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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202111214620.1在审
发明人：福士哲夫;高桥弘行;松重宗明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括存储器块、第二电源布线、第三电源布线和短路开关，存储器块具有：多个存储器单元、连接到从多个存储器单元中选择的存储器单元的感测放大器、第一电源布线、连接在感测放大器与第一电源布线之间并且在感测放大器操作时处于接通状态的第一开关、以及连接到感测放大器并且在感测放大器操作时处于接通状态的第二开关，第二电源布线被布置在存储器块之外并且连接到第一电源布线，第三电源布线被布置在存储器块之外并且经由第二开关连接到感测放大器，短路开关被布置在存储器块之外并且连接在第二电源布线与第三电源布线之间。这里，在感测放大器操作时，短路开关处于接通状态。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201510232509.3有效
发明人： 高桥弘行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其包括：包括以矩阵设置的多个存储器单元的存储器单元阵列；以及与所述存储器单元阵列相邻的周边电路。所述存储器单元中的每一个包括：电容元件，包括具有在与基板的主表面垂直的方向上延伸的柱面形状的下电极；以及设置在所述电容元件与位线之间的开关晶体管，所述开关晶体管的接通/关断基于字线的电势来控制。所述周边电路包括在与所述主表面平行的水平方向上与所述下电极相邻并被供给固定电势的信号线、或分别被供给互补电势的一对信号线。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201811420438.X在审
发明人： 高桥弘行;吉田昌弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，该半导体器件在不增加面积的情况下以提高的写入速度进行操作。根据本发明的半导体器件包括：多个存储器单元，多个存储器单元布置成行和列的矩阵；多个字线，多个字线设置到存储器单元的每个行；多个位线对，多个位线对设置到存储器单元的每个列；感测放大器，感测放大器放大位线对中的电位差；数据线对，数据线对将数据传递到位线对；列选择电路，列选择电路允许从数据线对接收数据；列解码器，列解码器将列选择信号发送到列选择电路；以及感测放大器控制电路，感测放大器控制电路在列解码器将列选择信号发送到列选择电路之后激活感测放大器。
感测放大器半导体器件存储器单元列选择电路列解码器数据线列选择信号控制电路个位字线电位差矩阵接收数据数据传递位线成行写入放大激活

[发明专利]半导体存储器-CN201410344421.6有效
发明人： 高桥弘行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器。半导体存储器包括：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元；多个位线对，与存储器单元阵列的各列相对应地放置；读出放大器，与多个位线对相对应地放置成多个，用于放大在位线对之间的电势差，其中，读出放大器具有：预充电晶体管，其每一个具有扩散层并且对位线对进行预充电；以及开关晶体管，其每一个具有与预充电晶体管的扩散层一体形成的扩散层，用于将多个位线对选择性地连接到公共总线。
半导体存储器

[发明专利]半导体集成电路装置及半导体装置-CN201810326952.0在审
发明人： 高桥弘行;松重宗明 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路装置及半导体装置。即使在受驱动电路具有大型负载时，小型降压驱动器电路也可以以高速向受驱动电路供应内部电位。一种半导体集成电路装置，包括：降压驱动器电路，向由低于从外部电源供应的外部电位的内部电位驱动的受驱动电路供应内部电位。降压驱动器电路包括NMOS晶体管和驱动器电路，NMOS晶体管的漏极耦合到外部电源端子，源极耦合到受驱动电路的电压供应点，外部电源端子耦合到外部电源，驱动器电路用于驱动NMOS晶体管的栅极。
驱动器电路驱动电路半导体集成电路装置电位降压外部电源端子半导体装置外部电源大型负载电位驱动漏极耦合源极耦合供应点耦合到驱动外部

[发明专利]半导体集成电路器件-CN201610051798.1有效
发明人： 高桥弘行;山野诚也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN201710893854.0在审
发明人： 高桥弘行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，其能够降低功耗。在该半导体器件中，半导体芯片堆叠在基底芯片上。堆叠的芯片包括作为第一组的n个直通硅通孔以及作为第二组的m个直通硅通孔。在第一组和第二组的每个中，通过移位循环法耦合直通硅通孔，其中下部芯片的第1至第(n‑1)(第(m‑1))个直通硅通孔分别与上部芯片的第2至第n(第m)个直通硅通孔耦合，且下部芯片的第1至第n(第m)个直通硅通孔与上部芯片的第1个直通硅通孔耦合。n和m仅具有一个公约数。借助通过第一组的直通硅通孔传送的第一选择信号以及通过第二组的直通硅通孔传送的第二选择信号的组合控制堆叠半导体芯片的激活。
半导体器件

[发明专利]热交换器-CN201580012691.X无效
发明人：藤田泰广;高桥弘行;田边章裕 -专利权人：住友精密工业株式会社
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： F28F3/08 文献下载
摘要：该热交换器(100)的隔板部(3)包括：外周部(3a)，沿芯部(1)的接合面(1a)的外周缘设置为周状；间隙部(3b、3c)，设置于周状的外周部的一部分区域，间隙部设置于芯部的接合面中的温度梯度相对较小的位置。
热交换器

[发明专利]热交换器-CN201580012702.4无效
发明人：藤田泰广;高桥弘行;田边章裕 -专利权人：住友精密工业株式会社
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： F28F9/02 文献下载
摘要：该热交换器(100)具备芯部(1)、集管部(2)及中间件(3)，且中间件的角部(31a～31d)构成为曲率半径小于集管部侧的曲率半径。
热交换器

[发明专利]热交换器-CN201380036190.6在审
发明人：福井谦一郎;高桥弘行;田边章裕;藤田泰広 -专利权人：住友精密工业株式会社
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： F28F9/22 文献下载
摘要：热交换器的第一通路包括将向芯体的流入面敞开的流入口与向流出面敞开的流出口连接的多条通道，并且上述多条通道之间的流路阻力不同。热交换器包括：第一种整流部件，其设置在芯体的流入面侧并且实现流入芯体的第一流体相对于流入面的动压分布的均匀化；以及第二种整流部件，其被设置成减小由多条通道之间的流路阻力差引起的通过流量差。
热交换器

[发明专利]半导体集成电路器件-CN201210106969.8有效
发明人： 高桥弘行;山野诚也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：公开了一种半导体集成电路器件。形成在同一扩散层中并且执行互补操作的晶体管相对于扩散层基本对称地布置。通过打破常规想法而提供了半导体集成电路器件，其使用能够部分地避免对于半导体集成电路器件的设计的限制并且减小尺寸和使制造成本更经济的布局。能够通过布置在同一扩散层中形成的两个晶体管并且通过有意地以非对称模式布置该两个晶体管来进行互补操作，从而能够进一步减小半导体集成电路器件的尺寸。
半导体集成电路器件

[发明专利]半导体存储器件-CN201210107101.X有效
发明人： 高桥弘行;木藤亮隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件。当共享多个扩散层以便节省半导体集成电路的面积时，改变耦合到这些扩散层的布线的寄生容量。不管怎样，提供了彼此平衡耦合到扩散层的成对布线的容性负载的半导体布局。耦合到相应的成对布线的扩散层交替地布置或交错以彼此平衡成对布线的相应的容性负载。
半导体存储器件

[发明专利]信息处理设备、图像形成系统、控制方法、程序和存储介质-CN200980135375.6有效
发明人： 高桥弘行 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：客户PC 12能够创建图像形成设备10能够处理的作业，其中，图像形成设备10根据从客户PC 12接收到的作业，打印并输出该作业中包括的主打印用页。客户PC 12包括：CPU 201，其接收用于在图像形成设备10中设置确认打印的指示，以使得除主打印用页以外打印确认页，并将该确认页输出至与主打印用页的目的地不同的目的地，并且对各个作业执行所接收到的指示；以及NC 212，其将设置有确认打印用的设置的作业发送至图像形成设备10。
信息处理设备图像形成系统控制方法程序存储介质

[发明专利]半导体器件和操作半导体器件的方法-CN200910206367.8无效
发明人： 高桥弘行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件和操作半导体器件的方法。半导体器件包括：存储器单元(2)；预充电电路(8)；负电势施加电路(3)；以及传感放大器(6)。存储器单元(2)被连接至第一位线(BT)并且存储数据。预充电电路(8)被连接至第一和第二位线(BT、BN)并且将第一和第二位线(BT、BN)预充电到接地电势。负电势施加电路(3)被连接至第一位线(BT)并且将负电势施加给第一位线(BT)。传感放大器被连接至第一和第二位线(BT、BN)并且基于第一位线(BT)的第一电势和第二位线(BN)的第二电势之间的差读取数据。负电势的绝对值小于第一电势和第二电势之间的差。
半导体器件操作方法

[发明专利]延迟电路-CN200910179032.1无效
发明人： 高桥弘行 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种延迟电路。提供了具有更加精确的延迟时间和减少了电路面积的延迟电路。延迟电路包括电阻元件、电容器元件以及连接布线。连接布线包括衬底之上的第一多晶硅层，和连接电阻元件和电容器元件并且处于第一多晶硅层上的第一硅化物层。电容器元件包括半导体衬底的表面区域中的扩散层，扩散层上的栅极绝缘层，栅极绝缘层上的第二多晶硅层、以及第二多晶硅层上的第二硅化物层。电阻元件包括半导体衬底之上的第三多晶硅层。一体地提供第一、第二以及第三多晶硅层。一体地提供第一和第二硅化物层。
延迟电路

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