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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于镜像电流的快速恢复的模拟升压电路-CN201810002884.2有效
发明人： M·帕索蒂;L·卡佩奇;R·祖尔拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种电流镜包括输入晶体管和输出晶体管，其中输入晶体管和输出晶体管的源极连接到电源电压节点。输入晶体管和输出晶体管的栅极通过开关连接。第一电流源耦合到输入晶体管以提供输入电流。复制晶体管具有连接到电源节点的源极和在镜像节点处连接到输入晶体管的栅极的栅极。第二电流源耦合到复制晶体管以提供复制电流。源极跟随器晶体管的源极连接到镜像节点，并且其栅极连接到复制晶体管的漏极。镜像节点处的电荷共享响应于开关的驱动而发生，并且源极跟随器晶体管响应于此而导通以对镜像节点放电。
用于电流快速恢复模拟升压电路

[发明专利]用于测量晶体管的特性的电压检测电路和方法-CN201310492219.3有效
发明人：广濑达哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：公开了一种用于测量晶体管的特性的电压检测电路和方法。电压检测电路包括晶体管；耦合到晶体管的漏极端子的开关；该漏极端子耦合到开关的一端；第一驱动器，其与驱动晶体管的栅极端子的第二驱动器同步地控制开关；以及多个电阻器，其串联耦合并耦合到开关的另一端。
用于测量晶体管特性电压检测电路方法

[发明专利]Gm增强型差分压控振荡器（VCO）-CN201910551990.0在审
发明人：殷毅 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种差分考毕兹压控振荡器(VCO)电路，所述差分考毕兹VCO电路包括一对晶体管和一对耦合器，所述一对晶体管具有通过共同偏置电压偏置的控制端，所述一对耦合器被布置成交叉耦合所述晶体管的集电极/漏极和所述差分晶体管的基极所述一对耦合器具有耦合因子k
晶体管耦合器耦合因子电路差分晶体管压控振荡器降低功耗交叉耦合偏置电压相位噪声集电极控制端最小化漏极偏置申请

[发明专利]电压电平转换电路以及包括该电路的显示装置-CN200710140043.X无效
发明人：金道益 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种电压电平转换电路可以包括：第一开关晶体管，它具有耦合于施加第一电压的第一电源端的第一端和耦合于输入端的控制端；第二开关晶体管，它具有耦合于施加小于第一电压的第二电压的第二电源端的第一端和耦合于输入端的控制端；第三开关晶体管，它具有耦合于施加大于第一电压的第三电压的第三电源端的第一端，耦合于输出端的第二端，和耦合于第二开关晶体管第二端的控制端；以及第四开关晶体管，它具有耦合于施加小于第二电压的第四电压的第四电源端的第一端，耦合于输出端的第二端，和耦合于第一开关晶体管第二端的控制端。
电压电平转换电路以及包括显示装置

[发明专利]有机发光显示器及其驱动方法-CN200710306253.1有效
发明人：郑宝容 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种有机发光显示器，包括发送扫描信号的扫描信号线、传递数据信号的数据线以及耦合到扫描信号线和数据线的像素、有机发光二极管显示器，其中，像素包括：响应于扫描信号线的扫描信号从数据线传输数据信号的第一开关晶体管；驱动晶体管，耦合到第一开关晶体管、控制来自第一电源线的驱动电流；耦合在驱动晶体管和第一电源线之间的存储电容器；有机发光二极管，耦合在驱动晶体管和第二电源线之间、以驱动晶体管控制的驱动电流来显示图像；初始开关晶体管，耦合在存储电容器和初始电源线之间、对存储电容器进行初始化；以及用于施加反偏压的开关晶体管，耦合在第二电源线和初始电源线之间，将反偏压施加于有机发光二极管。
有机发光显示器及其驱动方法

[发明专利]一种电压转换电路-CN201510187425.2有效
发明人：汪家轲;陈亮 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：其包括第一功率晶体管；第二功率晶体管，第二功率晶体管在第一功率晶体管导通时截止，在第一功率晶体管截止时导通；第一能量存储元件；第二能量存储元件，用于与第一功率晶体管及第二功率晶体管耦合，泄放模块，用于与第一功率晶体管耦合，并在第一功率晶体管截止且第一功率晶体管的源极的电压达到源极阈值时为自第一功率晶体管的源极流向地的电流提供电流通路。通过以上方式，本发明能够减小第一功率晶体管的漏极与源极之间的压差，降低第一功率晶体管烧坏的风险，并且避免增加制造成本。
一种电压转换电路

[发明专利]用于设定电路晶体管的宽长比的方法、电路及电路布置-CN201980009286.0在审
发明人：张健学;张坤翔;奈觉专·伦;西瓦拉玛克里希南·哈里哈拉克里希南 -专利权人：南洋理工大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：该电路包括：第一组晶体管，被配置成接收提供给电路的一个或多个输入信号；以及第二组晶体管，彼此电耦合，其中第二组晶体管被配置成提供电路的一个或多个输出信号，其中第一组晶体管和第二组晶体管彼此电耦合，并且其中对于第一组晶体管和第二组晶体管中的每个晶体管，晶体管被配置成驱动与该晶体管相关联的负载并且其宽长比的尺寸大于为驱动负载而优化的晶体管的宽长比。
用于设定电路晶体管方法布置

[发明专利]堆叠的垂直晶体管存储器单元-CN202080076297.3在审
发明人：张辰;山下典洪;程慷果;吴恒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括堆叠的晶体管存储器单元。所述堆叠的晶体管存储器单元包括含有多个底部晶体管的底部层级，所述多个底部晶体管包括至少一个非浮置晶体管和至少一个浮置晶体管。所述至少一个浮置晶体管具有与所述堆叠的晶体管存储器单元的其他晶体管电断开的至少一个端子。所述堆叠的晶体管存储器单元还包括含有至少一个顶部晶体管的顶部层级，以及交叉耦合部，所述交叉耦合部包括外延区域(epi)连接部和在所述顶部层级与所述底部层级之间的和栅极到epi连接部。
堆叠垂直晶体管存储器单元

[发明专利]CMOS晶体管、驱动液晶像素的电路及CMOS传输门-CN201980065706.7在审
发明人：余泳;李心智;代永平;关雪明;刘洪;张秉华;毛崇昌 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：公开了一种CMOS晶体管、驱动液晶像素的电路及CMOS传输门，该CMOS传输门包括：NMOS晶体管(300)、PMOS晶体管(310)以及电容器(320)；该NMOS晶体管(300)的源极和该PMOS晶体管(310)的源极耦合作为输入端(351)，该NMOS晶体管(300)的漏极和该PMOS晶体管(310)的漏极耦合作为输出端(362)；该电容器(320)的一端接地，另一端耦合该输出端(362)；该PMOS晶体管(310)的衬底(341)的电压与该输出端的(362)电压相等。
cmos 晶体管驱动液晶像素电路传输

[发明专利]用以适应性地偏置通信系统的可适性偏置电路-CN201010169914.2有效
发明人：陈志纬;赵传珍;王是琦 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可适性偏置电路，用以提供对输入功率更灵敏的可适性偏置电流给电子电路，可适性偏置电路包括第一晶体管耦接至供应电源，电压偏置电路耦接至该第一晶体管和该供应电源用以偏置该第一晶体管，和第一耦合模块耦接至该第一晶体管和该电子电路用以耦合输入信号能量的一部分至该第一晶体管第二晶体管是耦接至该第一晶体管和该供应电源以增加该可适性偏置电路的电流增益，和第二耦合模块是耦接至该第二晶体管和该电子电路以提供可适性偏置电流至该电子电路。
用以适应性偏置通信系统可适性电路

[发明专利]一种微显示像素电路-CN201910163742.9有效
发明人：张盛东;霍新新;廖聪维;张敏;焦海龙 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G09G3/3266 文献下载
摘要：一种实施例的微显示像素电路，采用“源极跟随”结构提取驱动晶体管的阈值电压，并且存储于耦合电容C1上，以补偿驱动晶体管阈值电压不均匀性。在阈值电压提取阶段，参考电位VREF加于驱动晶体管的控制极(例如栅极)，驱动晶体管第二极(例如源极)电位被抬高直至驱动晶体管关断，于是驱动晶体管的阈值电压被存储在耦合电容在发光阶段，耦合电容C1两端存储的编程电压中包含的驱动晶体管阈值电压信息能够被消除，从而能够补偿驱动晶体管的阈值电压不均匀性。
一种显示像素电路

[发明专利]具有场板的高压晶体管-CN202080035196.1在审
发明人： R·泰德帕里;C·S·徐 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：晶体管(105)形成在半导体衬底(100)上。所述晶体管包含：晶体管栅极(108)和在所述晶体管栅极与晶体管漏极触点之间的延伸漏极(107)；晶体管源极触点(120)，其耦合到源极触点探针垫(128)；第一电介质层(110)，其覆盖所述半导体衬底和所述晶体管栅极；源极场板(122)，其位于所述第一电介质层上并耦合到与所述源极触点探针垫隔开并电隔离的源极场板探针垫；且所述源极场板通过所述第一电介质层电容耦合到所述延伸漏极的第一部分(109)。
具有高压晶体管

[发明专利]用于改善谐波性能的晶体管布局-CN201880064673.X在审
发明人： R·P·K·维杜拉;S·格科特佩里;G·P·埃姆图尔恩 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种射频集成电路(RFIC)，包括多个多指晶体管，多个多指晶体管包括离散扩散区域并且在重新配置的形状因数内被互连为单个开关晶体管。RFIC还包括源极总线，源极总线具有耦合到多指晶体管的每个源极区域的第一多个源极指，并且具有正交地耦合到第一多个源极指的第二多个源极指。第二多个源极指将离散扩散区域并联耦合。RFIC还包括漏极总线，漏极总线具有耦合到多指晶体管的每个漏极区域的第一多个漏极指，并且具有正交地耦合到第一多个漏极指的第二多个漏极指。第二多个漏极指将离散扩散区域并联电耦合。RFIC还包括多个互连的主体接触，以偏置多指晶体管中的每个多指晶体管的主体。
用于改善谐波性能晶体管布局

[发明专利]一种超低功耗的电源动态比较器电路-CN202011475723.9有效
发明人：苏杰;李孙华;徐祎喆;朱勇 -专利权人：重庆百瑞互联电子技术有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：该超低功耗的电源动态比较器包括前置放大器电路、交叉耦合器电路和再生锁存器电路，其中，前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；交叉耦合器电路包括第八晶体管和第九晶体管；再生锁存器包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管和第十七晶体管。
一种功耗电源动态比较电路

[其他]宽带信号空间耦合装置-CN86107249无效
发明人：鲁迪格尔·霍夫曼 -专利权人：西门子公司
申请日： 1986-10-25 - 公布日： 1987-05-06 - 主分类号： H04J3/08 文献下载
摘要：在一个宽带信号空间耦合装置中，每个可由一译码器控制的、耦合点专用的存贮单元控制的耦合元件，由一位于耦合元件输入与输出之间的增强型MOS晶体管的C-MOS变换线路构成。其中，在P沟道增强型晶体管与所属电势源之间，附加了另一同样为增强型的P沟道晶体管；而在n沟道增强型晶体管与所属电势源之间，附加了另一同样为增强型的n沟道晶体管。上述两个附加的增强型晶体管的控制极均接在前述存贮单元的输出端上。
宽带信号空间耦合装置

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