专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]考虑尺度效应的聚合血管支架力学性能预测方法-CN201911080235.5有效
  • 李红霞;朱宝;高易仁;王敏杰;赵丹阳 - 大连理工大学
  • 2019-11-07 - 2021-07-02 - G06F30/23
  • 本发明考虑尺度效应的聚合血管支架力学性能预测方法属于介入性医疗器械技术领域,涉及一种考虑尺度效应的聚合血管支架力学性能预测方法。该方法基于Cosserat连续介质理论,通过引入偶应力和曲率应变,得到广义应力和广义应变,建立考虑尺度效应的聚合材料弹性本构关系。采用有限元法构建带有微空洞的聚合材料体胞模型,获取了考虑微空洞尺度效应的聚合材料等效本构关系函数。经过有限元分析计算,最终实现对聚合血管支架力学性能的预测。本发明考虑微空洞尺度效应的聚合材料等效本构关系函数,采用了一种新的计算方法,揭示了材料降解过程中聚合血管支架力学性能的变化规律,能够实现聚合血管支架力学性能的精准预测。
  • 考虑尺度效应聚合物血管支架力学性能预测方法
  • [发明专利]用于功能性核酸酶的投递系统-CN201480060598.1在审
  • D.R.刘;J.A.祖里斯;D.B.汤普森 - 哈佛大学的校长及成员们
  • 2014-09-05 - 2016-07-06 - C07K14/00
  • 提供了用于超电荷蛋白介导的功能性效应器蛋白对细胞的体内、离体、或体外投递的组合、方法、策略、试剂盒和系统。还提供了使用阳离子脂质和阳离子聚合来投递功能性效应器蛋白的组合、方法、策略、试剂盒和系统。功能性效应器蛋白包括但不限于转录调控(例如阻遏或激活物)、重组酶、核酸酶(例如可RNA编程的核酸酶,如Cas9蛋白;TALE核酸酶,和锌指核酸酶)、脱氨酶,和其他基因修饰/编辑酶。功能性效应器蛋白包括TALE效应器蛋白,例如TALE转录激活物和阻遏,以及TALE核酸酶。用于将功能性效应器蛋白投递到细胞中的组合、方法、策略和系统可用于治疗和研究目的,包括但不限于与疾病有关的基因的靶向性操作,与疾病有关的基因的表达水平的调控,和细胞命运的编程。
  • 用于功能核酸酶投递系统
  • [发明专利]预防伽马耦合的源极驱动电路-CN200810170044.3有效
  • 李敬中 - 奇景光电股份有限公司
  • 2008-10-15 - 2010-06-09 - G09G3/36
  • 源极驱动电路的电平移位装置在信号转换时输出多个逻辑高信号至P型金属氧化半导体场效应晶体管数字模拟转换器而输出多个逻辑低信号至N型金属氧化半导体场效应晶体管数字模拟转换器,以作为P型以及N型金属氧化半导体场效应晶体管数字模拟转换器中的关机电流路径因此,在信号转换时,P型以及N型金属氧化半导体场效应晶体管数字模拟转换处于高阻抗状态以预防伽马耦合效应
  • 预防耦合驱动电路
  • [实用新型]直流电源降压型转换器的半导体封装结构-CN201120520200.1有效
  • 叶锦祥 - 久昌科技股份有限公司
  • 2011-12-13 - 2012-08-22 - H01L27/088
  • 一种直流电源降压型转换器的半导体封装结构,包含有一封装引线框架、一控制回路元件、一第一金属氧化半导体场效应晶体管及一第二金属氧化半导体场效应晶体管。该控制回路元件与该第一金属氧化半导体场效应晶体管相邻的设置于该封装引线框架上,并彼此之间电性连接,而该第二金属氧化半导体场效应晶体管堆叠于该第一金属氧化半导体场效应晶体管远离该封装引线框架的一侧,据此,本实用新型通过该第二金属氧化半导体场效应晶体管堆叠于该第一金属氧化半导体场效应晶体管上方,有效缩减该封装引线框架的使用面积,不仅降低该直流电源降压型转换器的生产成本,还使该直流电源降压型转换器可应用于更小的模块板上
  • 直流电源降压转换器半导体封装结构
  • [实用新型]一种保护电源反接的电路-CN202221224744.8有效
  • 吴乔君;陈素华 - 诚远电子(苏州)有限公司
  • 2022-05-20 - 2022-12-20 - H02H11/00
  • 本实用新型公开了一种保护电源反接的电路,属于保护电源电路技术领域,包括金属‑氧化半导体场效应晶体管M7和三极管Q4,所述金属‑氧化半导体场效应晶体管M7的S极电性连接电阻R6的一端,金属‑氧化半导体场效应晶体管M7的G极电性连接三极管Q4的C极,正常供电时金属‑氧化半导体场效应晶体管M7的G、S极电压大于8V,金属‑氧化半导体场效应晶体管M7完全导通,阻抗小于2毫欧,供电接反时金属‑氧化半导体场效应晶体管M7的G、S极连通小于1V,金属‑氧化半导体场效应晶体管M7关闭,电流无法形成闭合,保护控制电路,该电路占有空间小,能够满足不同产品的布局,通用性强,适用于各种型号的MOSFET成本低。
  • 一种保护电源反接电路

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