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[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管共源共栅的无源动态偏置-CN202010317093.6有效
发明人： J·E·纳特根斯 -专利权人：升特股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：驱动电路具有共源共栅排列的多个晶体管。无源偏置电路耦合到多个晶体管的第一晶体管的栅极端子。无源偏置电路具有耦合到电路节点以提供第一偏置信号的第一电阻器、耦合在电路节点和供电导体之间的第一电容器、耦合在电路节点和第一晶体管的漏极端子之间的第二电阻器、以及耦合在电路节点和第一晶体管的源极端子之间的第三电阻器第二晶体管具有耦合用于接收控制光学器件的数据信号的栅极端子。
金属氧化物半导体场效应晶体管共源共栅无源动态偏置

[发明专利]感测放大器布局设计以及相关设备和方法-CN202211584029.X在审
发明人： C·G·维迪维尔特;E·J·舒尔茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种设备包含感测放大器的交叉耦合的上拉晶体管对、所述感测放大器的交叉耦合的下拉晶体管对，以及将所述交叉耦合的上拉晶体管对电连接到所述交叉耦合的下拉晶体管对的导电线对。所述设备还包含与所述交叉耦合的上拉晶体管对或所述交叉耦合的下拉晶体管对中的一个共享连续活性材料的感测放大器控制晶体管。一种方法包含断言感测放大器控制晶体管的共享控制栅极端子与所述交叉耦合的下拉晶体管对共享连续活性材料；将预充电电压电势施加到所述导电线对；将存储器单元电连接到所述经预充电的位线对；和放大通过所述存储器单元递送到所述位线对的电荷
放大器布局设计以及相关设备方法

[发明专利]折叠式共源共栅放大器-CN201480039753.1有效
发明人： O·拉杰 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：放大器可以包括含有第一晶体管和第二晶体管的第一共源共栅电路。放大器可以包括第二共源共栅电路，第二共源共栅电路耦合到差分输出并且包括第一对晶体管和第二对晶体管，第一对晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，第二对晶体管包括第三晶体管和第四晶体管。另外，放大器可以包括差分输入，差分输入包括耦合到第一共源共栅电路的第一晶体管以及第二共源共栅电路的第一和第二晶体管中的每个晶体管的第一晶体管，差分输入还包括耦合到第一共源共栅电路的第二晶体管以及第二共源共栅电路的第三和第四晶体管中的每个晶体管的第二晶体管
折叠式共源共栅放大器

[发明专利]温度补偿电流参考电路-CN03821947.6无效
发明人：乔治·奥多内;洛伦佐·贝达里达;毛罗·基诺西 -专利权人：艾梅尔公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：第一p沟道MOS晶体管具有耦合至一供应电位的一源极、耦合至第二输出节点的一栅极及一漏极。第一PNP双极晶体管具有经由第一电阻器耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极且耦合至第二n沟道MOS晶体管的栅极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极。第二PNP双极晶体管具有经由与第三电阻器串联的第二电阻器耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极。第一n沟道MOS晶体管的栅极耦合至第二与第三电阻器之间的一共同节点。一第三n沟道MOS晶体管具有耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极的一漏极、经由第四电阻器耦合接地的一源极、及耦合至一参考电压或第二与第三电阻器之间一共同节点的一栅极。
温度补偿电流参考电路

[发明专利]保护装置以及相关制作方法-CN201310553012.2有效
发明人：蔡·伊安·吉尔;洪章洙;詹柔英;威廉·G·柯登 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：示例保护装置包括第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管。所述第一双极结型晶体管的集电极电耦合。所述第一齐纳二极管的阴极耦合于所述第一双极结型晶体管的集电极以及所述第一齐纳二极管的阳极耦合于所述第一双极结型晶体管的基极。所述第二齐纳二极管的阴极耦合于所述第二双极结型晶体管的集电极以及所述第二齐纳二极管的阳极耦合于所述第二双极结型晶体管的基极。在示例实施例中，所述第一双极结型晶体管的基极和发射极在第一接口处耦合以及所述第二双极结型晶体管的基极和发射极在第二接口处耦合。
保护装置以及相关制作方法

[发明专利]用于功率转换器的自驱动同步整流-CN201510251422.0有效
发明人： G·伯纳查雅;O·奎勒曼特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本公开涉及用于功率转换器的自驱动同步整流，具体公开了一种具有隔离拓扑的功率转换器，其可以包括功率晶体管、感测晶体管和读出电路。感测晶体管可以与功率晶体管以电流镜结构进行配置，使得感测晶体管的栅极端耦合至功率晶体管的栅极端，以及感测晶体管的第一漏极/源极端耦合至功率晶体管的第一漏极/源极端。读出电路可耦合至功率晶体管的第二漏极/源极端和感测晶体管的第二漏极/源极端。读出电路可配置为使得感测晶体管的第二漏极/源极端处的电压与功率晶体管的第二漏极/源极端处的电压实质上相同。
用于功率转换器驱动同步整流

[发明专利]陷获偶次谐波信号的无记忆有源设备-CN201580042665.1有效
发明人：法博德·阿兰姆 -专利权人：安施天线公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：在一方面，有源设备包括n型晶体管和p型晶体管，该n型晶体管具有漏极、栅极和基极，该p型晶体管具有漏极、栅极和基极。n型晶体管和p型晶体管包括共源极。该设备包括耦合在n型晶体管的栅极和p型晶体管的栅极之间的第一电容器、耦合在n型晶体管的漏极和p型晶体管的漏极之间的第二电容器和耦合在n型晶体管的基极和p型晶体管的基极之间的第三电容器。
陷获偶次谐波信号记忆有源设备

[发明专利]感测晶体管的偏移添加电路-CN201910757533.7在审
发明人： N·赖马尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：在实例中，一种用于感测电流的设备(500)包括功率晶体管(502)；感测晶体管(504)，其耦合到所述功率晶体管；及偏移添加电路(540)，其耦合到所述功率晶体管及所述感测晶体管，所述偏移添加电路包括第一对晶体管所述设备还包括：耦合到所述偏移添加电路的共源共栅放大器电路(560)，所述共源共栅放大器电路包括第二对晶体管(512、514)；及增益修正电路(542)，其耦合到所述共源共栅放大器电路，所述增益修正电路包含另一差分放大器(516)及第三晶体管(528)。所述设备进一步包含耦合到所述增益修正电路的模/数转换器ADC(556)及耦合到所述ADC的存储装置(554)。
晶体管偏移添加电路

[发明专利]包括复制晶体管的SRAM读复用器-CN201810759063.3有效
发明人： K·J·多里;A·帕沙克;S·库马尔 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本公开涉及包括复制晶体管的SRAM读复用器。第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和通过第二控制信号偏置的控制端子。第一复制晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和偏置的控制端子，使得第一复制晶体管截止。第二复制晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子和被偏置的控制端子，使得第二复制晶体管截止。
包括复制晶体管 sram 读复用器

[实用新型]电子设备-CN201821094917.2有效
发明人： K·J·多里;A·帕沙克;S·库马尔 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本公开涉及电子设备，并且涉及包括复制晶体管的SRAM读复用器。第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和通过第二控制信号偏置的控制端子。第一复制晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和偏置的控制端子，使得第一复制晶体管截止。第二复制晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子和被偏置的控制端子，使得第二复制晶体管截止。
导电端子耦合晶体管互补位线控制端子偏置复制第二控制信号晶体管截止电子设备位线节点位线复用器

[发明专利]一种复合功率晶体管装置及其控制方法-CN202310395141.7在审
发明人：倪川 -专利权人：瓴芯科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请涉及一种复合功率晶体管装置，包括第一开关组件，其包括并联的耦合在该装置第一极与第二极之间的第一数量晶体管单元，其中，第一数量晶体管单元的栅极彼此耦合，并且第一数量晶体管单元的栅极耦合到第一栅极驱动电路的输出端；以及第二开关组件，其包括并联的耦合在该装置第一极与第二极之间的第二数量晶体管单元，其中，第二数量晶体管单元的栅极彼此耦合，并且第二数量晶体管单元的栅极耦合到第二栅极驱动电路的输出端，以及其中，在第一栅极驱动电路的输出端与第二栅极驱动电路的输出端设置延时时间
一种复合功率晶体管装置及其控制方法

[发明专利]功率转换器控制-CN202111655472.7在审
发明人： E·乔达;G·M·W·佩特里娜;M·维尔施 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：在一些示例中，一种装置(100)包括具有驱动器输出的驱动器(110)；具有第一板件和第二板件的电容器(114)，该第一板件耦合到该驱动器输出；以及具有晶体管栅极、晶体管源极和晶体管漏极的晶体管(126)该装置还包括，耦合在该第二板件与该晶体管栅极之间的第一开关(118)、耦合在该第二板件与该晶体管漏极之间的第二开关(116)和耦合在该晶体管栅极与该晶体管漏极之间的第三开关(120)。
功率转换器控制

[发明专利]GaNFET作为用于快速激光脉冲发生器的储能器-CN201780063581.5有效
发明人： B.加森德;P-Y.德罗兹 -专利权人：伟摩有限责任公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01S3/11 文献下载
摘要：本公开涉及可以促进亚5纳秒激光二极管操作的系统和电路。示例系统包括触发源、激光二极管、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。激光二极管耦合到供电电压和第一场效应晶体管的漏极端子。第一场效应晶体管的源极端子耦合到地并且第一场效应晶体管的栅极端子耦合到触发源。第二场效应晶体管的漏极端子耦合到供电电压。第二场效应晶体管的源极端子和第二场效应晶体管的栅极端子耦合到地。在示例实施例中，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包括氮化镓(GaN)。
ganfet 作为用于快速激光脉冲发生器储能器

[发明专利]具有有源后失真线性化的差动放大器-CN200880010430.4有效
发明人：金南秀;肯尼斯·查尔斯·巴尼特;弗拉迪米尔·阿帕林 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有良好线性和噪声性能的差动放大器(300)，其包括第一侧，所述第一侧包括第一晶体管(310)、第二晶体管(320)、第三晶体管(330)和第四晶体管(340)以及电感器(350)。所述第一晶体管(310)和第二晶体管(320)被耦合为第一共发共基放大器对，且所述第三晶体管(330)和第四晶体管(340)被耦合为第二共发共基放大器对。所述第三晶体管(330)使其栅极耦合到所述第二晶体管(320)的源极，且所述第四晶体管(340)使其漏极耦合到所述第二晶体管(320)的漏极。所述第一晶体管(310)提供信号放大。所述第二晶体管(320)提供负载隔离且产生用于所述第三晶体管(330)的中间信号。所述第三晶体管(330)产生用于抵消由所述第一晶体管(310)产生的三阶失真分量的失真分量。所述电感器(350)提供用于所述第一晶体管(310)的源极退化且改进失真抵消。所述第二晶体管(320)和第三晶体管(330)的尺寸经选择以减少增益损失且实现所述放大器的良好线性。
具有有源失真线性化差动放大器

[发明专利]半导体集成电路器件-CN201610051798.1有效
发明人：高桥弘行;山野诚也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。
半导体集成电路器件

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