯度检测；S4、摇床复选。通过对尾矿进行纯度检测和二次复选，可以保证尾矿中的锆英砂能够能提取的更加完全，有效避免了原材料的浪费，而且保证了制得锆英砂的品质和回收率，工作效率得到了显著提高。
一种通过多级联合流程分选提纯锆英砂方法

[发明专利]化学机械抛光设备研磨时间调整方法、装置、设备及介质-CN202211390147.7在审
发明人：贾若雨;周庆亚;李嘉浪;白琨;孟晓云 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了化学机械抛光设备研磨时间调整方法、装置、设备及介质，通过获取当前待研磨晶圆的目标研磨厚度；利用目标化学机械抛光设备对当前待研磨晶圆进行研磨后开始计时，监测研磨过程中的研磨压力，并基于去除率与研磨压力的第一关系和监测到的研磨压力，计算当前已研磨厚度总量；在当前已研磨厚度总量达到目标研磨厚度时，终止研磨和计时，得到当前研磨时长；通过计算实际去除率和理论去除率，利用基于理论去除率和实际去除率的差值，对第一关系进行更新，以利用更新后的第一关系对下一待研磨晶圆进行研磨时长的调整。实现了在批量研磨晶圆过程中研磨时长的动态调整，提高了晶圆研磨的精确性，进一步提升了晶圆研磨产品的品质。
化学机械抛光设备研磨时间调整方法装置介质

[发明专利]一种研磨压力修整方法、装置、计算机设备及介质-CN202211618731.3在审
发明人：李嘉浪;周庆亚;白琨;贾若雨;吴燕林;孟晓云 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨压力修整方法、装置、计算机设备及介质，应用于气体式研磨头，包括：根据各区域的压力设定值和实际压力值确定多个特征参数；根据预测函数计算使得函数输出值最小的各区域的压力设定值，预测函数是根据各特征参数及各特征参数的权重建立的，函数输出值用于表征压力设定值与实际压力值的差值，各特征参数的权重是基于已有数据集求解得到的；按照各区域的压力设定值控制气体式研磨头。本发明可以使研磨头各个区域的压力设定值更精确，精度控制更高。
一种研磨压力修整方法装置计算机设备介质

[发明专利]研磨液供给装置及研磨机-CN202210552475.6有效
发明人：刘志伟;周庆亚;刘福强;田洪涛 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种研磨液供给装置及研磨机，研磨液供给装置包括供液管路和吹气组件，供液管路具有出液端，供液管路的出液端适于设置于抛光垫的上方，以滴落研磨液至抛光垫上；吹气组件设于供液管路的出液端一侧，用于向研磨液吹气，以使研磨液均匀分布在抛光垫上。本发明提供了一种研磨液供给装置，提高了抛光垫上研磨液分布的均匀性，改善了晶圆的质量。
研磨供给装置研磨机

[发明专利]一种研磨流量动态补偿方法-CN202310073188.1在审
发明人： 周庆亚;李嘉浪;白琨;贾若雨 -专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨流量动态补偿方法，通过建立预测模型模型，将历史加工数据作为数据集进行有监督学习，从而对控制预测模型模型的参数不断优化。随着训练样本的增加，模型不断精确，从而实现精准控制研磨液流量的目的。
一种研磨流量动态补偿方法

[发明专利]一种化学机械抛光方法-CN202211391369.0在审
发明人：白琨;李嘉浪;周庆亚;贾若雨 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光方法，包括：对第一标定晶圆至第N标定晶圆进行研磨，以第n研磨设计流量和第n研磨时间Tn对第n标定晶圆研磨；获取任意第n标定晶圆研磨前后的实际研磨量、平均研磨速率、平均研磨流量；拟合研磨液流量和研磨率的函数关系；对测试晶圆进行研磨，在研磨时间内设置第一采样周期至第W采样周期；获取第一采样周期内的平均研磨流量至第W采样周期内的平均研磨流量；获取任意第w采样周期内的膜厚去除量；获取任意第w采样周期结束时刻的膜厚总去除量；根据膜厚总去除量判断研磨终点；或，获取任意第w采样周期内的研磨液流量积分；获取任意第w采样周期结束时刻的研磨液流量总积分；根据研磨液流量总积分判断研磨终点。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]一种扫描电机曲线追踪参数确认方法及装置-CN202211234352.4在审
发明人：李嘉浪;周庆亚;吴燕林;白琨;贾若雨 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种扫描电机曲线追踪参数确认方法及装置，方法包括：设置扫描电机不同的基本参数，并为每个位移区间预设置不同的自适应调节因子；根据所述基本参数和自适应调节因子进行跟踪扫描算法计算，得到对应不同的扫描参数；基于不同的扫描参数进行仿真计算，得到仿真结果；根据仿真结果选择最优的基本参数和自适应调节因子输入实际扫描电机中进行曲线追踪。本发明通过设置扫描参数和自适应调节因子，使扫描电机光滑的追踪自定义曲线，消除累计误差以及扭矩过大的问题，通过仿真模拟各个扫描参数设置后抛光盘的研磨轨迹，进而降低了实验成本，提高了实验效率。
一种扫描电机曲线追踪参数确认方法装置

[发明专利]抛光垫沟槽深度检测方法-CN202211127719.2在审
发明人： 周庆亚;吴燕林 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B24B49/12 文献下载
摘要：本发明提供抛光垫沟槽深度检测方法。本发明的抛光垫检测方法通过设置标记光线、获取计算夹角的正弦值，获取检测图像，公式计算的步骤，得到CMP系统中抛光垫的实际深度。本发明的抛光垫深度检测方法可以解决停机人工测量抛光垫沟槽深度效率低、易造成表面损伤和误差较大的问题。可以根据实时测量得到的实际深度为抛光过程提供参数依据，优化抛光工艺参数。
抛光沟槽深度检测方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 49 条