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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110733597.0在审
发明人： 庄礼阳;游家权;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法包括：提供具有多个通道层的一虚置结构、设置于通道层的相邻通道之间且位于通道层的一横向端点的一内间隔层，以及间隔开多个通道层且包括一栅极介电层及一金属层的一栅极结构。虚置结构设置于邻近一主动区的一主动边缘。进行一金属栅极蚀刻制程，以从栅极结构内去除金属层，而栅极介电层留置于一通道层‑内间隔层界面。在进行金属栅极蚀刻制程后，进行干式蚀刻制程，以形成沿主动边缘的一断开区域。设置于通道层‑内间隔层界面的栅极介电层可防止干式蚀刻制程破坏相邻主动区内的一源极/漏极特征部件。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110670598.5在审
发明人：吴哲镇;江国诚;王志豪;游家权;庄礼阳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供一种半导体结构的形成方法。可以通过在半导体板堆叠的中间部分周围形成介电栅极间隔物和牺牲栅极结构来提供全绕式栅极场效晶体管。可以在半导体板堆叠内的半导体板的端部上形成源极区和漏极区。牺牲栅极结构和其他牺牲材料部分可以用栅极介电层和栅极电极的组合取代。可以对介电栅极间隔物具有选择性地垂直凹蚀栅极介电层和栅极电极。第一非等向性蚀刻制程以约略相同的蚀刻速率凹蚀栅极电极和栅极介电层。随后可以使用具有更高选择性的第二非等向性蚀刻制程。使栅极介电层的突出剩余部分最小化以降低相邻晶体管之间的漏电流。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202011471671.8在审
发明人：游家权;庄礼阳;朱熙甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一垂直结构与第二垂直结构以及隔离结构。第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；隔离结构位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。隔离结构包括中心区与多个基脚区形成于中心区的两侧上。每一基脚区为自每一基脚区的第一末端至第二末端朝向中心区的锥形。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202110136660.2在审
发明人：潘冠廷;苏焕杰;游家权;朱熙甯;江国诚;詹易叡;庄礼阳;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体结构包括多个鳍状结构，沿着第一方向延伸；多个栅极结构部件，沿着第二方向延伸，第二方向正交于第一方向，其中栅极结构部件隔有多个虚置鳍状结构。半导体结构还包括导电层，位于栅极结构部件与虚置鳍状结构上，以电性连接至少一些栅极结构部件；以及切割结构，对准虚置鳍状结构的一者，以电性隔离虚置鳍状结构的一者的两侧上的栅极结构部件。
半导体结构

[发明专利]集成电路结构的形成方法-CN202010511206.6在审
发明人： 庄礼阳;黄旺骏;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种集成电路结构的形成方法包括形成第一后段(BEOL)互连结构的第一层金属线和在第一层金属线的第一金属线上形成半导体纳米线结构。第一后段互连结构形成在具有多个主动装置的前段(FEOL)装置层上。方法还包括形成包裹半导体纳米线结构的第一介电层、在介电层上和第一层金属线的第二金属线上形成金属层、以及在半导体纳米线结构上形成第二后段互连结构的第二层金属线。第一金属线和第二金属线彼此电性隔离。
集成电路结构形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201910895176.0在审
发明人：杨凯杰;庄礼阳;王培宇;李韦儒;蔡庆威;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体装置与其形成方法，一实施例的半导体装置包括：p型场效应晶体管与n型场效应晶体管。p型场效应晶体管包括：第一栅极结构，形成于基板上；第一间隔物，位于第一栅极结构的侧壁上；以及非应变间隔物，位于第一间隔物的侧壁上。n型场效应晶体管包括：第二栅极结构，形成于基板上；第一间隔物，位于第二栅极结构的侧壁上；以及应变间隔物，位于第一间隔物的侧壁上。
半导体装置

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