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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]光伏快速关断器及光伏接线盒-CN202320793307.6有效
发明人：欧佳嵘;缪玮;侯明明;胡吉庆;李政 -专利权人：上海正泰智能科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02S40/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏快速关断器及光伏接线盒，光伏快速关断器包括：印刷电路板、组件二极管、金属氧化物半导体场效应管和散热片；组件二极管和金属氧化物半导体场效应管位于印刷电路板上，在组件二极管和金属氧化物半导体场效应管远离印刷电路板的一侧设置散热片，散热片覆盖在组件二极管和金属氧化物半导体场效应管的表面。本实用新型可以有效降低组件二极管和金属氧化物半导体场效应管的工作温度，且结构简单，成本较低。
快速关断器接线

[发明专利]工程改造的iPSC和免疫效应细胞中的CD3重建-CN202080031737.3在审
发明人： B·瓦拉梅尔;T·T·李;A·威蒂;M·普利巴蒂 -专利权人：菲特治疗公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C12N5/074 文献下载
摘要：提供用于获得功能增强的衍生效应细胞的方法和组合物，所述效应细胞是由定向分化基因组工程改造的iPSC而获得。本文所提供的所述iPSC衍生细胞具有递送改善或增强的治疗效果的稳定且功能性基因组编辑。还提供治疗组合物和其用途，所述治疗组合物包含单独的所述功能增强的衍生效应细胞，或在组合疗法中包含所述功能增强的衍生效应细胞与抗体或检查点抑制剂。
工程改造 ipsc 免疫效应细胞中的 cd3 重建

[发明专利]一种评价化合物对海水鱼类早期精子发生毒性的方法-CN202310964814.6在审
发明人：张钰霆;穆景利;张瑞瑞 -专利权人：闽江学院
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明属于生物检测领域，具体涉及一种评价化合物对海水鱼类早期精子发生毒性的方法，通过待测化合物的暴露实验、生殖细胞marker基因的检测、毒性效应的分型、生殖细胞marker基因的赋值、毒性效应的分级等步骤，实现对待测化合物的快速检测。本发明提供的的方法能够评估化合物对海水鱼类早期精原细胞的毒性类型和程度，对繁殖能力降低有更细致划分，区分短期内效应和持续性效应。
一种评价化合物海水鱼类早期精子发生毒性方法

[发明专利]垂直金属氧化物半导体场效应二极管-CN02814795.2无效
发明人： R·A·梅茨勒 -专利权人：弗拉姆技术公司
申请日： 2002-05-08 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：此半导体二极管是二极管构造的垂直金属氧化物半导体场效应器件，它用半导体底座(304)形成，并具有一个二极管端子(324)作为垂直金属氧化物半导体场效应器件的栅(318)与漏(312)之间的公共连接以及一个二极管端子(330)作为对垂直金属氧化物半导体场效应器件的源(314)的公共连接。还公开了垂直金属氧化物半导体场效应器件的制造方法。
垂直金属氧化物半导体场效应二极管

[发明专利]验证设备和方法-CN201480032423.X有效
发明人：罗伯特·莱尔德·斯图尔特 -专利权人：伊诺维亚薄膜有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G07D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可操作为确定聚合物膜的真实性的验证设备，其包括基于光学的测量布置，所述布置可操作为测量受所述膜的双折射率特性影响的第一效应和受所述膜的另一光学特性影响的第二效应，并且其中所述设备可操作为：将表示所述第一效应的值或值范围与表示指定的第一效应的值或值范围相比较，所述指定的第一效应对应于真实聚合物膜的预定双折射率特性；将表示所述第二效应的值或值范围与表示指定的第二效应的值或值范围相比较，所述指定的第二效应对应于真实聚合物膜的预定其它光学特性还提供了确定聚合物膜的真实性的一种或多种方法。
聚合物膜可操作真实性双折射率验证设备测量光学特性影响真实性信号光学特性输出指示特性影响

[发明专利]微宇宙周期生物量测算污染物生态毒性效应阈值浓度方法-CN201610966602.1有效
发明人：王长友 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G01N33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种微宇宙周期生物量测算污染物生态毒性效应阈值浓度方法，基于种群水平上的毒性效应实验结果，利用种群间的生态关系构建微宇宙模型，将若干种群水平上的反应终点与群落水平上的反应终点关联起来，由种群水平上的污染物浓度与毒性效应之间的定量关系构造出群落水平上的污染物浓度与毒性效应之间的定量关系，以一定污染物浓度下微宇宙群落周期生物量是否偏离对照微宇宙群落周期生物量作为阈值浓度的判据，计算污染物生态毒性效应阈值浓度。本发明有助于完善污染物水质基准的推导方法，有助于夯实水质标准制定的科学基础，避免水质标准制定导致的环境“欠保护”或“过保护”，使经济和生态环境和谐发展。
宇宙周期生物量测算污染物生态毒性效应阈值浓度方法

[发明专利]半导体装置-CN201910895176.0在审
发明人：杨凯杰;庄礼阳;王培宇;李韦儒;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体装置与其形成方法，一实施例的半导体装置包括：p型场效应晶体管与n型场效应晶体管。p型场效应晶体管包括：第一栅极结构，形成于基板上；第一间隔物，位于第一栅极结构的侧壁上；以及非应变间隔物，位于第一间隔物的侧壁上。n型场效应晶体管包括：第二栅极结构，形成于基板上；第一间隔物，位于第二栅极结构的侧壁上；以及应变间隔物，位于第一间隔物的侧壁上。
半导体装置

[发明专利]一种具有量子电导效应的离子型忆阻器-CN201710095173.X有效
发明人：黄安平;胡琪 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明一种具有量子电导效应的离子型忆阻器，为“三明治”结构或场效应晶体管结构；“三明治”结构的离子型忆阻器由顶端电极，隧穿层，氧化物层，离子掺杂层及底端电极构成，具体结构“顶端电极/隧穿层/氧化物层/离子掺杂层/底端电极”、“顶端电极/氧化物层/离子掺杂层/隧穿层/底端电极”及“顶端电极/氧化物层/隧穿层/离子掺杂层/底端电极”；顶端电极厚度30～100纳米；隧穿层厚度0.34～5纳米；氧化物层厚度10～40本发明可基于碱金属或碱土金属离子迁移产生忆阻效应；利用离子穿过隧穿层时的隧穿效应或纳米线沟道对离子的量子尺寸效应实现量子电导效应，观察到多个量子态。
一种具有量子电导效应离子型忆阻器

[发明专利]电荷泵电路-CN200510076174.7有效
发明人：陈冠宇;王懿缔 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种电荷泵电路，包括一电荷泵级，其包含耦合至预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的子电荷泵电路，其用以降压上述预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，以增加预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的预充电效率而预充电金属氧化物半导体场效应晶体管的预充电效率越高，则通道晶体管的栅极电压越低。所以，充电分配效率越好，体效应所造成的影响便可以消除。后续的电荷泵级亦与上述电荷泵级相同。此外，本发明实施例仅实施于P型金属氧化物半导体场效应上，因此，只需单一阱以及小布局即可。如此便可获得本发明的高效率负电荷泵电路。
电荷电路

[发明专利]包含吡嗪甲酰胺化合物作为活性成分的药物组合物-CN201580026409.3在审
发明人：小长井智史;田中宏明;山本博子;坂上秀树 -专利权人：安斯泰来制药株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： A61K31/497 文献下载
摘要：[问题]提供一种药物组合物，其用于治疗涉及选自BTK、JAK3和ITK中的至少一种激酶的癌症。[手段]作为对具有BTK抑制效应、JAK3抑制效应和ITK抑制效应的化合物的研究的结果，本申请的发明人确认了特定的吡嗪甲酰胺化合物具有BTK抑制效应、JAK3抑制效应和ITK抑制效应，并且包含所述化合物作为活性成分的药物组合物对涉及
包含甲酰胺化合物作为活性成分药物组合

[发明专利]利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200680019881.5无效
发明人：安荷·叭剌;雷燮光 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-06-06 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的金属氧化物半导体场效应晶体管装置。通过在金属氧化物半导体场效应晶体管的制造过程中，在N－金属氧化物半导体场效应晶体管装置中导入一个P－掺杂门，可以使金属氧化物半导体场效应晶体管有更高的门极功率并让金属氧化物半导体场效应晶体管装置有改善的运转特性变小的漏极电容值(Cgd)因此达到抑制击穿效应的效果并解决了以上所叙述的困难。与传统技术不同的是，不需要复杂的制造过程与凹槽式电极的控制就可以更加容易的缩减电容Cgd。
利用门极功函数工程改变应用改良金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]能够容易穿透生物学障碍的组合物-CN200580014711.3无效
发明人：施姆尔·A·本－赛森 -专利权人：克艾思马有限公司
申请日： 2005-04-14 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： A61K47/10 文献下载
摘要：本发明与新型的穿透组合物相关，该组合物含有一个或多个效应物，这些效应物包含在水溶性组合物内，并浸没在疏水介质中，本发明还涉及通过向被作用的个体施用这样的穿透性组合物而治疗或预防疾病的方法。
能够容易穿透生物学障碍组合

[发明专利]一种高压高线性度静电保护电路-CN202310853720.1在审
发明人：丁苗富;梁瑜 -专利权人：上海麓慧科技有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压高线性度静电保护电路，包括正向触发电路，所述正向触发电路包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)的栅极(G)连接第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)的漏极(D)，第一金属氧化物半导体场效应晶体管(M1)的源极(S)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(M2)的源极(S)和栅极(G)连接接地端
一种高压线性静电保护电路

[发明专利]一种太赫兹波调制器-CN201210580488.0无效
发明人：张雄;廖民亮;丛嘉伟;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹波调制器，包括太赫兹波可透过的半导体衬底（1）、在半导体衬底（1）上按一定周期分布的金属氧化物半导体场效应管阵列（2）、在金属氧化物半导体场效应管阵列（2）上制备的超材料谐振单元阵列（3）、第一金属板（4）和第二金属板（5）；第一金属板（4）与金属氧化物半导体场效应管的源极及漏极相连接；第二金属板（5）与金属氧化物半导体场效应管的栅极相连接。本发明中的金属氧化物半导体场效应管的工作电压很低，使得以其制备的太赫兹波调制器可于低电压下工作。金属氧化物半导体场效应管的开关时间极短，为10～100ns量级，使得以其制备的太赫兹波调制器的调制速率可大于10MHz。
一种赫兹调制器

[发明专利]一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法-CN201310191040.4无效
发明人：李海松;王钦;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了本发明公开了一种CMOS型高低压集成的工艺器件结构及其制备方法，所述器件由低压N型金属氧化物半导体场效应晶体管、低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成；所述制备方法为：在N型衬底上制作N型外延层，接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱，然后在P型掺杂阱上同时制作低压P型金属氧化物半导体场效应晶体管的体区和中高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的耐压区，最后进行源漏注入。
一种 cmos 低压集成工艺器件结构及其制备方法

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